特許権（SDダイサー）

................................................. 258

１本件発明１の内容 .................................................. 258

２争点１－１（被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものといえるか） .............................................................. 266

⑴ 「改質領域」の意義 ............................................... 266

ア特許請求の範囲の記載 ........................................... 266

イ本件明細書等１の記載 ........................................... 266

ウ「改質領域」の解釈 ............................................. 268

エ「改質領域」が多光子吸収が支配的に寄与して形成されるものに限定されるかについて ......................................................... 268

オ「改質領域」はボイドを形成しないものに限られるか ............... 273

⑵ 被告製品のレーザ加工処理領域に「溶融」が生じているか。 ........... 276

アシリコンの融点について ......................................... 276

イ被告製品により形成されたシリコンウェハの改質領域の温度 ......... 277

ウナノ秒レーザ ................................................... 283

エレーザ加工領域の割断後断面写真（ＦＥ－ＳＥＭ）について ......... 283

オラマン分析について ............................................. 284

カ電子線後方散乱解析（ＥＢＳＤ）の結果について ................... 287

キ電子線回折の観察結果について ................................... 288

ク結論 ........................................................... 289

ケ被告の主張について ............................................. 290

⑶ 被告製品が「改質領域」（構成要件Ａ、Ｄ）を形成しているか .......... 296

ア「溶融処理領域」該当性 ......................................... 296

イ多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されないこと ... 296

ウボイドが形成されないものに限定されないこと ..................... 297

オ小括 ........................................................... 297

３争点１－２（被告製品は「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成するものといえるか） ...................................................... 297

⑴ 「集光点の位置で」の意義 ......................................... 297

ア特許請求の範囲の記載 ........................................... 297

イ本件明細書等１の記載 ........................................... 298

⑵ 被告製品の改質領域はレーザ光の「集光点の位置」で形成されるといえるか。

..................................................................... 299

４争点１－３（被告製品のレーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものといえるか） ...................................................... 299

⑴ 被告製品（非除去）について ....................................... 299

⑵ 被告製品（除去）について ......................................... 300

⑶ 小括 ............................................................. 301

５争点１－４（被告製品は「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか） .............................................. 302

６争点１－５（被告製品は「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）といえるか） .................................................. 304

７争点１－６（被告製品は「制御部」（構成要件Ｅ）を備えるものといえるか）...................................................................... 306

８本件発明２の内容 .................................................. 307

⑴ 明細書の記載 .................................................... 307

⑵ 本件発明２の技術的特徴 .......................................... 318

９争点２－１（被告製品は「測定初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ）、「加工初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件２Ｑ）ものといえるか）（本件発明２－１及び２－２に関して） .................................. 31910 争点２－２（被告製品は「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するものといえるか）（本件発明２－１に関して） ................................................................ 32711 争点２－３（被告製品は「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）し、当該「解除後に・・主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するものといえるか）（本件発明２－１に関して） ...................................... 32912 争点２－４（被告製品は「前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、また、「当該一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するものといえるか）（本件発明２－２に関して） .................................. 33613 争点２－５（被告製品は「改質領域」（構成要件Ｉ、Ｐ、２Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ、３Ｉ）を形成するといえるか）（本件発明２全てに共通） ............ 34414 争点２－６（被告製品は「制御手段」（構成要件Ｎ～Ｓ、２Ｎ～２Ｓ）を備えるか） ................................................................ 34515 充足論についてのまとめ ........................................... 34616 争点３－１（乙２４発明に基づく進歩性の欠如）について ............. 346

⑴ 乙２４発明の内容 ................................................ 346

⑵ 乙２４発明の構成 ................................................ 359

⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 363

⑷ 容易想到性 ...................................................... 36517 争点３－２（乙２６発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 366

⑴ 乙２６発明の内容 ................................................ 366

⑵ 乙２６公報の引例適格性について .................................. 372

⑶ 乙２６発明の構成 ................................................ 373

⑷ 一致点及び相違点 ................................................ 373

⑸ 容易想到性 ...................................................... 37518 争点３－３（乙３３発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 376

⑴ 乙３３発明の内容 ................................................ 376

⑵ 乙３３発明の構成 ................................................ 378

⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 380

⑷ 容易想到性 ...................................................... 38219 争点３－４（乙３４発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 383

⑴ 乙３４発明の内容 ................................................ 383

⑵ 乙３４発明の構成 ................................................ 386

⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 388

⑷ 容易想到性 ...................................................... 38920 争点３－５（乙２５に基づく進歩性の欠如） ......................... 391

⑴ 乙２５発明の内容 ................................................ 391

⑵ 乙２５発明の構成 ................................................ 395

⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 397

⑷ 容易想到性 ...................................................... 39821 争点３－６（乙３６発明に基づく進歩性の欠如） ..................... 399

⑴ 乙３６発明の内容 ................................................ 399

⑵ 乙３６発明の構成 ................................................ 405

⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 407

⑷ 容易想到性 ...................................................... 40922 争点３－７（乙３７に基づく進歩性の欠如） ......................... 409

⑴ 乙３７発明の内容 ................................................ 409

⑵ 乙３７発明の構成 ................................................ 413

⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 415

⑷ 容易想到性 ...................................................... 41623 争点３－８（乙１２０に基づく進歩性の欠如） ....................... 417

⑴ 乙１２０発明の内容 .............................................. 417

⑵ 乙１２０発明の構成 .............................................. 433

⑶ 一致点及び相違点 ................................................ 434

⑷ 容易想到性 ...................................................... 43624 争点３－９（サポート要件違反） ................................... 43925 争点３－１０（明確性要件違反） ................................... 43926 争点３－１１（実施可能要件違反） ................................. 44027 争点４－１（サポート要件違反１） ................................. 44128 争点４－２（サポート要件違反２） ................................. 44229 争点４－３（明確性要件違反） ..................................... 44230 争点５（本件実施許諾契約の成否） ................................. 44331 争点６－１－１（特許法１０２条２項の適用の可否） ................. 45232 争点６－２－１（特許法１０２条１項の適用の可否） ................. 45933 争点６－３（特許法１０２条３項に基づく損害額） ................... 46134 争点６－４（民法７０９条に基づく不法行為の成否及び損害額） ....... 47835 争点８（差止めの必要性）につい ................................... 47936 その他 ........................................................... 480

１本件発明１の内容

⑴ 本件明細書等１（甲１の２及び３）には、次のとおりの記載があることが認められる。

ア技術分野「本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断に使用されるレーザ加工装置に関する。」【０００１】

イ背景技術「レーザ応用の一つに切断があり、レーザによる一般的な切断は次の通りである。例えば半導体ウェハやガラス基板のような加工対象物の切断する箇所に、加工対象物が吸収する波長のレーザ光を照射し、レーザ光の吸収により切断する箇所において加工対象物の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物を切断する。しかし、この方法では加工対象物の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も溶融される。よって、加工対象物が半導体ウェハの場合、半導体ウェハの表面に形成された半導体素子のうち、上記領域付近に位置する半導体素子が溶融する恐れがある。」【０００２】「加工対象物の表面の溶融を防止する方法として、例えば、特許文献１や特許文献２に開示されたレーザによる切断方法がある。これらの文献に開示された切断方法では、加工対象物の切断する箇所をレーザ光により加熱し、そして加工対象物を冷却することにより、加工対象物の切断する箇所に熱衝撃を生じさせて加工対象物を切断する。」【０００３】（特許文献１）特開２０００－２１９５２８号公報（特許文献２）特開２０００－１５４６７号公報

ウ発明が解決しようとする課題「しかし、これらの文献に開示された切断方法では、加工対象物に生じる熱衝撃が大きいと、加工対象物の表面に、切断予定ラインから外れた割れやレーザ照射していない先の箇所までの割れ等の不必要な割れが発生することがある。よって、これらの切断方法では精密切断をすることができない。特に、加工対象物が半導体ウェハ、液晶表示装置が形成されたガラス基板や電極パターンが形成されたガラス基板の場合、この不必要な割れにより半導体チップ、液晶表示装置や電極パターンが損傷することがある。また、これらの切断方法では平均入力エネルギーが大きいので、半導体チップ等に与える熱的ダメージも大きい。」【０００４】「本発明の目的は、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工装置を提供することである。」【０００５】

エ課題を解決するための手段「本発明に係るレーザ加工装置は、ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、載置台に載置された加工対象物の内部に、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するように、加工対象物のレーザ光入射面を基準として加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、加工対象物の厚さ方向と直交する方向に載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するように、レーザ光入射面を基準として加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が切断予定ラインに沿って移動するように、加工対象物の厚さ方向と直交する方向に載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備えることを特徴とする。」【０００６】「本発明に係るレーザ加工装置によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の内部に改質領域を形成することができる。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。本発明に係るレーザ加工装置によれば、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って加工対象物が割れることにより、加工対象物を切断することができる。よって、比較的小さな力で加工対象物を切断することができるので、加工対象物の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切断が可能となる。なお、集光点とはレーザ光が集光した箇所のことである。切断予定ラインは加工対象物の表面や内部に実際に引かれた線でもよいし、仮想の線でもよい。」【０００７】「また、本発明に係るレーザ加工装置によれば、加工対象物の内部に改質領域を形成している。よって、加工対象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないので、加工対象物の表面が溶融することはない。」【０００８】「また、本発明に係るレーザ加工装置によれば、加工対象物に照射されるレーザ光の加工対象物への入射方向におけるレーザ光の集光点の位置を変えることにより、改質領域を入射方向に沿って並ぶように複数形成することができる。このため、加工対象物を切断する際に起点となる箇所を増やすことができる。」【０００９】「本発明に係るレーザ加工装置によれば、ウェハ状の加工対象物の内部において、加工対象物のレーザ光入射面から加工対象物の厚さ方向に第１の距離だけ離れた第１の位置、及び第１の距離より短い第２の距離だけ離れた第２の位置に、切断の起点となる改質領域を確実に形成することができる。」【００１０】

オ本件各発明の効果「本発明に係るレーザ加工装置によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができる。よって、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができる。」【００１１】「また、本発明に係るレーザ加工装置によれば、複数の改質領域を形成することにより加工対象物を切断する際の起点となる箇所を増やすことができる。従って、加工対象物の厚みが比較的大きい場合等においても、加工対象物の切断が可能となる。」【００１２】

カ発明を実施するための最良の形態「以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて説明する。本実施形態に係るレーザ加工方法は、多光子吸収により改質領域を形成している。多光子吸収はレーザ光の強度を非常に大きくした場合に発生する現象である。まず、多光子吸収について簡単に説明する。」【００１３】「材料の吸収のバンドギャップＥＧよりも光子のエネルギーｈνが小さいと光学的に透明となる。よって、材料に吸収が生じる条件はｈν＞ＥＧである。しかし、光学的に透明でも、レーザ光の強度を非常に大きくするとｎｈν＞ＥＧの条件（ｎ＝２、３、４、・・である）で材料に吸収が生じる。この現象を多光子吸収という。パルス波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光点のピークパワー密度（Ｗ／ｃｍ２）で決まり、例えばピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上の条件で多光子吸収が生じる。ピークパワー密度は、（集光点におけるレーザ光の１パルス当たりのエネルギー）÷（レーザ光のビームスポット断面積×パルス幅）により求められる。また、連続波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光点の電界強度（Ｗ／ｃｍ２）で決まる。」【００１４】「このような多光子吸収を利用する本実施形態に係るレーザ加工の原理について図１～図６を用いて説明する。図１はレーザ加工中の加工対象物１の平面図であり、図２は図１に示す加工対象物１のII－II 線に沿った断面図であり、図３はレーザ加工後の加工対象物１の平面図であり、図４は図３に示す加工対象物１のIV－IV 線に沿った断面図であり、図５は図３に示す加工対象物１のV－V 線に沿った断面図であり、図６は切断された加工対象物１の平面図である。」【００１５】「図１及び図２に示すように、加工対象物１の表面３には切断予定ライン５がある。切断予定ライン５は直線状に延びた仮想線である。本実施形態に係るレーザ加工は、多光子吸収が生じる条件で加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを加工対象物１に照射して改質領域７を形成する。なお、集光点とはレーザ光Ｌが集光した箇所のことである。」【００１６】【図１】 【図２】「レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち矢印Ａ方向に沿って）相対的に移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これにより、図３～図５に示すように改質領域７が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部にのみ形成される。本実施形態に係るレーザ加工方法は、加工対象物１がレーザ光Ｌを吸収することにより加工対象物１を発熱させて改質領域７を形成するのではない。加工対象物１にレーザ光Ｌを透過させ加工対象物１の内部に多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。」【００１７】10【図４】15【図３】20【図５】【図６】「加工対象物１の切断において、切断する箇所に起点があると加工対象物１はその起点から割れるので、図６に示すように比較的小さな力で加工対象物１を切断することができる。よって、加工対象物１の表面３に不必要な割れを発生させることなく加工対象物１の切断が可能となる。」【００１８】「なお、改質領域を起点とした加工対象物の切断は、次の二通りが考えられる。一つは、改質領域形成後、加工対象物に人為的な力が印加されることにより、改質領域を起点として加工対象物が割れ、加工対象物が切断される場合である。これは、例えば加工対象物の厚みが大きい場合の切断である。人為的な力が印加されるとは、例えば、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物に曲げ応力やせん断応力を加えたり、加工対象物に温度差を与えることにより熱応力を発生させたりすることである。他の一つは、改質領域を形成することにより、改質領域を起点として加工対象物の断面方向（厚さ方向）に向かって自然に割れ、結果的に加工対象物が切断される場合である。これは、例えば加工対象物の厚みが小さい場合、改質領域が１つでも可能であり、加工対象物の厚みが大きい場合、厚さ方向に複数の改質領域を形成することで可能となる。なお、この自然に割れる場合も、切断する箇所の表面上において、改質領域が形成されていない部分まで割れが先走ることがなく、改質部を形成した部分のみを割断することができるので、割断を制御よくすることができる。近年、シリコンウェハ等の半導体ウェハの厚さは薄くなる傾向にあるので、このような制御性のよい割断方法は大変有効である。」【００１９】「さて、本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域として、次の(1)～(3)がある。」【００２０】「(2) 改質領域が溶融処理領域の場合レーザ光を加工対象物（例えばシリコンのような半導体材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件で照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくともいずれか一つを意味する。また、溶融処理領域は相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。なお、電界強度の上限値としては、例えば１×１０１２（Ｗ／ｃｍ２）である。パルス幅は例えば１ｎｓ～２００ｎｓが好ましい。」【００２７】「なお、シリコンウェハは、溶融処理領域を起点として断面方向に向かって割れを発生させ、その割れがシリコンウェハの表面と裏面に到達することにより、結果的に切断される。シリコンウェハの表面と裏面に到達するこの割れは自然に成長する場合もあるし、加工対象物に力が印加されることにより成長する場合もある。なお、溶融処理領域からシリコンウェハの表面と裏面に割れが自然に成長するのは、一旦溶融後再固化した状態となった領域から割れが成長する場合、溶融状態の領域から割れが成長する場合及び溶融から再固化する状態の領域から割れが成長する場合のうち少なくともいずれか一つである。いずれの場合も切断後の切断面は図１２に示すように内部にのみ溶融処理領域が形成される。加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する場合、割断時、切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにくいので、割断制御が容易となる。」【００３３】

⑵ 本件発明１の技術的特徴本件発明１に係る特許請求の範囲の記載及び上記⑴の本件明細書等１の記載内容によれば、本件発明１は、加工対象物である半導体ウェハ等を切断するためのレーザ加工装置に関するものであり、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなく、かつ、その表面が溶融しないレーザ加工装置を提供することを課題とするものである。上記課題を解決するために、本件発明１は、請求項１記載の構成を備えることによって、加工対象物の内部に集光点を合せてレーザ光を照射することにより、加工対象物の内部に改質領域を形成し、比較的小さな力で加工対象物を切断することができるようにし、もって、加工対象物の表面に切断ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切断を可能にするとともに、加工対象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収されなくなるため、加工対象物の表面を溶融させることなく加工対象物の切断を可能にするものであると認められる。

２争点１－１（被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものといえるか）

⑴ 「改質領域」の意義

ア特許請求の範囲の記載前記前提事実によれば、本件発明１に係る特許請求の範囲には、「ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」（構成要件Ａ）、「前記加工対象物の内部に、・・そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる」（構成要件Ｄ）、「前記加工対象物は・・シリコンウェハである」（構成要件Ｆ）という各記載があることが認められる。上記認定事実によれば、「改質領域」とは、シリコンウェハを加工対象物として、その内部にレーザ光を集光することにより、集光点の位置で形成されるものを意味すると認められる。

イ本件明細書等１の記載本件明細書等１の【発明を実施するための最良の形態】には、「本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域」として、①「一つ又は複数のクラックを含むクラック領域」（段落【００２１】）、②「溶融処理領域」（段落【００２７】）、③「屈折率変化領域」（段落【００３４】）の３種類が掲げられていることが認められる。そして、上記②の「溶融処理領域」については、「改質領域が溶融処理領域である場合」として、「レーザ光を加工対象物（例えばシリコンのような半導体材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件で照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。」との記載（段落【００２７】）や、シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることが実験によって確認された旨の記載（段落【００２８】ないし【００３２】）があることが認められる。上記認定事実によれば、本件明細書等１の記載は、加工対象物であるシリコンウェハの内部にレーザ光を集光すると、当該集光点付近に「溶融処理領域」が形成され、これを改質領域というものであることが認められる。そして、溶融処理領域の意義については、「溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくともいずれか一つを意味する。また、溶融処理領域は相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。」という記載があることが認められる（段落【００２７】）。

ウ「改質領域」の解釈上記の本件特許請求の範囲及び本件明細書等１の各記載によれば、「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）とは、加工対象物であるシリコンウェハの内部にレーザ光を集光することによって集光点付近に形成される「溶融処理領域」を意味するものと解するのが相当である。そして、本件明細書等１の上記イの記載に照らせば、「溶融処理領域」とは、「一旦溶融後再固化した領域」、「溶融状態中の領域」又は「溶融から再固化する状態中の領域」のうち少なくともいずれか一つであること、すなわち、相変化が生じた領域又は結晶構造が変化した領域（単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域）を意味するものと解される。

エ「改質領域」が多光子吸収が支配的に寄与して形成されるものに限定されるかについて被告は、「改質領域」（構成要件Ａ、Ｄ）について、多光子吸収が支配的に寄与して形成されるものに限定される旨主張するため、以下、検討する。特許請求の範囲及び明細書等の記載についてａ本件発明１に係る特許請求の範囲には、そもそも「多光子吸収」という文言は存在せず、「改質領域」が多光子吸収の支配的な寄与により形成されるものと解されるような記載も存在しない。そして、本件明細書等１の【発明を実施するための最良の形態】においては、「以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて説明する。本実施形態に係るレーザ加工方法は、多光子吸収により改質領域を形成している。多光子吸収はレーザ光の強度を非常に大きくした場合に発生する現象である。」との記載（段落【００１３】）に続き、多光子吸収についての説明が記載されているものの（段落【００１４】ないし【００１９】）、これは、本件明細書等１の文字通り、一つの好適な実施例を示したものにすぎず、もとより本件明細書等１には、改質領域の形成方法が当該実施例に限定される趣旨をいう記載は存在しない。そうすると、本件明細書等１は、多光子吸収により改質領域が形成された一例を掲げたものにすぎず、これを超えて、多光子吸収以外によって形成される改質領域を除外するものとはいえない。しかも、前記認定事実によれば、本件明細書等１には、「これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。」と記載され（段落【００２７】）、「改質領域」は、集光点付近に形成される「溶融処理領域」を意味するものと認められるところ、「溶融処理領域」の内容についても、相変化という観点や結晶構造の変化という観点から定義がされているものの、多光子吸収や単光子吸収という観点からの定義はされていない。そのため、本件明細書等１の上記記載によれば、「溶融処理領域」は、多光子吸収や単光子吸収という観点から定義付けられるものであるとはいえない。

のみならず、本件発明１は、加工対象物の表面を溶融する方法により加工対象物を切断する場合には、切断箇所の周辺領域も溶融してしまうため、「加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工装置を提供する」という課題（段落【０００５】）を解決するために、加工対象物であるシリコンウェハの内部にレーザ光を集光させ、集光点付近に切断の起点となる「改質領域」を形成することによって、上記課題を解決するものである。そうすると、上記課題の解決手段という観点からみても、「改質領域」が、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限られるということはできない。したがって、構成要件Ａ及びＤにいう「改質領域」について、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されると解することはできない。

ｂこれに対し、被告は、本件明細書等１の「以上のように本実施形態によれば、改質領域を多光子吸収により形成している。」（段落【００３５】）という記載や、本件明細書等１においては、発明の実施形態として、多光子吸収によって改質領域を形成する例しか説明されていないことを根拠として、「改質領域」は多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定される旨主張するものの、上記において説示したとおり、多光子吸収によって改質領域を形成する一例を掲げたものにすぎず、これに限定するものではないのであるから、被告の主張は、採用することができない。ｃその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、本件発明１に係る特許請求の範囲及び本件明細書等１の内容を正解するものとはいえず、いずれも採用することができない。包袋禁反言について被告は、本件発明１の特許請求の範囲を解釈するに当たって、本件先行特許に係る出願経過を参酌すべきであり、同出願経過を踏まえると、原告は、本件特許１にいう「改質領域」が「多光子吸収によるもの」に限定されるよう説明していたのであるから、禁反言の法理により、「改質領域」とは、多光子吸収により形成されたものに限定されるべきである旨主張する。

そこで検討するに、後掲証拠及び弁論の全趣旨によれば、本件先行特許及び本件特許１の出願経過につき、以下の事実が認められる。

ａ本件先行特許に係る出願経過⒜ 原告は、平成１３年９月１３日、本件先行特許に係る出願（特願２００１－２７８７６８）をし、これに基づき、平成１５年３月１４日、発明の名称を「切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法」とする発明（以下「本件先行発明」という。）につき、特許権の設定登録を受けた（乙４３。請求項の数３７）。

本件先行発明の【特許請求の範囲】には、ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、当該加工対象物の内部において改質領域を形成することを規定する請求項が複数存在するところ、その多くは、「改質領域」という文言につき、特段の限定を付してはいないものの、一部については「多光子吸収による改質領域」という限定を付している（請求項１及び２３）。

⒝ 原告は、本件先行特許の審査過程において、平成１４年１１月１８日付けで、拒絶理由通知を受けた。これを受けて、原告は、平成１５年１月１４日、特許庁に対し、意見書（乙４４）を提出した。同意見書においては、引用文献１（特開０４－１１１８００号公報）に記載された発明との比較として、多光子吸収により微小クラックを発生させて切断加工をすることは公知技術であるが、「多光子吸収による改質領域によって、切断予定ラインに沿ってウェハ状の加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する」ことは公知技術ではないばかりか、「多光子吸収を利用するに際し「ウェハ状、すなわち薄く平たい形状のものを加工対象とし、その切断面となる部分内において改質領域を形成し、その改質領域を切断の際の起点とする」という着想」は、技術常識に反する旨の記載が存在する。

⒞ また、原告は、平成１７年８月１５日、本件先行特許に係る無効審判（無効２００５－８０１６６）において、答弁書を提出した（乙５０）。

⒟ 特許庁は、平成１８年３月３日、原告による訂正を認めた上で、審判請求は成り立たない旨の審決をし、同審決は同年４月１４日に確定した。（以上につき、乙４３、４４、４８ないし５１、弁論の全趣旨）ｂ本件特許１に係る出願経過⒜ 原告は、平成１３年９月１３日を出願日とする特許出願（平成１２年９月１３日に出願した特願２０００－２７８３０６号に基づく優先権を主張したもの。特願２００５－２０９０７３。）の一部を分割して、平成１８年３月２日、本件特許１に係る特許出願（特願２００６－５６６７１。以下「本件出願１」という。）をした。

⒝ 特許庁は、平成１８年５月１日付けで、原告に対し、本件出願１につき、類似した内容の出願が多数存在し、請求項の数及び明細書の分量が膨大であるところ、不明な点が存在するとして、特許法１９４条１項に基づき、原告による出願の全体像や、分割出願と原出願との記載の比較、全ての案件についての特許請求の範囲の記載の比較等を明確にした書面の提出を求める通知書を送付した。これを受けて、原告は、同年７月１０日、原告の出願した複数の特許群につき、個々の請求項相互の差異を示した乙４９一覧表を提出した。本件先行特許は、一覧表の最上段に掲載され、その「要点」欄には、「ＳＤに関する基本特許出願」と記載されていた。

（以上につき、甲１の２、１の３、乙４８、４９）⒞ 特許庁は、平成１８年１０月１３日、本件特許１につき、設定登録をした。⒟ 原告は、その後、本件発明１に係る特許請求の範囲を訂正することを求める旨の訂正審判請求（訂正２０１８－３９００７３）をしたところ、平成３０年７月３日、当該訂正を認める旨の審決がされ、同審決は、同月１３日に確定した（別紙「特許請求の範囲」記載１の特許請求の範囲の記載は、この訂正を反映したものである。）。ｃ以上を前提に検討するに、本件先行特許は、飽くまで、本件特許とは別個の独立した特許であるから、本件発明１の特許請求の範囲を解釈するに当たって、本件発明１とは異なる本件先行特許の出願経過を参酌するのは相当ではない。そして、前記認定事実によれば、本件発明１は「改質領域」としてこれに限定を付していないのに対し、本件先行特許の請求項１等は「多光子吸収による改質領域」としてあえて限定を付するなど、本件発明１と本件先行特許では異なる文言が採用されている。そうすると、原告提出に係る乙４９一覧表において本件先行特許が「ＳＤに関する基本特許出願」と記載された事情等を踏まえても、本件先行特許の出願経過に照らし、原告が、本件発明１の「改質領域」についてまで、その限定がないにもかかわらず、「多光子吸収によるもの」に限定するような説明をしていたといえないことは明らかであり、被告の主張は、その前提を欠く。したがって、仮に本件特許１の権利範囲を解釈するに当たって、本件先行発明に係る出願経過を参酌した場合であっても、禁反言の法理により本件発明１の「改質領域」を被告主張のように限定して解釈することはできない。ｄその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、いずれもその前提を欠くものであり、上記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。

オ「改質領域」はボイドを形成しないものに限られるか被告は、「改質領域」とはボイドを形成しないものに限定されるべきである旨主張するものの、以下のとおり、同主張は、採用することができない。特許請求の範囲及び明細書等の記載本件発明１に係る特許請求の範囲には、「ボイド」という文言は記載されておらず、その他に、「改質領域」が「ボイド」を形成しないものであると解される記載も存在せず、本件明細書等１においても、「ボイド」に関連するような記載は何ら存在しない。

そうすると、本件発明１の特許請求の範囲及び本件明細書等１の各記載によれば、「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）につき、ボイドを形成しないものに限定するのは相当ではない。出願経過の参酌（包袋禁反言）について被告は、本件発明１の特許請求の範囲を解釈するに当たって、乙５３発明の出願経過を参酌すべきであり、同出願経過に照らせは、本件発明１の「改質領域」は、禁反言の法理により、ボイドが形成されないものに限定解釈されるべきである旨主張する。

そこで検討するに、後掲の各証拠及び弁論の全趣旨によれば、乙５３発明及び本件出願１の経過につき、以下の事実が認められる。

ａ乙５３発明に係る出願経過原告は、平成１６年７月２０日、乙５３発明に係る特許を出願したところ、平成２２年５月２０日付けで、審査官から、拒絶理由通知（乙５５）を受けた。同拒絶理由通知では、乙５４公報が引用文献とされた上、乙５４公報には、微小空洞が形成される点は明確にされていないものの、多光子吸収による溶融処理領域を形成する点においては乙５３発明と差異がないことから、微小空洞が形成されるものと推認されるし、微小空洞を形成することは当業者が容易に成し得たことである旨指摘されていた。これを受けて、原告は、意見書（乙５６）を提出したところ、同意見書には、乙５３発明は、乙５４発明と比較した場合、「切断予定ラインに沿って半導体基板の内部に溶融処理領域を形成すると共に、半導体基板の内部であって溶融処理領域を挟んでパルスレーザ光の入射側とは反対側に、切断予定ラインに沿って相互に離隔するように複数の微小空洞を形成する点」において相違する旨の記載がある。

（以上につき、乙５３ないし５６）ｂ本件発明１の出願経過原告は、平成１３年９月１３日を出願日とする特許出願（平成１２年９月１３日に出願した特願２０００－２７８３０６号に基づく優先権を主張したもの。特願２００５－２０９０７３。）の一部を分割して、平成１８年３月２日、本件出願１をした。また、原告は、同年７月１０日、前記エ(ｲ)ｂ⒝に記載した経緯により、乙４９一覧表を提出したところ、乙５３発明につき、同一覧表の「要点」欄には、「ウエハ内部に改質領域として溶融処理領域と微小空洞を形成する。」と記載されていた。

（以上につき、乙４９）ｃ以上を前提に検討するに、乙５３発明は、本件発明１とは別個の独立した特許発明であるのみならず、本件発明１よりも後に出願されたものであるから、本件発明１の技術的範囲を解釈する際に、乙５３発明の出願経過における原告の主張等を参酌することは相当ではない。そして、本件発明１の出願経過において、乙５３発明についてはウェハ内部に改質領域として微小空洞が形成される旨記載された乙４９一覧表を提出していた事情を踏まえても、原告において、これとは別の発明である本件発明１の「改質領域」につき、上記事情をもって、ボイドが形成されないものに限定する旨主張したと直ちに解することはできない。したがって、被告の主張は、採用することができない。ｄその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。したがって、仮に本件特許１の権利範囲を解釈するに当たって、乙５３発明に係る出願経過を参酌した場合であっても、禁反言の法理により本件発明１の「改質領域」を被告主張のように限定して解釈することはできない。

⑵ 被告製品のレーザ加工処理領域に「溶融」が生じているか。

本件発明１の「改質領域」が「溶融処理領域」を意味することは当事者間に争いがないところ、被告は、被告製品によって形成されたシリコンウェハ内部のレーザ加工領域においては、「溶融」は生じていない旨主張する。

アシリコンの融点について証拠（甲７６、７８、１２７、乙６３）及び弁論の全趣旨によれば、シリコンの融点は、最も高い常圧時において１６８７Ｋであり、圧力が上がると融点が下がること、シリコンは、溶融して固体から液体へと相変化すると、体積が減少するという性質を有すること、以上の各事実が認められる。

イ被告製品により形成されたシリコンウェハの改質領域の温度甲７６文献及び甲３３文献の記載内容甲７６文献は、単結晶シリコンにナノ秒パルスレーザを照射した場合のシリコン内部の温度変化について実施した数値シミュレーションの結果を紹介しているところ、[Fig４⒝]において、改質領域においてシリコンの融点を超えていることが示されている。

また、甲３３文献も、同様【Fig4】に、単結晶シリコンにナノ秒パルスレーザを照射した場合のシリコン内部の温度変化について、単結晶シリコン１００μm、焦点位置６０μm との条件下で実施された数値シミュレーションの結果を紹介しているところ、「Fig.9⒜」及び「Fig.9⒝」においては、深さ５９μm 付近にて急激な熱吸収が始まり、瞬間的に２万Ｋ程度まで温度上昇することや、その後、１００ｎｓまでの間に表面方向に２０００Ｋを超える高温領域が伸びていくことが示されている。被告の主張について被告は、甲７６文献及び甲３３文献の記載内容は正確性を欠くものである旨主張するものの、以下のとおり、同主張は、採用することができない。

ａ被告は、甲７６文献は、シリコン内部が溶融することを仮定したシミュレーションの結果であるから、溶融が生じたという結論が導かれるのは当然であり、甲７６文献に基づき溶融を立証するのは、循環論法である旨主張する。

しかしながら、仮説を立ててその当否を検証するというのは、科学論文においては一般的な手法であるというべきであり、シリコン内部が溶融することを仮定した文献であるからといって、直ちにその証拠価値が低いということはできない。

ｂ被告は、甲７６文献に記載されたシリコンのバンドギャップエネルギーの式には重大な誤りがある旨指摘する。

しかしながら、甲７６文献の共著者である原告従業員のＢは、その陳述書（甲１０１）において、被告の指摘する点については記述上の誤記にすぎず、甲７６文献で実際に行われたシミュレーションにおいては、正確な式を用いている旨説明しているところ、技術常識に照らし、同説明に格別不自然なところは見当たらず、被告の主張は、甲７６文献の信用性を直ちに否定するものとはいえない。

ｃ被告は、甲７６文献の計算モデルは、融点を超えた領域を全て液体として扱っているものであり、シリコンが異常液体であり、溶融により体積が減少することを踏まえていない旨指摘する。

しかしながら、被告の上記指摘は、それ自体、シリコンの内部で融点を超える高温が生じるという結論自体を直ちに左右するものとはいえない。そして、Ｂは、その陳述書（甲１１３）において、甲７６文献は物理現象のモデリングを記述したものであるところ、被告の上記指摘に係る点は、「解析結果に与える影響は小さく、第一モデルとしては考慮不要」と判断した旨説明している。これらの事情を踏まえると、被告の上記指摘は、少なくとも、ナノ秒パルスレーザの照射により、シリコンウェハ内部において、シリコンの融点を超える高温領域が生じるという点については、甲７６文献のシミュレーション結果の正確性を否定することにはならない。

ｄ被告は、甲７６文献は原告の従業員を著者に含んでいる点において、そもそも信用性が低い旨主張するものの、原告の従業員であるＢは共著者の一部にすぎず（甲７６の２）、その他の共著者は本件訴訟と利害関係が存在することまでうかがわれないことからすると、被告の主張は、甲７６文献の信用性を左右する事情ということはできない。

ｅ被告は、シミュレーションと同一条件で行われた実験結果においては、アモルファスが生じることが確認されていないことや、ボイドが２つ形成されていることを指摘して、甲７６文献の信用性を否定する。

しかしながら、甲７６文献により、シリコンウェハの改質領域の温度が融点を超えることが認められるところ、アモルファスが確認されていないことをもって、温度変化の正確性が直ちに損なわれるものということはできない。また、ボイドが２つ形成されている具体的な理由は必ずしも明らかではないものの、むしろ、ボイドが１つ以上形成されていることは、原告の主張する溶融のメカニズムに合致するものといえるから、ボイドが２つ形成されているという事情も、甲７６文献の信用性を左右するものということはできない。

ｆ被告は、甲７６文献及び甲３３文献における数値シミュレーションと被告製品とでは加工条件が異なり、前者のエネルギー密度は後者よりも高いため、甲７６文献及び甲３３文献の計算結果は被告製品の加工について妥当しない旨主張する。そして、具体的な数値としては、被告は、被告製品のエネルギー密度は、甲７６文献の加工条件の２５分の１未満、甲３３文献の加工条件の約８分の１にすぎない旨主張する。

しかしながら、甲７６文献には、レーザの照射によってシリコン内部の温度が最大で何度まで上昇するのかについての記載はないものの、甲３３文献においては、上記において記載したとおり、集光点付近において、シリコンの融点（１６８７Ｋ）を遥かに超える２万Ｋ程度まで温度上昇し、その後、表面方向に２０００Ｋを超える高温領域が伸びていくことが示されている。また、被告の主張する被告製品の加工条件を前提としても、被告製品においては、１パルス当たりのエネルギーは５．０μＪであるところ、この数字は、甲３３文献の４．４５μＪを上回るものであるから、被告の主張する集光点におけるエネルギー密度の違いを前提としても、なお甲７６文献および甲３３文献は、被告製品を用いて加工したシリコンウェハの内部において、シリコンの融点を超える温度上昇が生じることを優に推認させるものといえる。

ｇその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、上記陳述書の内容及び技術常識を踏まえると、被告の主張は、いずれも上記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。融点を超えた場合に溶融が生じるかａ以上のとおり、甲７６文献及び甲３３文献によれば、被告製品によりシリコンウェハ内部に形成された改質領域において、シリコンの融点を超える高温領域が生じることが認められる。そして、融点を超える以上、シリコンは溶融すると推認するのが合理的であるから、シリコンウェハの内部において、レーザ加工により融点を超える温度上昇が生じており、シリコンは溶融すると認めるのが相当である。ｂこれに対し、被告は、甲７６文献及び甲３３文献のシミュレーション結果が信用できないことを根拠として、融点を超えるから直ちに溶融しているということはできない旨主張するものの、上記各文献のシミュレーション結果が信用できることは、上記において説示したとおりである。したがって、被告の主張は、採用することができない。また、被告は、シリコンウェハの内部における温度上昇は、極めて短時間内の現象であり、物質の状態変化が常に平衡状態を経由し続けるわけではないことから、仮に融点を超えていたとしても、直ちに溶融が生じるとは限らない旨主張する。しかしながら、被告の上記主張は、単なる可能性を指摘するにとどまるものであって、シリコンの温度が融点を超えてもなお溶融が生じないことや、融点を超えた場合に固体から液体への相変化を経ずに直ちに気体に昇華することを示した文献や実験結果は、証拠として提出されておらず、被告製品において、そのような現象が実際に生じたことを認めるに足りる証拠もない。したがって、被告の主張は、採用することができない。さらに、被告は、①固体から液体になると体積が減少するというシリコンの性質に照らせば、シリコン内部で溶融が生じた場合、体積が減少する結果、当該減少分の空間が生じるはずであるにもかかわらず、実際には、固体内部は外界と通じていないため、当該空間が生じる余地はない旨や、②シリコン内部で溶融が生じる場合には、液体シリコンと固体シリコンとの界面のみならず、体積減少により生じた空間と液体シリコンとの界面を形成するためのエネルギーも必要となるため、融点に到達した後も溶融が生じない可能性がある旨主張する。しかしながら、被告の上記主張は、いずれも、単なる理論上の可能性を指摘するものにすぎず、実際にシリコン内部で融点を超えているにもかかわらず、被告の主張するメカニズムによって溶融しない現象が発生することを裏付ける証拠はない。したがって、被告の主張は、いずれも採用することができない。

ｃなお、この点に関し、被告が自ら主張する「溶融によらないメカニズム」の根拠として提出する乙４１文献には、「瞬間的に２００００Ｋ程度まで温度上昇する．瞬時に１００００Ｋを超えるような領域は一気に気化し、ボイドが形成されると推定される．」という記載が存在するところ、この記載のみからすれば、シリコンは溶融することなく、固相から気相へと変化するように一応読むこともできる。しかしながら、乙４１文献には、乙４１文献の著者であるＤ教授が共著者となっている甲８２文献及び甲８３文献が参考文献として挙げられているところ、これらの文献には、同様に、「瞬間的に１００００Ｋを超えるような領域は一気に気化し、ボイドが形成されると推定される」旨の記載があるものの、他方、別の箇所においては、「冷却過程で溶融が進行し、さらに温度が低下すると凝固、多結晶化が起こる」（甲８２）、「加熱中は強い圧縮応力のために抑制されていた溶融が冷却過程で進行し、さらなる温度低下に伴って再凝固して多結晶化すると予想される。」（甲８３）旨の記載が存在する。そうすると、乙４１文献における「一気に気化する」との記載も、シリコンが液相を経ることなく、固相から気相へと直接変化することを表したものではなく、温度変化が急激であるため、ごく短時間のうちに固相から液相を経て気相へと相変化する趣旨を表現したものと解するのが相当である。したがって、この点についても、上記判断を左右するものとはいえない。

ウナノ秒レーザ証拠（甲８０、８１、９５）及び弁論の全趣旨によれば、被告製品は、パルス幅がナノ秒（１０－９秒）単位のナノ秒レーザを用いており、ナノ秒レーザは、パルス幅がフェムト秒（１０－１５秒）単位のフェムト秒レーザに比べて熱的加工に特徴があることが認められる。

エレーザ加工領域の割断後断面写真（ＦＥ－ＳＥＭ）について証拠（甲３１〔６頁〕写真④）及び弁論の全趣旨によれば、被告製品によって形成されたシリコン内部のレーザ加工領域をＳＥＭで観察したところ、ボイドが存在することや、ボイド上方領域にレーザ加工領域ではない部分とは異なる像が確認されたことが認められる。これに対し、原告は、さらに、被告製品によるレーザ加工領域の写真（甲３１〔６頁〕写真④）により、ボイド上方領域に液体の噴出痕が確認できる旨主張するが、同写真によっても、液体の噴出痕が存在するとまでは直ちに認めることはできない。したがって、原告の主張は、採用することができない。

オラマン分析についてラマン分析の意義物質に光を照射すると散乱光が発生するところ、その大半は、照射光と同一の波長の散乱光（レイリー散乱光）であるが、僅かに波長の異なる散乱光も含まれており、これをラマン散乱光という。そして、レイリー散乱光とラマン散乱光との間にはエネルギー差が存在するところ、これは、物質内の原子間振動のエネルギーに対応している。そのため、散乱光を分光したスペクトル（ラマンスペクトル）には、物質内の化学結合情報が反映される。このように、ラマン散乱光を分析することで、物質内の分子構造や結晶構造を把握することができるところ（ラマン分析）、本件においては、シリコン内部の多結晶又はアモルファスの有無を確認する方法として用いることができる。（甲９２、９３、１２７）原告によるラマン分析の結果証拠（甲５１）及び弁論の全趣旨によれば、原告は、被告製品によるレーザ加工領域につき、自らラマン分析（原告によるラマン分析）を行ったことが認められる。

そして、原告によるラマン分析は、２種類の加工サンプル（０．５Ｗ及び１．２Ｗ）につき実施され、そのいずれについても、改質領域及び非改質領域のそれぞれに２箇所ずつ、ラマンスペクトルの測定及びその形状の比較が行われた。

その結果、１．２Ｗの加工サンプルについては、改質領域においては、非改質領域と比較して、①ピークの半値全幅（ＦＷＨＭ）が広くなっていることが確認され、結晶性が低下していることがうかがわれるほか、②低波数側に、ピークの裾野が広がった状態の「テール」が確認されることから、多結晶シリコンが存在するという分析結果が示された。また、０．５Ｗの加工サンプルについては、改質領域においては、３００ｃｍ－１付近に幅広のピークが確認されており、アモルファスシリコンの存在が示唆される箇所も存在するという分析結果が示された。（以上につき、甲５１）東レリサーチセンターによるラマン分析の結果証拠（甲５５）及び弁論の全趣旨によれば、原告は、被告製品によるレーザ加工領域につき、第三者機関である東レリサーチセンターに依頼してラマン分析（東レによるラマン分析）を行ったことが認められる。

そして、東レによるラマン分析（甲５５）は、レーザ加工痕周辺の１０μm×１２μm の領域において、全５２５か所の測定を行うものであり、いずれの測定場所においても、単結晶Ｓｉラマン線が観測されたものの、①アモルファスＳｉに由来するＴＡフォノン線の強度分布によれば、一部の場所において、強度が高い箇所が存在し（甲５５〔１０頁〕の中央の図（Fig.3-1⒝）のうち、明るい色で示されている部分）、②当該箇所のうち３点（ＰｏｉｎｔＡ、Ｂ及びＣ）につき、波数１００ｃｍ－１と２００ｃｍ－１の間において、ＴＡフォノン線のピークが観察されることから（Fig.3-2⒝）、アモルファスシリコンが存在していると考えられるという分析結果が示された。

また、東レによるラマン分析(甲５５)においては、粒径の小さい多結晶Ｓｉでは、一般的にラマン線のピーク位置は低波数側にシフトすること、試料に応力が生じると、原子間の結合距離・結合力が変化する結果、ラマン線のピークシフトが生じること、本件においては、応力によるピークシフトと多結晶Ｓｉの存在によるピークシフトが重畳している可能性があり、それぞれの影響によるピークシフトを詳細に区別することが困難であること、以上の事実も示されている。分析結果の評価ａ前記及びの認定事実によれば、被告製品によりシリコン内部に形成されたレーザ加工領域においては、主としてシリコンの単結晶構造が維持されているものの、一部において、アモルファスが存在することが認められる。

ｂこれに対し、被告は、原告によるラマン分析の結果と東レリサーチセンターによるラマン分析の結果が相互に矛盾する旨主張する。

しかしながら、東レによるラマン分析の結果は、上記のとおり、波数１００ｃｍ－１と２００ｃｍ－１の間において、アモルファスが確認されるというものであるが、この波数域については、原告によるラマン分析において、そもそも対象となっていないものであるから、これをもって、結果が相互に矛盾するということはできない。他方、原告によるラマン分析の結果によれば、３００ｃｍ－１付近に幅広のピークが確認されており、アモルファスＳｉに由来するＬＡフォノン線を示しているところ、これは、東レによるラマン分析において、波数３００ｃｍ－１においてもラマンスペクトルのピークが観察されている（甲５５〔１１頁〕）ことにも沿うものであるといえる。

したがって、被告の主張は、採用することができない。

ｃ被告は、東レによるラマン分析（甲５５）においては、多結晶の存在を示す観測結果は示されていない旨主張する。

しかしながら、上記のとおり、東レによるラマン分析においては、ピークシフトが存在することを前提に、応力によるピークシフトと多結晶Ｓｉの存在によるピークシフトの区別が困難であることが指摘されているにすぎないことからすれば、ピークシフトが多結晶Ｓｉに起因する可能性も排除されないのであって、東レによるラマン分析（甲５５）の結果によっても、直ちに多結晶が存在しないということはできない。上記において説示したとおり、少なくとも、東レによるラマン分析によっても、アモルファスが生じていることは認められる以上、多結晶の存在が示されていないという被告の主張は、いずれにせよ、上記判断を左右するものではない。その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。

カ電子線後方散乱解析（ＥＢＳＤ）の結果について証拠（甲８６、８７、乙４６）及び弁論の全趣旨によれば、ＥＢＳＤとは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して、試料の正面の結晶方位をサブミクロンのスケールでマッピングする検査方法であり、異なる結晶方位は異なる色で表示されるものであることが認められる。そして、被告は、第三者に依頼し、被告製品によりシリコンウェハに形成された加工領域につき、ＥＢＳＤを行ったところ、その結果は、右の【ＩＰＦマップ】のとおりであり、緑色が略全域を占めている 【ＩＰＦマップ】ものの、ボイド上方領域の周辺部分には、やや色の薄くなった部分（黄緑色ないし白）が存在するほか、全域にわたって、黒色の部分も存在することが認められる（乙４６の２）。

そして、証拠（甲９６ないし１００）によれば、ＥＢＳＤにおいては、①試料表面に凹凸がある場合、凹凸の部分が影になるために信号が得られないことがあること、その場合、ＩＰＦマップ上では黒く表示されること、②他方で、結晶構造を持たないために結晶方位のデータを取得できない非晶質の箇所もＩＰＦマップ上では黒く表示されること、③そして、ＩＰＦマップ上で黒く表示されている部分が、上記①の影響によるものなのか、上記②の影響によるものなのか、あるいは、その両方の影響によるものなのかについては、明確に区別することができないことが認められる。

上記認定事実によれば、本件におけるＥＢＳＤの結果によっても、被告製品によって形成されたボイド上方領域が全て単結晶を維持しているということはできず、これをもって、同領域において多結晶及びアモルファスの存在を否定することはできないというべきである。

キ電子線回折の観察結果について証拠（乙４６の１）及び弁論の全趣旨によれば、被告は、被告製品によって形成されたレーザ加工領域につき、ボイドとボイド上方領域の双方において水平方向に切断した断面を指定領域とした上、それぞれの指定領域につき３箇所を電子線回折（ＴＥＭ／ＥＤ）により観察したこと、その結果は、下記の【⒜】ないし【⒟】のとおりであり、ボイド上方領域については、結晶性が保たれた（単結晶）像が確認されたものの（⒞）、ボイドについては、ややぼんやりとした回折像が確認されたことが認められる（⒜及び⒝）。20⒜ ⒝5⒞⒟上記認定事実によれば、ボイド上方領域においても、観察点においては単結晶構造が保たれていることがうかがわれるものの、それ以外の箇所において多結晶及びアモルファスが存在する可能性を排除するものではなく、むしろ、ボイドにおいては、結晶構造が変化している可能性があることが認められる。

そうすると、電子線回折の観察結果（乙４６の１）をもって、被告製品によって形成された加工領域につき、多結晶及びアモルファスの存在を否定することはできないというべきである。

ク結論以上の認定事実によれば、被告製品は熱的加工を特徴とするナノ秒レーザを用いたものであるところ、数値シミュレーションの結果（甲３３、７６）によれば、加工領域においてはシリコンの融点を超えており、当該部分においては、シリコンが溶融しているものと考えるのが合理的であること、他方で、被告製品によって形成された加工領域において、融点を超えてもシリコンの溶融が生じないことをうかがわせる特段の事情は見当たらないこと、被告製品によって形成されたレーザ加工領域において、ＳＥＭによりボイドの存在を確認することができること、ラマン分析によっても、ボイド上方領域において、単結晶とは異なるアモルファスが存在するとの分析結果が示されていること、以上の各事実が認められる。

そして、被告の指摘する実験結果（ＥＢＳＤや電子線回折）によっても、被告製品によって形成される加工領域において、多結晶及びアモルファスの存在が否定されるものではないことは、上記において説示したとおりである。

これらの事情の下においては、被告製品によって形成される加工領域においては、ボイド及びボイド上方領域付近で、シリコンの溶融と再固化が生じているものと認めるのが相当である。

ケ被告の主張について単結晶の存在（エピタキシャル成長）についてａ被告は、ボイド及びボイド上方領域に単結晶が存在することを根拠として、溶融は生じていない旨主張する。

しかしながら、証拠（甲８８、８９）及び弁論の全趣旨によれば、シリコンは、単結晶と接する領域が一旦溶融した後に再凝固する際、隣接する単結晶から、同じ構造の単結晶として凝固すること（エピタキシャル成長）が認められる。

そうすると、被告製品によってシリコンウェハに形成された加工領域（ボイド及びボイド上方領域）において、シリコンが一旦溶融した後に再凝固する場面において、エピタキシャル成長により、単結晶が形成される可能性が十分に存在するということができる。

したがって、ボイド及びボイド上方領域に単結晶が存在するという事実も、被告製品によって形成された加工領域において溶融が生じていることを否定するものとはいえない。

ｂ被告は、被告製品によりシリコン内部に形成された加工領域においてはエピタキシャル成長が生じない旨主張するが、被告の同主張は、以下のとおり、いずれも採用することができない。

⒜ 被告は、シリコンウェハ内部の短時間のレーザ加工によりエピタキシャル成長が生じることを裏付ける文献等は存在しない旨主張する。しかしながら、Ｐら共著による論文「パワー半導体ＩＧＢＴの深い活性化のためのトップフラットビーム・ハイブリッドレーザアニール装置の開発」（甲８９）には、シリコンウェハの表面にレーザを照射した場合に、表層から０．５μm 深さ程度のシリコンが溶融した後、レーザパルスからの熱供給が途絶えると急冷却により溶融部の温度が低下し、溶融部下層の固体の単結晶シリコンからエピタキシャル成長することで、良質なシリコン単結晶が再結晶した旨の記載が存在する。また、甲４８文献にも、シリコン内部におけるレーザによる溶融と再凝固のプロセスにおいて、エピタキシャル成長が生じる旨記載されている。これらの記載は、被告製品によるシリコン内部の加工領域において、エピタキシャル成長により単結晶が生じるという機序に沿うものといえる。

⒝ 被告は、株式会社日産アークの分析結果報告書（乙８９、９１、１１８）によれば、被告製品によるシリコンの加工領域においては、割れの近傍では僅かに結晶方位のずれが観察されるところ、一旦溶融しエピタキシャル成長するような場合には、固相と結晶方位が同一となるように結晶化していくため、そのような方位のずれが見られないはずである旨主張する。

しかしながら、上記報告書は、エピタキシャル成長につき、チョクラルスキー法に代表されるような、非常に緩やかな温度勾配や冷却速度に基づき、長時間をかけて再凝固する方法を前提とするものであることが認められるところ（乙８９、９１、１１８）、被告製品によるシリコンウェハの加工領域においては、上記において説示したとおり、短時間のうちに急激な温度上昇及び冷却のプロセスを経るものであるから、被告製品によるシリコンの加工は、上記報告書とは条件を異にするものである。そうすると、上記報告書の記載内容も、被告製品によりシリコン内部に形成された加工領域においてエピタキシャル成長が生じる可能性を否定するものとはいえない。

⒞ 被告は、甲４８文献につき、①波長約１５５０ｎｍ、パルス幅３．５ｎｓという条件下でエピタキシャル成長が生じたというものであるところ、当該パルス幅は被告製品による加工の場合の約９０分の１であり、エネルギー密度が９０倍以上となるため、被告製品による加工とは、加工条件が異なること、②エピタキシャル成長が生じたとされる加工痕は、被告製品により形成された加工領域とは全く異なる旨を指摘し、被告製品による加工領域においてエピタキシャル成長は生じていない旨主張する。

しかしながら、甲４８文献は、そもそも、所定の条件下でシリコンにレーザを照射した場合に、溶融したシリコンが凝固する際に単結晶化することを明らかにしたものにすぎず、被告製品による加工領域において溶融したシリコンが凝固する際に単結晶化することを直接実証したものではない。そして、甲４８文献は、当該所定の条件下以外でレーザ光を照射した場合に再結晶しないことを結論付けたものではないから、甲４８文献の加工条件やレーザ痕が被告製品による加工条件や加工領域の状態と異なるという事情も、被告製品による加工領域においてエピタキシャル成長が生じることを否定するものではない。

⒟ 被告は、本来、エピタキシャル成長した場合に転位は生じないにもかかわらず、原告自身、被告製品によるレーザ加工領域において転位が生じていることを認めている旨主張する。しかしながら、証拠（乙８９、９１、１１８）及び弁論の全趣旨によれば、エピタキシャル成長において転位が生じないのは、チョクラルスキー法のように、非常に緩やかな温度勾配や冷却速度に基づき、長時間をかけて再凝固する方法を採用した場合であると認められるところ、被告製品によるレーザ加工は、短時間のうちに急激な温度上昇と下降を生じさせるものであるから、そもそも前提条件を異にするものであることは、上記において説示したとおりである。そうすると、被告製品によるシリコンの加工領域において転位が生じているという事情も、同加工領域におけるエピタキシャル成長の発生を否定するものとはいえない。⒠ その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記に掲げた文献等の内容に照らし、いずれも前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。溶融によらないメカニズムについてａ被告は、以下のメカニズムに依拠した上で、被告製品による加工プロセスにおいて溶融は生じていない旨主張するため、以下において検討する。
① 集光点付近でレーザ光吸収（単光子吸収で足りる。）が生じる。

② レーザ光により、局所的に高密度のエネルギーを与えられたマイクロ爆発が生じ、ボイドが形成される。

③ 熱衝撃波がレーザ照射面に向けて伝播する。

④ 熱衝撃波の先端で非常に高い圧縮応力が生じ、高転位密度層が形成される。

⑤ 先行するレーザパルスで形成された高転移密度層を、次のレーザパルスで形成された熱衝撃波が通過する際、高転位密度層内の転位が核となって亀裂が生じる。

ｂ乙４１文献の記載内容上記メカニズムは、基本的には乙４１文献に記載されたものと同様であるところ、証拠（乙４１）及び弁論の全趣旨によれば、乙４１文献の著者は、甲３３文献の共著者であるＤ教授であること、乙４１文献には、甲３３文献の「Fig.9⒜」と同様の「Fig.2」が掲載されていること、また、急激な熱吸収が始まり、瞬間的に２００００Ｋ程度まで温度上昇する旨の記載が存在すること、以上の各事実が認められる。

上記認定事実によれば、乙４１文献も、甲３３文献と同様に、シリコン内部で融点を超える温度に達する領域が存在することを否定するものではないものと認められる。

また、乙４１文献には、「瞬間的に２００００Ｋ程度まで温度上昇する．瞬時に１００００Ｋを超えるような領域は一気に気化し、ボイドが形成されると推定される」という記載が存在するものの、この記載は、シリコンが液相を経ることなく、固相から気相へと直接変化することを表したものではなく、温度変化が急激であるため、ごく短時間のうちに固相から液相を経て気相へと相変化することを表現したものと解されることは、前記イｃにおいて既に説示したとおりである。

これに対し、被告は、溶融によらないメカニズムとして、乙６１等に基づき②のプロセスを掲げているところ、②にいう「マイクロ爆発」は、証拠（乙６１）、技術説明会における口頭議論の結果及び弁論の全趣旨によれば、ナノ秒レーザーによる熱的加工ではなく、フェムト秒レーザーによる非熱加工によるものであることが認められることからすると、被告の上記メカニズムは、ナノ秒レーザーによる熱的加工とフェムト秒レーザーによる非熱加工という、いわば異なる現象を組み合わせたものといえるから、技術常識に照らし、それ自体、独自の見解をいうものである。

ｃ以上によれば、乙４１文献には、被告が主張するような溶融によらないメカニズムが記載されているとはいえず、被告主張に係る溶融によらないメカニズムは、それ自体当を得ないものである。その他に、被告製品による加工領域において溶融によらないメカニズムが生じていることを認めるに足りる証拠は存在しない。

したがって、被告の主張は、採用することができない。

ｄこれに対し、被告は、被告社内実験の結果（乙８５）によれば、①ボイドが形成されなくても、ボイド上方領域が形成されることや、②ボイドがウェハ下端近傍に形成されてもボイド上方領域が形成されることが明らかとなったところ、この結果は、原告の主張する溶融によるメカニズムに合致せず、被告の主張する溶融によらないメカニズムに合致する旨主張する。しかしながら、原告主張に係るメカニズムでは、溶融が生じた場合に必ずボイドが生じるというものではなく、ボイドが形成されていない場合でも溶融が生じたことを否定するものではないから、被告社内実験の上記①及び②の結果は、原告主張に係るメカニズムと直ちに矛盾するものとはいえない。他方、被告主張に係るメカニズムでは、マイクロ爆発によりボイドが形成されるところ、ボイドが形成されない場合に、熱衝撃波の発生及びボイド上方領域の形成に関する機序が不明となるため、上記①の結果を説明することができず、また、被告主張に係るメカニズムでは、技術常識を踏まえると、マイクロ爆発の熱衝撃波がウェハ下端から抜けてしまうことになるから、上記②の結果についても、説明することができない。そうすると、被告の主張は、上記判断を左右するに至らない。したがって、被告の主張は、採用することができない。ｅその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記説示に照らし、いずれも前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。

⑶ 被告製品が「改質領域」（構成要件Ａ、Ｄ）を形成しているか

ア「溶融処理領域」該当性上記において説示したとおり、被告製品によりシリコン内部に形成されたレーザ加工領域においては、ボイド及びボイド上方領域付近で、シリコンの溶融と再固化が生じることが認められる。

そうすると、被告製品によってシリコン内部に形成されたレーザ加工領域は、シリコンが「一旦溶融後再固化した領域」に該当するものと認められるから、「溶融処理領域」に当たるといえる。これに対し、被告は、被告製品による加工領域のうち、ボイド上方領域においては、単結晶が広く見られ、アモルファスが生じている部分はごく限定的であることからすれば、「溶融処理領域」には当たらないと解すべきである旨主張する。

しかしながら、仮に、被告が主張するように、ボイド上方領域において、アモルファスが生じている部分が限定的であるとしても、アモルファスが生じている以上、上記にいう溶融後再固化が生じていることには変わりがない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

イ多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されないこと弁論の全趣旨によれば、被告製品によりシリコン内部に形成される溶融処理領域は、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものではないことが認められるものの、本件発明１の「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）は、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されないことは、上記において説示したとおりである。したがって、被告製品によりシリコン内部に形成される溶融処理領域が、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものではなかったとしても、そのことは、「改質領域」該当性を左右するものではない。

ウボイドが形成されないものに限定されないこと前記において認定したとおり、被告製品によりシリコン内部に形成されたレーザ加工領域においては、ボイドが形成されるものの、本件発明１の「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）はボイドが形成されるものに限られないことは、上記において説示したとおりである。

したがって、被告製品によりシリコン内部に形成されたレーザ加工領域においてボイドが形成されることは、「改質領域」該当性を左右するものではない。

エその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、上記において繰り返し説示したところに照らし、被告の主張は、いずれも前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。

オ小括以上によれば、被告製品は「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）を形成するものと認められる。

３争点１－２（被告製品は「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成するものといえるか）前記認定によれば、被告製品においては、ボイド及びボイド上方領域において改質領域が形成されるものと認められるところ、被告は、ボイド上方領域は、レーザの焦点よりも上方に位置するため、レーザ光の「集光点の位置」（構成要件Ｄ）においては改質領域が形成されない旨主張する。

⑴ 「集光点の位置で」の意義

ア特許請求の範囲の記載構成要件Ｄは、「レーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズ」と規定しているところ、既に説示したところに照らせば、「改質領域」とは、一定の広がりを持った領域であることが認められる。

そうすると、上記にいう「改質領域」が形成される「集光点の位置」とは、「改質領域」が文字通り一定の領域を有する以上、必然的にレーザ光の集光点に限定されるものではなく、集光点を含む一定の「領域」を意味するものと解するのが自然である。

イ本件明細書等１の記載本件明細書等１には、「集光点」につき、「集光点とはレーザ光が集光した箇所のこと」(段落【０００７】)、「パルス波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光点のピークパワー密度（Ｗ／ｃｍ２）で決まり・・ピークパワー密度は、（集光点におけるレーザ光の１パルス当たりのエネルギー）÷（レーザ光のビームスポット断面積×パルス幅）により求められる。」(段落【００１４】)、「本実施形態に係るレーザ加工は、多光子吸収が生じる条件で加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを加工対象物１に照射して改質領域７を形成する。なお、集光点とはレーザ光Ｌが集光した箇所のことである。」（段落【００１６】）、「シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることを実験により確認した。実験条件は次ぎの通りである。・・レーザ光スポット断面積：３．１４×１０－８ｃｍ２」(段落【００２８】、【００２９】)という記載があることが認められる。上記認定事実によれば、本件明細書等１においては、「集光点」は、「レーザ光が集光した箇所」と定義されているところ、レーザー光のビームスポットも一定の断面積を持つものであることが認められる。そして、上記のとおり、「集光点の位置で」形成される「改質領域」も一定の広がりを持つものであるところ、本件明細書等１には、「溶融処理領域の厚さ方向の大きさは１００μm 程度である。」と記載されており、前記のとおりレーザ光のビームスポット断面積の集光半径が１μm 程度であることに照らせば、「改質領域」は「集光点」よりも、かなり広い領域に及ぶものであるといえる。

ウ上記特許請求の範囲及び本件明細書等１の各記載によれば、「集光点の位置で」とは、改質領域が形成される位置を限定するものではなく、当該改質領域が「集光点の位置」よりも広い範囲に及ぶ場合であっても、「集光点の位置で」レーザ光が照射され、改質領域が形成される限り、これを充足するものと解するのが相当である。

⑵ 被告製品の改質領域はレーザ光の「集光点の位置」で形成されるといえるか。

証拠（甲３１）及び弁論の趣旨によれば、甲３１の５頁目のスライドに記載された写真は、被告製品によりシリコン内部に形成されたレーザ加工領域の割断後断面写真であることが認められるところ、同写真では、「狭義の集光点：「１．初期吸収」による加工の開始点」と記載された箇所から数μm 上方に、全長１０μmに満たないボイドが形成され、そのボイドのさらに数μm上方に、全長１０μm から２０μm 程度のボイド上方領域が形成されていることが認められる。

そうすると、被告製品のレーザ光の照射により、その上方に広い範囲でボイド及びボイド上方領域が形成されたものと認められることからすると、「集光点の位置で」レーザ光が照射され、改質領域が形成されたといえるから、被告製品における改質領域の形成は、「集光点の位置で」の文言を充足するものといえる。その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記特許請求の範囲及び本件明細書等１の各記載に照らし、いずれも前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。

したがって、被告製品は、レーザ光の「集光点の位置で」（構成要件Ｄ）改質領域を形成するものと認められる。

４争点１－３（被告製品のレーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものといえるか）

⑴ 被告製品（非除去）についてシリコンウェハの分割方法について、被告製品には、①シリコンウェハをチップに分割する前にレーザ加工領域を除去するもの（被告製品（除去））と、②除去しないもの（以下「被告製品（非除去）」という。）の２種類が存在するところ、弁論の全趣旨によれば、被告製品（非除去）について、レーザ加工領域が「切断の起点」となることは、被告も、格別争っていないものと解される。

そうすると、被告製品（非除去）のレーザ加工領域は、「切断の起点」（構成要件Ａ）となるものと認められる。

⑵ 被告製品（除去）について

アこれに対し、被告は、被告製品（除去）については、シリコンウェハをチップに分割する時点では、既にレーザ加工領域（ボイド及びボイド上方領域）は存在せず、その切断は、ボイドの下に生じる下亀裂を起点として行われるのであるから、レーザ加工領域は「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものではない旨主張するため、以下検討する。

イ「切断の起点」の意義本件発明１の構成要件Ａは、「ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置」と記載されているところ、この記載は、切断の時点で改質領域が存在していることを文言上限定するものではない。そして、本件明細書等１には、「なお、シリコンウェハは、溶融処理領域を起点として断面方向に向かって割れを発生させ、その割れがシリコンウェハの表面と裏面に到達することにより、結果的に切断される」(段落【００３３】)という記載があることが認められる。そうすると、改質領域が「切断の起点となる」というのは、改質領域を起点として生じた「割れ」により、結果的にシリコンウェハが切断される場合を含むものと解するのが相当である。

ウ被告製品（除去）のレーザ加工領域が「切断の起点となる」ものか被告の主張を前提としても、ボイドの下に存在する下亀裂は、被告製品によるレーザ加工により生じた改質領域を起点として生じたものであるところ、被告製品（除去）は、改質領域を起点として生じた下亀裂が裏面に到達することにより、結果的にシリコンウェハが切断されるものであるということができる。そうすると、被告製品（除去）においても、改質領域を起点として生じた「割れ」により、結果的にシリコンウェハが切断されるのであるから、改質領域が「切断の起点となる」ものと認められる。これに対し、被告は、切断の機序につき、「改質領域からの割れの発生」と「切断」という２つのプロセスを区別した上で、「切断」（構成要件Ａ）に該当するのは後者に限られる旨主張する。しかしながら、前記のとおり、本件明細書等１には、「溶融処理領域を起点として断面に向かって割れを発生させ、その割れがシリコンウェハの表面と裏面に到達することにより、結果的に切断される。シリコンウェハの表面と裏面に到達するこの割れは自然に成長する場合もあるし、加工対象物に力が印加されることにより成長する場合もある。」(段落【００３３】)と記載されていることからすれば、構成要件Ａにいう「切断」とは、本件明細書等１の記載に照らし、割れの発生及び当該割れが加工対象物の表面ないし裏面に到達するという一連の過程をいうものと解するのが相当である。したがって、被告の主張は、採用することができない。

⑶ 小括以上によれば、被告製品により形成された改質領域は、シリコンウェハをチップに分割する前にこれが除去されるか否かにかかわらず、いずれも「切断の起点となる」（構成要件Ａ）ものと認められる。その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、上記特許請求の範囲及び本件明細書等１の各記載に照らし、被告の主張は、前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。

５争点１－４（被告製品は「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものといえるか）

⑴ 「集光用レンズを移動させ・・る」の意義について

ア特許請求の範囲の記載本件発明１の構成要件Ｅは、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように・・、第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」と規定しており、集光点が加工対象物の内部に位置するように集光点の移動を制御するに当たって、集光用レンズのみを移動させることが文言上規定されるものではない。

イ本件明細書等１の記載本件明細書等１には、「レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って・・相対的に移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これにより、・・改質領域７が切断予定予定ライン５に沿って加工対象物１の内部にのみ形成される。」(段落【００１７】)、「Ｚ軸ステージ１１３をＺ軸方向に移動させることにより、加工対象物１の内部にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせることができる。つまり、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１の厚み方向における集光点Ｐの位置が調節される。・・なお、集光用レンズ１０５をＺ軸方向に移動させることによっても、これらの調節やレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせることができる。」(段落【００４６】)という記載があることが認められる。

上記の本件明細書等１の記載によれば、集光点をＺ軸方向に移動するに当たっては、集光用レンズを移動させる方法と、載置台（Ｚ軸ステージ１１３）を移動させる方法の２つの方法があるとされており、これを前者に限る趣旨の記載を認めることはできない。

ウそうすると、「集光用レンズを移動させ・・る」（構成要件Ｅ）とは、集光点が加工対象物内の特定の場所に位置するように、集光用レンズ又は載置台の位置を移動させることにより、集光点を加工対象物との関係で相対的に移動させることを意味するものであり、加工対象物の位置を固定した上で、集光用レンズのみを移動させることに限定されるものではないと解するのが相当である。

⑵ 被告製品が「集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」といえるか。

ア前記前提事実のとおり、被告製品は、①レーザ加工エンジンユニットをＺ軸方向に動かす駆動機構を備えており、複数回のレーザ加工走査による複数段のレーザ加工領域の形成（複数段レーザ加工走査）をする場合における各レーザ加工領域の深さへの加工用レーザ光の集光点の移動は、レーザ加工エンジンユニットをＺ軸方向に動かすことによりなされること（構成⑪）、②加工用レーザ光の集光点がシリコンウェハの主面に合うようにレーザ加工エンジンユニットの高さを調整した上、更にレーザ加工エンジンユニットを所定の移動量だけシリコンウェハの主面に近付ける（Ｚ軸方向に移動させる）ことにより、加工用レンズの集光点をシリコンウェハ内部の所定の深さに合わせる（ハイト調整）する機能を有すること（構成⑬）が認められる。上記認定事実によれば、被告製品は、レーザ加工エンジンユニット全体をＺ軸方向に移動させることにより、レーザ光の集光点がシリコンウェハの内部に位置するように、集光点を加工対象物との関係で相対的に移動させる機能を有しているということができる。そうすると、被告製品は、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように・・、第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させる・・機能を有する（構成要件Ｅ）ものと認められる。

イこれに対し、被告は、「集光用レンズを移動させ」るというのは、集光用レンズのみを移動させることを意味するという前提に立ち、被告製品では、厚さ方向（Ｚ軸方向）に移動するに当たって、対物レンズを含むレーザ加工エンジン全体が移動するから、「集光用レンズを移動させ」るという要件を満たさない旨主張する。

しかしながら、構成要件Ｅにいう「集光用レンズを移動させ」るというのが、集光用レンズのみを移動させる機能を有するものには限定されないことは、前記⑴において説示したとおりであり、被告の主張は、前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。

６争点１－５（被告製品は「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）といえるか）

⑴ 被告製品の構成前記前提事実によれば、被告製品は、次に掲げる構成を有することが認められる。
① シリコンウェハのＸＹ平面上の所定の点（例えば、中心）で加工用レーザ光の集光点がシリコンウェハの主面に合うようにレーザ加工エンジンユニットの高さを調整（ハイト調整基準位置に調整）した上、更にレーザ加工エンジンユニットを所定の移動量だけシリコンウェハの主面に近づける（Ｚ軸方向に移動させる）ことにより、加工用レンズの集光点をシリコンウェハ内部の所定の深さに合わせる（ハイト調整）機能を有し、また、対物レンズの走査中、レーザ加工エンジンユニットは、ハイト調整された高さに固定される構成（構成⑬）② レーザ加工エンジンユニットをハイト調整基準位置から第１移動量だけシリコンウェハの主面に近付いた位置にハイト調整をしてＡＦ追従レーザ加工（第１段ＡＦ追従レーザ加工）をした後、同一の切断予定ラインにおいて、レーザ加工エンジンユニットを、第１段ＡＦ追従レーザ加工を行った位置を基準として第２移動量だけシリコンウェハの主面に近付いた位置にハイト調整をして、予め記憶された切断予定ラインに沿ったシリコンウェハの主面の変位に基づいて、再びＡＦ追従レーザ加工（第２段ＡＦ追従レーザ加工）をするという構成（構成⑲）

⑵ 被告製品の構成要件充足性前記認定事実によれば、被告製品は、まず、第１段目のレーザ加工をする際には、シリコンウェハの主面を基準として、シリコンウェハの厚さ方向に第１移動量だけ、レーザ加工エンジンユニットを移動させ、次に、第２段目のレーザ加工をする際には、当該第１段目のレーザ加工をした位置を基準として、シリコンウェハの厚さ方向に更に第２移動量だけ、レーザ加工エンジンユニットを移動させるものであると認められる。

そして、第２移動量の移動は、直接的には、第１段目のレーザ加工をした位置を基準とするものであるが、当該第１段目のレーザ加工をした位置自体は、シリコンウェハの主面を基準として決定されているのであるから、第２移動量の移動も、結果的には、シリコンウェハの主面を基準として決定されているものといえる。そうすると、被告製品は「前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ・・る機能を有する」（構成要件Ｅ）ものと認められる。

⑶ 被告の主張について

アこれに対し、被告は、加工対象物の高さは面内の場所によって異なることからすれば、第１移動量の移動を行って１段目の深さを決定する時点と、第２移動量の移動を行って２段目の深さを決定する時点では、集光用レンズの場所が異なるため、レーザ入射光面は、１段目と２段目に共通して用いることのできる根本的基準にはなり得ない旨主張する。

しかしながら、被告製品も、変位取得過程において、主面の高さに応じた変位を取得しており、当該取得した変位に基づき１段目の加工を行っているのであって、「加工用レーザ光の集光点は、シリコンウェハの主面にうねり（凹凸）があっても、常に、シリコンウェハの主面から一定の深さに位置するように制御される」（構成⑭）のであるから、加工対象物の高さが面内の場所によって異なることを前提としても、１段目の加工を開始する時点（第１移動量の移動を行った時点）と、１段目の加工が終了した時点（第２移動量の移動を行う時点）とで、集光用レンズのシリコンウェハの主面からの距離は変わらないはずであり、被告の主張は、前提を欠く。

したがって、被告の主張は、採用することができない。

イその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、被告製品の前記構成に照らし、いずれも前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。

７争点１－６（被告製品は「制御部」（構成要件Ｅ）を備えるものといえるか）

⑴ 被告製品は、構成⑬及び⑲を備えるところ、これにより、被告製品が構成要件Ｅに規定された機能を有することは、前記争点１－４及び１－５において既に説示したとおりである。

そして、前記前提事実によれば、被告製品は、「カッティングテーブルをＸ軸方向に動かす駆動機構、レーザ加工エンジンユニットをＺ軸方向に動かす駆動機構、及びピエゾアクチュエータは、それぞれ、被告製品１（固定）のコンピュータシステムにより制御される。」という構成（構成⑫）を有することが認められるから、被告製品は、構成要件Ｅに規定された機能を有する「制御部」（構成要件Ｅ）を備えるものと認められる。

⑵ これに対し、被告は、被告製品の制御部が機能するためには、エンジニアが数日間作業をして、アプリケーション及びシステムを作成・調整する必要があるところ、そのような作成・調整は海外で行われる以上、被告製品が日本国内に存在する限り、「制御部」（構成要件Ｅ）は備わっていない旨主張する。

しかしながら、被告製品に限らず、一般に、精密機械を稼働させるに当たって、個々のエンドユーザのニーズに沿ったパラメータの調整等の作業を要する場合は数多く存在するものと認められ、弁論の全趣旨によれば、被告製品についても、パラメータを調整等することによって所望の加工を実現できる完成品となるものと推認するのが相当である。仮に、被告がこれを超えて、パラメータを調整等することによっても上記完成品に至らない旨主張していると解したとしても、証拠及び弁論の全趣旨を踏まえても、上記主張を認めるに足りる証拠はない。そうすると、上記被告製品は、パラメータの調整等を要する上記完成品の限度で譲渡、輸出等されるものであれば、上記にいう取引の実情に照らしても、「制御部」を備えるものと認めるのが相当である。したがって、被告の主張は、採用することができない。

８本件発明２の内容

⑴ 明細書の記載本件明細書等２には、次のとおりの記載があることが認められる。

ア技術分野「本発明は、レーザ光を照射することで加工対象物を加工するためのレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。」（段落【０００１】）

イ背景技術「従来のレーザ加工技術には、加工対象物を加工するためのレーザ光を集光する集光レンズに対し、加工対象物の主面高さを測定する測定手段（接触式変位計や超音波距離計等）を所定の間隔をもって並設させたものがある（例えば、下記特許文献１の図６～図１０参照。）。このようなレーザ加工技術では、加工対象物の主面に沿ってレーザ光でスキャンする際に、測定手段により加工対象物の主面高さを測定し、その測定点が集光レンズの直下に到達したときに、その主面高さの測定値に基づいて集光レンズと加工対象物の主面との距離が一定となるように集光レンズをその光軸方向に駆動する。」（段落【０００２】）「また、主面が凸凹している加工対象物を加工する技術としては、加工準備として、加工を施す部分全ての平面度を平面度測定手段（投光器と反射光受光器とを有する平面度測定器）によって測定した後、その平面度測定手段をブレードに取り替えて、測定した平面度に基づいて加工対象物を加工するものがある（例えば、下記特許文献２参照。）。

（特許文献１）特開２００２－２１９５９１号公報（特許文献２）特開平１１－３４５７８５号公報」（段落【０００３】）

ウ発明が解決しようとする課題「しかしながら、上記特許文献１に記載のレーザ加工技術においては、次のような解決すべき課題がある。すなわち、加工対象物の外側の位置からレーザ光の照射を開始してレーザ光と加工対象物とをその主面に沿って移動させて加工を行う場合に、測定手段は加工対象物の外側から測定を開始し、加工対象物の内側へと測定を行っていくことになる。そして、この測定によって得られた主面高さの測定値に基づいて集光レンズを駆動すると、加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合がある。」（段落【０００４】）「また、上記特許文献２に記載の技術を用いた場合には、加工対象物の主面の平面度を正確に把握できるのものの、測定時と加工時とでそれぞれに用いる手段を交換するので、交換の手間がかかると共に交換に伴うずれが生じる恐れがある。」（段落【０００５】）「そこで本発明では、レーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することを目的とする。」（段落【０００６】）

エ課題を解決するための手段「本発明のレーザ加工方法は、第一のレーザ光をレンズで集光して加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工方法であって、（１）加工対象物の主面の変位を測定するための第二のレーザ光をレンズで集光して加工対象物に向けて照射し、当該照射に応じて主面で反射される反射光を検出しながら、切断予定ラインに沿った主面の変位を取得する変位取得ステップと、（２）第一のレーザ光を照射し、当該取得した変位に基づいてレンズと主面との間隔を調整しながら、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させて、切断予定ラインに沿って改質領域を形成する加工ステップと、を備える。」(段落【０００７】)「本発明のレーザ加工方法によれば、切断予定ラインに沿って主面の変位を取得し、その取得した変位に基づいてレンズと主面との間隔を調整しながら改質領域を形成するので、加工対象物内部の所定の位置に改質領域を形成することができる。また、加工用の第一のレーザ光を集光するレンズで測定用の第二のレーザ光を集光するので、より的確に主面の変位を取得できる。」(段落【０００８】)「また本発明のレーザ加工方法では、変位取得ステップでは、レンズと加工対象物とを第一の速度で主面に沿って相対的に移動させながら、第一の時間間隔で切断予定ラインに沿った主面の変位を取得し、加工ステップでは、レンズと加工対象物とを第一の速度よりも速い第二の速度で主面に沿って相対的に移動させながら、第一の時間間隔よりも短い第二の時間間隔でレンズと主面との間隔を調整しながら改質領域を形成することも好ましい。改質領域を形成する際の第二の速度よりも遅い第一の速度で主面の変位を取得するので、例えば主面に大きな段差がある場合であっても的確に主面の変位を取得できる。また、主面の変位を取得する際の第一の速度よりも速い第二の速度で改質領域を形成するので加工効率が向上する。また例えば、主面の変位を取得する切断予定ライン方向の距離間隔と、改質領域を形成する際のレンズと主面との間隔を調整する際の切断予定ライン方向の距離間隔とが等しくなるように第一の速度、第二の速度、第一の時間間隔、及び第二の時間間隔をそれぞれ設定すれば、取得した主面の変位により忠実に沿ってレンズと主面との間隔を調整できる。」(段落【０００９】)「本発明のレーザ加工装置によれば、切断予定ラインに沿って主面の変位を取得し、その取得した変位に基づいてレンズと主面との間隔を調整しながら改質領域を形成するので、加工対象物内部の所定の位置に改質領域を形成することができる。また、加工用の第一のレーザ光を集光するレンズで測定用の第二のレーザ光を集光するので、より的確に主面の変位を取得できる。」(段落【００１６】)「また本発明のレーザ加工装置では、制御手段は第二のレーザ光の集光点が加工対象物に対する所定の位置に合うように設定された測定初期位置にレンズを保持するように保持手段を制御し、当該レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射を開始し、制御手段はレンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御し、主面で反射される第二のレーザ光の反射光に応じて、レンズを測定初期位置に保持した状態を解除するように保持手段を制御し、当該解除後に、制御手段は主面で反射される第二のレーザ光の反射光を検出しながらレンズと主面との距離を調整するように保持手段を制御し、変位取得手段は切段予定ラインに沿った主面の変位を取得することも好ましい。測定初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ラインの一端部に第二のレーザ光を照射した後、すなわちレンズと加工対象物とが相対的に移動してレンズが加工対象物に差し掛かった後に、レンズを保持した状態を解除して主面の変位を取得するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して変位を取得できる。また、反射光の光量は反射する面との距離に応じて変化するので、例えば、反射光の光量が所定の変化をする部分を加工対象物の主面の外縁に相当するものと想定してレンズを保持した状態を解除できる。」(段落【００１８】)「また本発明のレーザ加工装置では、制御手段は変位取得手段が取得した切断予定ラインに沿った主面の変位に基づいて主面に対してレンズを保持する加工初期位置を設定し、当該設定した加工初期位置にレンズを保持するように保持手段を制御し、当該レンズを加工初期位置に保持した状態で第一のレーザ光の照射を開始し、制御手段はレンズと加工対象物とを相対的に移動させるように移動手段を制御して切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、当該一端部における改質領域の形成後に、制御手段は、レンズを加工初期位置に保持した状態を解除し、変位取得手段が取得した主面の変位に基づいてレンズと加工対象物との間隔を調整するように保持手段を制御し、レンズと加工対象物とを相対的に移動させるように移動手段を制御して改質領域を形成することも好ましい。加工初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、その後レンズを保持した状態を解除して主面の変位に追従させながら改質領域を形成するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して改質領域を形成できる。」(段落【００１９】)「また本発明のレーザ加工装置では、変位取得手段が切断予定ラインに沿った主面の変位を取得する際に併せて第一のレーザ光を照射し、切断予定ラインに沿って改質領域を形成することも好ましい。主面の変位の取得に合わせて改質領域も形成するので、一度のスキャンで測定と加工とを行うことができる。」(段落【００２０】)

オ発明の効果「本発明のレーザ加工方法及びレーザ加工装置によれば、レーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができる。」(段落【００２３】)

カ発明を実施するための最良の形態「（変位取得工程）引き続いて、ウエハ状の加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ１～Ｃｎに沿った表面Ｓ１の変位を取得する変位取得行程について説明する。」(段落【００４１】)「図４（Ａ）～図４（Ｃ）を参照しながら説明する。図４（Ａ）～図４（Ｃ）は、図３のII－II 断面を示す図である。尚、理解を容易にするために図４（Ａ）～図４（Ｃ）においては断面を示すハッチングを省略する。図４（Ａ）に示すように、加工対象物Ｓはダイシングフィルム２ａを介してステージ２に吸着されて固定されている。ダイシングフィルム２ａはダイシングリング（図示しない）で固定されている。」(段落【００４２】)「図４（Ａ）に示すように、加工対象物２の切断予定ラインＣ１上の一点Ｑ１に対応する位置に加工用対物レンズ４２が配置されるようにステージ２が移動する。加工用対物レンズ４２を保持しているアクチュエータ４３は最も縮んだ状態から２５μm 伸びた状態になる。この伸び量２５μm は、アクチュエータ４３の最大伸び量５０μm の半分の量として設定されている。この状態で観察用可視光の反射光のピントが合うようにステージ２を上下させる。このピントが合った状態で測距用レーザ光Ｌ２を照射し、その反射光に基づいて非点収差信号を得て、この非点収差信号の値を基準値とする。」(段落【００４３】)「続いて、図４（Ｂ）に示すように、図４（Ａ）の状態におけるアクチュエータ４３の伸び量を保持したまま、加工用対物レンズ４２切断予定ラインＣ１の延長上の点Ｘ１に対応する位置に配置されるようにステージ２が移動する。図４（Ｂ）に示す鉛直方向における加工対象物Ｓに対する加工用対物レンズ４２の位置が初期位置（測定初期位置）となる。その後、図４（Ｂ）中の矢印Ｆの方向に加工用対物レンズ４２が移動するようにステージ２が移動する（測定準備ステップ）。」(段落【００４４】)「測距用レーザ光Ｌ２はダイシングフィルム２ａにおいては反射率が低く反射される全光量は少ないが、加工対象物Ｓにおいては反射される全光量が増大する。すなわち、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する測距用レーザ光Ｌ２の反射光の全光量が多くなるので、反射光の全光量が予め定められた閾値を超えた場合に加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ１と加工用対物レンズ４２が交差する位置にあるものと判断できる。従って、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定められた閾値よりも大きくなった場合に、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして、その時点でのアクチュエータ４３の伸び量の保持を解除して非点収差信号が基準値となるようにアクチュエータ４３の伸び量制御を開始する（第一測定ステップ）。」(段落【００４５】)「従って、加工用対物レンズ４２が図４（Ｂ）中の矢印Ｆ方向に移動すると図４（Ｃ）に示す状態になる。図４（Ｃ）に示すように、区間Ｇ１（一端部）においては加工用対物レンズ４２を保持している状態から加工用対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に追従させるまでの移行区間となるので、この部分においてはアクチュエータ４３の移動量が表面Ｓ１の変位とは対応していない。その後、アクチュエータ４３の伸び量の保持を解除して非点収差信号が基準値となるようにアクチュエータ４３の伸び量制御を行う区間Ｇ２においては、アクチュエータ４３の移動量が表面Ｓ１の変位と対応している。従って、アクチュエータ４３の伸び量変化の軌跡Ｇは表面Ｓ１の変位と対応することになる。その後、図４（Ｃ）に示すように加工用対物レンズ４２は切断予定ラインＣ１の他端に差し掛かると、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する測距用レーザ光Ｌ２の反射光の全光量が少なくなる。従って、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定められた閾値よりも小さくなった場合に、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして、その時点でのアクチュエータの伸び量を保持すると共に、軌跡Ｇの記録を終了する。この軌跡Ｇの情報は変位格納部７０７に格納される（第二測定ステップ）。」(段落【００４６】)「この変位取得行程におけるレーザ加工装置１の動作について図７に示すフローチャートを参照しながら説明する。制御装置７のステージ制御部７０２がステージ２に対して加工用対物レンズ４２がＣ１上の一点Ｑ１に移動するように制御信号を出力する（ステップＳ０１）。この制御信号の出力に応じてステージ２が移動する。更に制御装置７のアクチュエータ制御部７０３がアクチュエータ４３に対して２０μm 伸びるように制御信号を出力する。この制御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は２０μm 伸びる。この状態で可視観察光によってピントが合うようにステージ２を上下させ、その可視観察光のピントが合う位置を設定する（ステップＳ０２）。」（段落【００５１】）「制御装置７のレーザ出射制御部７０１はレーザダイオード４４に対して測距用レーザ光Ｌ２を出射するように制御信号を出力する（ステップＳ０３）。この制御信号の出力に応じてレーザダイオード４４は測距用レーザ光Ｌ２を出射し、加工対象物Ｓの表面Ｓ１で反射された反射光は受光部４５の４分割位置検出素子が受光する。この受光に応じて出力される信号は集光点演算部７０４及び端部判断部７０５に出力される。」（段落【００５２】）「集光点演算部７０４はこの状態における非点収差信号値を基準値として保持する（ステップＳ０４）。続いて、ステージ移動制御部７０２からステージ２に対して、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ１の延長上のＸ１に対応する位置まで移動するように制御信号を出力する（ステップＳ０５）。この制御信号の出力に応じてステージ２は移動し、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ１の延長上のＸ１に対応する位置まで移動する。」（段落【００５３】）「続いて、ステージ移動制御部７０２からステージ２に対して、加工用対物レンズ４２が図４（Ｂ）中の矢印Ｆの方向に移動するように制御信号を出力する。この制御信号の出力に応じてステージ２は移動し、加工用対物レンズ４２が矢印Ｆ方向に移動を開始する。」（段落【００５４】）「制御装置７の端部判断部７０５は、受光部４５から出力される信号に基づいて、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったかどうかを判断する（ステップＳ０６）。端部判断部７０５は、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったと判断すると、アクチュエータ制御部７０３に対してアクチュエータ４３の伸縮を開始して、非点収差信号が保持している基準値に等しくなるように、制御信号を出力するように指示する指示信号を出力する。アクチュエータ制御部７０３はアクチュエータ４３に伸縮を開始して、非点収差信号が保持している基準値に等しくなるための、制御信号を出力する（ステップＳ０７）。この制御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は加工対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に応じて伸縮して、非点収差信号が保持した値になるように（加工用対物レンズ４２と加工対象物Ｓの表面Ｓ１の距離が一定になるように）加工用対物レンズ４２を保持する。従って、アクチュエータ４３の伸縮量の軌跡Ｇは加工対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に応じて形成される（図４（Ｃ）参照）。制御装置７の変位取得再生部７０６はこのアクチュエータ４３の伸縮量の記録を開始する（ステップＳ０８）。」（段落【００５５】）「端部判断部７０５は、受光部４５から出力される信号に基づいて、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの他端に差し掛かったかどうかを判断する（ステップＳ０９）。端部判断部７０５は、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったと判断すると、アクチュエータ制御部７０３に対してアクチュエータ４３の伸縮を停止する制御信号を出力するように指示する指示信号を出力する。この指示信号の出力に応じて、アクチュエータ制御部７０３はアクチュエータ４３に対して伸縮を停止して保持状態とするための制御信号を出力する（ステップＳ１０）。この制御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は伸縮を停止する。アクチュエータ制御部７０３がアクチュエータ４３に制御信号を出力したことに応じて、変位取得再生部７０６はアクチュエータ４３の伸縮量の記録を終了する（ステップＳ１１）。ステージ移動制御部７０２は、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の延長線上の点Ｘ２に差し掛かると、ステージ２に対して移動を停止するように制御信号を出力する（ステップＳ１２）。その後、変位格納部７０６に格納されているアクチュエータ４３の伸縮量の内、記録を終了した時点から所定時間前に記録されたものとして格納されているアクチュエータ４３の伸縮量の平均値を算出し、この平均値となるようにアクチュエータ４３の伸縮量を固定する（ステップＳ１３）。」（段落【００５６】）「（加工工程）引き続いて、加工用レーザ光Ｌ１及び測距用レーザ光Ｌ２を照射して改質領域を形成する加工工程について説明する。」（段落【００５７】）「図４（Ａ）～図４（Ｃ）と同様に図３のII－II 断面を示す図８（Ａ）～図８（Ｃ）を参照しながら説明する。尚、理解を容易にするために図６（Ａ）～図６（Ｃ）においては断面を示すハッチングを省略する。図８（Ａ）は、切断予定ラインＣ１において加工用対物レンズ４２が改質領域の形成を開始した状態を示している。図８（Ａ）に至る前に、ステージ２が更に所定の距離（以下、加工高さ）上昇して、加工対象物Ｓの表面Ｓ１と加工用対物レンズ４２との距離が加工高さ分だけ近づくように設定される。ここで、可視域のピント位置とレーザ光の集光位置とが一致するものとすれば、加工用レーザ光Ｌ１は、加工対象物Ｓの内部であって、その表面Ｓ１から加工高さと加工対象物Ｓのレーザ波長における屈折率との積の値に相当する位置に集光されることになる。例えば、加工対象物Ｓがシリコンウェハであってその屈折率が３．６（波長１．０６μm）であり、加工高さが１０μm であれば、３．６×１０＝３６μm の位置に集光されることになる。」（段落【００５８】）「アクチュエータ４３は図４（Ｃ）で設定された伸び量で固定されており、加工用対物レンズ４２は初期位置（加工用初期位置）に配置されている。図４（Ｃ）から図８（Ａ）の状態に差し掛かる前に加工用レーザ光Ｌ１及び測距用レーザ光Ｌ２が照射される。加工用対物レンズ４２が図中矢印Ｈの方向に移動するようにステージ２が移動する（加工準備ステップ）。」（段落【００５９】）「測距用レーザ光Ｌ２はダイシングフィルム２ａにおいては反射率が低く反射される全光量は少ないが、加工対象物Ｓにおいては反射される全光量が増大する。すなわち、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する測距用レーザ光Ｌ２の反射光の全光量が多くなるので、反射光の全光量が予め定められた閾値を超えた場合に加工対象物Ｓの切断予定ラインＣ１と加工用対物レンズ４２が交差する位置にあるものと判断できる。従って、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定められた閾値よりも大きくなった場合に、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして（図８（Ａ）に相当する状態になってものとして）、その時点でのアクチュエータ４３の伸び量の保持を解除してアクチュエータ４３の伸び量制御を開始する。この伸び量は、図４（Ａ）～図４（Ｃ）を参照しながら説明したように取得されたアクチュエータ４３の伸び量の軌跡Ｇに基づいて制御される。より具体的には、変位取得再生部７０６が変位格納部７０７に格納されている軌跡Ｇの情報に従って再生情報を生成し、変位取得再生部７０６からアクチュエータ制御部７０３に出力される再生情報に従ってアクチュエータ制御部７０３が制御信号をアクチュエータ４３に出力する。従って、加工用対物レンズ４２が図６（Ａ）中の矢印Ｈ方向に移動すると図８（Ｂ）に示す状態になる。図８（Ｂ）に示すように、区間Ｊ（一端部）においては一定の加工高さで改質領域Ｒが形成されることになる。この区間Ｊにおいて一定の加工高さで改質領域Ｒが形成されると、その後、加工用対物レンズ４２は切断予定ラインＣ１に沿って移動し、加工用レーザ光Ｌ１によって改質領域Ｒを形成する（第一加工ステップ）。」(段落【００６０】)「図８（Ｂ）に示す状態から更に加工用対物レンズ４２が図８（Ａ）中矢印Ｈの方向に移動すると、図８（Ｃ）に示すように加工用対物レンズ４２は切断予定ラインＣ１の他端に差し掛かる。加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓから外れた位置に至ると、図８（Ａ）を参照しながら説明したのとは逆の状態となり、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する測距用レーザ光Ｌ２の反射光の全光量が少なくなる。従って、受光部４５（図１参照）の４分割位置検出素子が検出する全光量が予め定められた閾値よりも小さくなった場合に、加工用対物レンズ４２が切断予定ラインＣ１の一端に相当する位置にあるものとして（図８（Ｃ）に相当する状態になってものとして）、その時点でのアクチュエータの伸び量を保持する。アクチュエータ４３の伸び量を保持したまま加工用対物レンズ４２が図８（Ｃ）中のＸ２の位置に至るようにステージ２が移動し、次の切断予定ラインＣ２の加工に備える（第二加工ステップ）。」（段落【００６１】)

⑵ 本件発明２の技術的特徴本件特許２の特許請求の範囲及び前記⑴の本件明細書等２の各記載によれば、本件発明２は、レーザ光を照射することで加工対象物を加工するためのレーザ加工装置に関するものであり、加工対象物の端部におけるレーザの集光点のずれを極力少なくするとともに、平面度測定手段を用いて加工対象物の主面の平面度を測定した後に、当該平面度測定手段をブレードに交換して加工する場合に生じる交換の手間等を省き、効率よくレーザ加工を行うことのできるレーザ加工装置を提供することを課題とするものである。そして、本件発明２は、①請求項１３の構成を備えることにより、レンズを測定初期位置に保持した状態で、切断予定ラインに沿って加工対象物の主面にレーザ光を照射し、その反射光を検出することにより、端部を検知した後にレンズの保持状態を解除し、加工対象物の主面の変位を取得した上で、当該取得した変位に基づき、同じレンズで加工対象物の内部に改質領域を形成することができるようにするものであり、もって、加工対象物の端部における形状変動による影響を極力排除してその変位を取得した上、より効率的な加工を可能にするという効果を実現し（本件発明２－１）、また、②請求項１５の構成を備えることにより、レンズを加工初期位置に保持した状態で切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、その後レンズを保持した状態を解除して主面の変位に沿った改質領域を形成できるようにするものであり、もって、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除しつつ、効率的な改質領域の形成を可能にするという効果を実現し（本件発明２－２）、さらに、③請求項１６の構成を備えることにより、変位取得過程において、切断予定ラインに沿った主面の変位を取得する際に、併せて加工用のレーザ光を照射し、もって、一度のスキャンで測定と加工を同時に行うことを可能にするという効果を実現するもの（本件発明２－３）であると認められる。

９争点２－１（被告製品は「測定初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ）、「加工初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件２Ｑ）ものといえるか）（本件発明２－１及び２－２に関して）

⑴ 「初期位置に前記レンズを保持」の意義

ア特許請求の範囲の記載本件発明２－１及び２－２に係る特許請求の範囲は、測定又は加工「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）と規定しているほか、「進退自在に保持する保持手段」（構成要件Ｍ）と規定しているところ、このような記載からは、文言上、「保持」の具体的な内容まで規定するものではない。

イ本件明細書等２の記載本件明細書等２には、本件発明２につき、「加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合がある」という課題が存在することを踏まえ（段落【０００４】）、「レンズと加工対象物とが相対的に移動してレンズが加工対象物に差し掛かった後に、レンズを保持した状態を解除して主面の変位を取得するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して変位を取得できる。」（段落【００１０】）という記載が存在するところ、これらの記載によれば、対物レンズの「保持」は、加工対象物の端部の形状変動による影響を排除するために必要とされるものであると解される。そうすると、このような必要性に鑑みると、「保持」とは、少なくとも対物レンズがＺ軸方向(加工対象物の主面の方向)に変動しないものと解するのが相当である。

また、前記認定事実によれば、本件明細書等２の実施例をみても、「この変位取得行程におけるレーザ加工装置１の動作について図７に示すフローチャートを参照しながら説明する。制御装置７のステージ制御部７０２がステージ２に対して加工用対物レンズ４２がＣ１上の一点Ｑ１に移動するように制御信号を出力する（ステップＳ０１）。この制御信号の出力に応じてステージ２が移動する。更に制御装置７のアクチュエータ制御部７０３がアクチュエータ４３に対して２０μm 伸びるように制御信号を出力する。この制御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は２０μm 伸びる。この状態で可視観察光によってピントが合うようにステージ２を上下させ、その可視観察光のピントが合う位置を設定する（ステップＳ０２）。」（段落【００５１】）、「続いて、ステージ移動制御部７０２からステージ２に対して、加工用対物レンズ４２が図４（Ｂ）中の矢印Ｆの方向に移動するように制御信号を出力する。この制御信号の出力に応じてステージ２は移動し、加工用対物レンズ４２が矢印Ｆ方向に移動を開始する。」（段落【００５４】）、「制御装置７の端部判断部７０５は、受光部４５から出力される信号に基づいて、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったかどうかを判断する（ステップＳ０６）。端部判断部７０５は、加工用対物レンズ４２が加工対象物Ｓの端部に差し掛かったと判断すると、アクチュエータ制御部７０３に対してアクチュエータ４３の伸縮を開始して、非点収差信号が保持している基準値に等しくなるように、制御信号を出力するように指示する指示信号を出力する。アクチュエータ制御部７０３はアクチュエータ４３に伸縮を開始して、非点収差信号が保持している基準値に等しくなるための、制御信号を出力する（ステップＳ０７）。この制御信号の出力に応じてアクチュエータ４３は加工対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に応じて伸縮して、非点収差信号が保持した値になるように（加工用対物レンズ４２と加工対象物Ｓの表面Ｓ１の距離が一定になるように）加工用対物レンズ４２を保持する。従って、アクチュエータ４３の伸縮量の軌跡Ｇは加工対象物Ｓの表面Ｓ１の変位に応じて形成される（図４（Ｃ）参照）。制御装置７の変位取得再生部７０６はこのアクチュエータ４３の伸縮量の記録を開始する（ステップＳ０８）。」（段落【００５５】）という記載が認められるところ、これらの記載によれば、「加工用対物レンズを保持しているアクチュエータ」(段落【０００４】)の伸び量は、伸縮を開始するまでの間は、当初設定された２０μm の状態で固定されていることが認められる。

ウ以上のとおり、本件明細書等２の上記記載を参酌して本件発明２－１及び２－２の特許請求の範囲を解釈すれば、「測定初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件Ｑ）及び「加工初期位置に前記レンズを保持する」（構成要件２Ｑ）とは、対物レンズの高さが初期位置に固定されており、少なくとも初期位置の高さからＺ軸方向には変動しないことを意味するものと解するのが相当である。

⑵ 被告製品の構成要件充足性

ア被告製品（固定）（ベベルあり）（ベベルなし）前記前提事実のとおり、被告製品（固定）においては、加工対象物がベベルのあるウェハである場合及びベベルのないウェハである場合のいずれの場合においても、①走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの区間に加え、②ウェハエッジ検出位置から予め設定された所定の距離（エッジ処理区間）を通過するまでの間、対物レンズが所定の高さに固定された状態（ＡＦ固定制御）であり（構成⑮ないし⑰）、当該エッジ処理区間の通過後にＡＦ固定制御が解除され、ＡＦ追従制御となること（構成⑰及び⑱）が認められる。

そうすると、被告製品（固定）は、走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置及びエッジ処理区間においてＡＦ固定制御されているということができるから、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）という要件を充足するものと認められる。

イ被告製品（低追従）（ベベルあり）（ベベルなし）15ウェハエッジ検出位置から予め設定された距離（エッジ処理区間）を通過するまで：非充足（ベベルあり、ベベルなし）ａ前記前提事実によれば、被告製品（低追従）においては、加工対象物にベベルがある場合及びベベルがない場合のいずれにおいても、エッジ処理区間では、低追従制御の状態であり（構成⑯′）、同区間では、ピエゾアクチュエータは、ピエゾ現在位置がピエゾ制御指令値と一致する方向（Ｚ軸方向）に進退移動することが認められる。

上記認定事実によれば、対物レンズが所定の高さに固定されているとはいえず、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）との要件を充足するものとは認められない。

ｂこれに対し、原告は、低追従制御にあっては、Ｘ軸座標０ｍｍ～１０ｍｍ区間における対物レンズの高さの変位は僅か０．１５μm にすぎないのであって、偶発的なずれと差異がない程度であるため、実質的な変位とはいえないとして、なお「保持」されている旨主張する。

しかしながら、「保持」とは、少なくとも対物レンズがその高さ方向に変動しないと解されることは、上記において説示したとおりである。したがって、原告の主張は、採用することができない。現実のウェハエッジからウェハエッジ検出位置までの区間：充足（ベベルあり）ａ前記認定事実によれば、被告製品（低追従）においては、少なくとも、ベベルのあるウェハにつき、光量基準を適用した場合、ウェハエッジ検出位置を通過するまでの間は、反射光の全光量が閾値を越えないため、対物レンズが所定の高さに固定された状態であることが認められる（構成⑮）。

そうすると、被告製品（低追従）は、上記区間においては、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）するものであると認められる。

ｂこれに対し、被告は、被告製品では、ベベルのあるウェハに対し、光量基準を適用することはできない旨主張する。

しかしながら、被告製品は、ベベルのあるウェハ及びベベルのないウェハの双方を加工対象物として想定するものであり、加工対象物の端を検出する方法として座標基準と光量基準の２種類の設定方法が存在することは、前記前提事実のとおりである。そして、証拠（甲４５）及び弁論の全趣旨によれば、原告において、実際に、被告製品（低追従）（ＭＬ３００ＥＸ）につき、ベベルのあるウェハに対して光量基準を適用した結果、問題なく作動したことが確認されているところ、同確認結果の信用性が問題となるような事情は格別認められない。したがって、被告の主張は、その信用性が低いものであり、採用することができない。

ｃ被告は、被告製品のエンドユーザに対し、光量基準を適用することは推奨しておらず、実際にベベルのあるシリコンウェハについて光量基準を選択しているエンドユーザの存在を把握していない旨主張する。

しかしながら、構成要件充足性の判断においては、被告製品が、べベルのあるシリコンウェハに光量基準を適用する機能を有するか否かを問題とすべきであって、被告がエンドユーザに対し当該機能を実際に推奨するかどうかは、上記判断を左右する事情となるものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

ｄ被告は、上記区間においては、被告製品は加工用レーザを照射していないため、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）していない旨主張する。

しかしながら、被告の主張は、「当該レンズを・・初期位置に保持した状態で・・レーザ光の照射」（構成要件Ｒ、２Ｒ）という要件該当性（後記争点２－２）の判断で問題となるのは格別、「保持」という要件該当性の判断を左右するものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

ｅなお、被告は、ユーザが光量基準を適用したのであれば、「制御部」（構成要件Ｅ）を完成させたのはエンドユーザであり、被告が被告製品を提供する時点においては、「制御部」（構成要件Ｅ）は未完成である旨主張する。しかしながら、エンドユーザが初期設定等を変更しさえすれば光量基準を適用することが可能であるとすれば、「制御部」（構成要件Ｅ）は、上記時点において既に完成していると認めるのが相当である。したがって、被告の主張は、採用することができない。走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの区間：充足（ベベルあり、ベベルなし）ａ前記前提事実によれば、被告製品（低追従）についても、加工対象物がベベルありの場合とベベルなしの場合のいずれにおいても、走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの区間においては、対物レンズが所定の高さに固定された状態であることが認められる（構成⑮）。

そうすると、被告製品（低追従）は、上記区間においても、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ．２Ｑ）するものであると認められる。ｂこれに対し、被告は、上記区間においても、被告製品は加工用レーザを照射していないため、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）との要件を満たさない旨主張するが、同主張が採用できないことは、前記イにおいて説示したところと同様である。

ウ以上によれば、被告製品（固定）及び被告製品（低追従）のいずれについても、「初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ、２Ｑ）との要件を充足するものと認められる。

その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記において説示したところと同様に、いずれも前記判断を左右するに至らない。したがって、被告の主張は、いずれも採用することができない。

10 争点２－２（被告製品は「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するものといえるか）（本件発明２－１に関して）

⑴ 被告製品（固定）

ア前記前提事実によれば、被告製品（固定）においては、走査開始待機位置において対物レンズを所定の高さに固定し、その状態を保持したまま、切断予定ラインに沿って測距用のレーザ光を照射し、その反射光の全光量が閾値を超えたことをもって、ウェハエッジを検出することが認められる（構成⑮及び⑰）。

そうすると、被告製品（固定）は、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）という要件を充足するものと認められる。

イこれに対し、被告は、被告製品では、電源が投入された後、遅くともステージにシリコンウェハが搭載されるよりも以前から、測距用レーザ光を照射している以上、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）するものではない旨主張する。

しかしながら、構成要件Ｒは、単に「レンズを測定初期位置に保持した状態で第二のレーザ光の照射を開始」と規定しているにすぎず、本件発明２－１の特許請求の範囲、本件明細書等２のいずれにも、第二のレーザ光の照射がステージにおけるシリコンウェハの搭載後に行われることに限定する旨の記載を認めることはできない。そして、本件発明２－１は、加工対象物の外側の位置からレーザ光の照射を開始し、加工対象物の外側から内側に向かって加工対象物の主面の高さを測定した上で、当該測定によって得られた測定値に基づき加工を行った場合には、加工対象物においてレーザ光の集光点がずれるという課題があったことを前提として（段落【０００４】～【０００７】）、上記課題を解決するために、測定初期位置に保持した状態で、切断予定ラインに沿って加工対象物の主面にレーザ光を照射し、その反射光の検出を通じて端部を検知した後に、初めてレンズの保持状態を解除するものである。そうすると、加工対象物の外側の位置からレーザ光が照射されていれば、上記課題は解決されることになるから、レーザ光の照射がステージにおけるシリコンウェハの搭載後に行われることは、上記課題解決手段との関係において、何ら技術的意義を有するものとはいえない。そうすると、本件発明２－１は、本件明細書等２の記載を踏まえると、「第二のレーザ光の照射を開始」とは、「レンズを測定初期位置に保持した状態」までに開始されていることを意味するものと解するのが相当である。したがって、均等に関する主張を判断するまでもなく、被告製品は、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）という要件を充足するものと認められる。以上によれば、被告の主張は、採用することができない。

ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記において説示したところと同様に、いずれも前記判断を左右するに至らない。したがって、被告の主張は、いずれも採用することができない。

エなお、本件発明２－２においても、「レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一のレーザ光の照射を開始し」と規定されているところ（構成要件２Ｒ）、上記と同様の理由により、「第一のレーザ光の照射を開始」とは、「レンズを加工初期位置に保持した状態」までに開始されていることを意味するものと解するのが相当であり、被告の主張が採用できないことは、上記と同様である。したがって、被告の主張は、採用することができない。

⑵ 被告製品（低追従）前記前提事実のとおり、被告製品（低追従）は、エッジ処理区間及びＡＦ追従終了位置から走査折返し位置までの区間における制御が異なる以外は、被告製品（固定）の構成と差異はないところ、前記⑴と同様の理由により、「レンズを測定初期位置に保持した状態で前記第二のレーザ光の照射を開始」（構成要件Ｒ）との要件を充足するものと認めるのが相当である。したがって、上記と同様の理由により、被告の主張は、採用することができない。

11 争点２－３（被告製品は「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）し、当該「解除後に・・主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するものといえるか）（本件発明２－１に関して）

⑴ 「レーザ光の反射光に応じて、・・保持した状態を解除する」（構成要件Ｒ）、「解除後に」（構成要件Ｓ）の意味について

ア特許請求の範囲の記載本件発明２－１の構成要件Ｒは、第二のレーザ光の反射光に「応じて」レンズを測定初期位置に保持した状態を「解除」することを規定し、また、構成要件Ｓは、「当該解除後に」、レンズと主面との距離を調整するように保持手段を制御することを規定している。

これらの各規定によれば、本件発明２－１は、当初は測定初期位置にレンズを固定する制御を行った上で、その後、当該固定制御を解除し、主面との距離を調整する制御を行うものであり、当該固定制御を解除して主面との距離を調整する制御に移行するタイミングは、第二のレーザ光の反射光により決定されるものであると理解することができる。

イ本件明細書等２の記載本件明細書等２には、「本発明のレーザ加工方法によれば、切断予定ラインに沿って主面の変位を取得し、その取得した変位に基づいてレンズと主面との間隔を調整しながら改質領域を形成するので、加工対象物内部の所定の位置に改質領域を形成することができる。」（段落【０００８】)という記載があるところ、この記載によれば、改質領域を形成するに当たっては、取得された主面の変位に基づき、レンズと主面との間隔を調整するものとされている。そして、上記において説示したとおり、本件発明２－１において、当初、「測定初期位置に前記レンズを保持」（構成要件Ｑ）するのは、加工対象物の端部の形状変動による影響を排除するためであることからすると、加工対象物の端部が終了し、形状変動による影響を考慮する必要がなくなれば、直ちに保持状態を解除し、上記のように、レンズと主面との間隔を調整する状態に制御するのが望ましいものといえる。

したがって、「レーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｒ）し、「当該解除後に、・・前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するというのは、反射光の全光量が閾値を超えた時点で、直ちに、「測定初期位置に前記レンズを保持」した状態を解除するとともに、「レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）する状態に移行することを意味するものと解するのが相当である。

ウ上記の本件明細書等２の記載を踏まえ、前記アの特許請求の範囲を解釈すると、「当該解除後に・・前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御し」（構成要件Ｓ）という要件における「当該解除後に」という文言は、「当該解除後、直ちに」という時間的な意味を有するものと解するのが相当である。

エこれに対し、原告は、「当該解除後に」という文言は、解除後、一定の時間を置いてから主面との距離の調整をする制御に移行する場合も含むものであり、「直ちに」主面との距離の調整を必要とするものではない旨主張する。しかしながら、仮に原告の主張するように、解除と制御の間に時間的な制約が付されていないと解釈した場合には、測定初期位置にレンズを保持した状態を解除した後、「前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」する状態に移行するまでの間、タイムラグが生じることになるが、その間、格別の制御がなければ、加工対象物内部の所定の位置に改質領域を形成することが困難となることは明らかである。そして、上記において説示したとおり、本件発明２－１の技術的意義は、変位取得過程において、主面の正確な変位を取得するために、レンズと主面との距離を調整するように制御するのを基本としつつも、例外的に、加工対象物の端部における形状変動による影響を避けるため、レンズを「初期位置に保持」する点にあることが認められる。そうすると、本件発明２－１の技術的意義に鑑みると、装置が端部の終了を検知した時点で、レンズを「初期位置に保持」した状態を直ちに解除すると解するのが相当であり、原告の主張は、本件発明２の技術的意義を正解するものとはいえない。したがって、原告の主張は、採用することができない。

オその他に、原告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、原告の主張は、本件発明２－１の技術的意義に鑑みると、いずれも前記判断を左右するに至らない。したがって、原告の主張は、採用することができない。

⑵ 被告製品の構成要件該当性

ア被告製品（固定）について（ベベルあり）（ベベルなし)5前記前提事実によれば、被告製品（固定）においては、加工対象物であるシリコンウェハにベベルがある場合及びベベルがない場合のいずれの場合においても、まず、走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの間、対物レンズが所定の高さに固定された状態（ＡＦ固定制御）であることが認められる（構成⑮）。

そして、前記前提事実によれば、ウェハエッジ検出位置においては（シリコンウェハにベベルがある場合は、ベベルの終端部であり、シリコンウェハにベベルがない場合は、現実のウェハエッジとなる。）、反射光の全光量が閾値を越えるものの、その時点で直ちに固定制御が解除されるわけではなく、その後、予め設定された一定の距離を通過するまでの間は、ＡＦ固定方式が維持されることが認められる（構成⑰）。

そうすると、被告製品（固定）は、「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを前記測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）するとの要件を充足せず、また、「当該解除後に、・・前記レンズと前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するとの要件も充足しないというべきである。

イ被告製品（低追従）について（ベベルあり）（ベベルなし)前記認定事実によれば、被告製品（低追従）においては、加工対象物であるシリコンウェハにベベルがある場合及びベベルがない場合のいずれの場合においても、まず、走査開始待機位置からウェハエッジ検出位置までの間、対物レンズが所定の高さに固定された状態（ＡＦ固定）であることが認められる（構成⑮）。

そして、ウェハエッジ検出位置においては（シリコンウェハにベベルがある場合は、ベベルの終端部であり、シリコンウェハにベベルがない場合は、現実のウェハエッジとなる。）、反射光の全光量が閾値を越えるため、ＡＦ固定制御が解除されることになる。そうすると、被告製品（低追従）は、「前記第二のレーザ光の反射光に応じて、前記レンズを測定初期位置に保持した状態を解除」（構成要件Ｒ）するとの要件を充足するものと認められる。

もっとも、前記前提事実によれば、被告製品（低追従）においては、ＡＦ固定制御が解除された後、予め設定された一定の距離を通過するまでの間は、低追従ＡＦ制御が維持されることが認められる（構成⑰’）。そして、低追従ＡＦ制御状態においては、前記前提事実のとおり、ピエゾアクチュエータは、ピエゾ現在位置とピエゾ制御指令値とが一致する方向に進退移動するように制御され、主面（ウェハ表面の高さ）に応じた変動が生じるものの、ピエゾ制御指令値には０ではない一定の有限の値が上限値として設定されていることからすれば（構成⑯′）、当該上限値を超える部分においては主面に追従するものではない。

そうすると、被告製品（低追従）は、「解除後に、・・前記主面との距離を調整するように前記保持手段を制御」（構成要件Ｓ）するとの要件を充足しないというべきである。

ウこれに対し、原告は、被告製品ではエッジ処理区間を０ｍｍに設定することもでき、その場合には、エッジ処理区間が存在しないことになる以上、装置がウェハエッジを検出した時点で、直ちに固定制御を解除し、ＡＦ追従走査に移行する旨主張するが、被告製品において上記のような設定が可能であることを認めるに足りる的確な証拠は存在しない。したがって、原告の主張は、採用することができない。

⑶ 以上によれば、被告製品（固定）は、本件発明２－１の構成要件Ｒ及びＳを充足せず、被告製品（低追従）も、本件発明２－１の構成要件Ｓを充足しないことになる。その他に、原告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、本件発明２－１の技術的意義に鑑みると、原告の主張は、いずれも前記判断を左右するに至らない。したがって、原告の主張は、いずれも採用することができない。

12 争点２－４（被告製品は「前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、また、「当該一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除」（構成要件２Ｓ）するものといえるか）（本件発明２－２に関して）

⑴ 被告製品（固定）の場合

ア加工対象物にベベルがある場合前記前提事実によれば、被告製品（固定）では、ファースト・トレースモードにおいては、測距用レーザ光を照射するとともに、加工用レーザ光を照射する（構成⑳）。そして、ベベルのあるシリコンウェハを加工対象物として光量基準を適用した場合には、ベベル部分においては、測距用レーザ光の反射光の全光量が閾値を超えないため、ＡＦ固定制御がされたまま加工用レーザ光の照射が行われ、その後、ベベルの終端部においては、測距用レーザ光の反射光の全光量が閾値を超えるため、その地点でウェハエッジを検出するものの（ベベルの終端部がウェハエッジ検出位置となる。）、その後も、予め設定された所定の距離（エッジ処理区間）において、引き続きＡＦ固定制御をしたまま加工用レーザ光の照射が行われ、最終的に、エッジ処理区間通過後に、ＡＦ固定制御が解除され、ＡＦ追従走査に移行することが認められる（構成⑰）。

そうすると、被告製品（固定）では、「レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一のレーザ光の照射を開始し、・・前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、「当該一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）との要件を充足するものと認められる。

（ベベルあり）これに対し、被告は、被告製品はベベルのあるシリコンウェハのベベル部分においてはレーザ加工をしていないので、「一端部において前記改質領域を形成」していない旨主張する。しかしながら、同主張は、被告製品について、加工対象物がベベルのあるシリコンウェハである場合には光量基準が適用されないことを前提とするものであると解されるところ、ベベルのあるシリコンウェハについても、被告製品において光量基準が適用され得ることは、前記争点２－１において説示したとおりであり、被告の主張は、前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。被告は、被告製品においては、ベベル部分でレーザ照射を行うと、ウェハの表面にまで加工跡（アブレーション）が生じる結果、デブリが発生してしまうなど、切断品質に問題が生じる以上、「改質領域を形成」するものとはいえない旨主張する。

しかしながら、弁論の全趣旨によれば、被告製品（固定）において、ベベルありの加工対象物のベベル部分にレーザ照射を行った場合には、右の【断面図１】のような加工痕が形成されることが認められることからすると、ベベル部分に改質領域が形成されていることが認められる。 【断面図１】仮に、被告が主張するとおり、改質領域がウェハ内の深い部分では形成されないことや、デブリが生じる可能性が認められるとしても、このことは、改質領域が形成されていること自体を否定するものとはいえず、上記認定を左右するものではない。したがって、被告の主張は、採用することができない。被告は、「改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）という要件につき、レーザ光の反射光の全光量が閾値よりも大きくなった時点（ベベルの終端部）で、直ちに初期位置に保持した状態を解除する必要があるという前提に立った上、被告製品では、加工対象物であるシリコンウェハにベベルがある場合には、ベベルの終端部分を越えた時点で直ちにＡＦ固定制御が解除されるものではないため、「改質領域の形成後に・・初期位置を保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）との要件を充足しない旨主張する。

しかしながら、構成要件２Ｒ、２Ｓは、「一端部において改質領域を形成し」（２Ｒ）、「当該一端部における改質領域の形成後に・・レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し」（２Ｓ）と規定しているにすぎず、文言上、改質領域の形成後に解除するという以上に、レンズの保持状態を解除する時期を限定するような記載はない。そして、本件明細書等２にも、「図８（Ｂ）に示すように、区間Ｊ（一端部）においては一定の加工高さで改質領域Ｒが形成されることになる。この区間Ｊにおいて一定の加工高さで改質領域Ｒが形成されると、その後、加工用対物レンズ４２は切断予定ラインＣ１に沿って移動し、加工用レーザ光Ｌ１によって改質領域Ｒを形成する（第一加工ステップ）」との記載があるにとどまり（段落【００６０】）、改質領域の形成後直ちに解除する趣旨をいう記載は存在しない。

そうすると、本件明細書等２の各記載を踏まえて本件発明２－２の特許請求の範囲の文言を解釈すれば、改質領域の形成後「直ちに」保持状態を解除することまで規定するものではなく、被告の主張は、前記判断を左右するものではない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

イ加工対象物にベベルがない場合前記のとおり、被告製品（固定）では、ファースト・トレースモードにおいては、測距用レーザ光を照射するとともに、加工用レーザ光を照射する（構成⑳）。そして、べベルのないシリコンウェハを加工対象物として光量基準を適用した場合には、現実のウェハエッジ部分がウェハエッジ検出位置となるところ（構成⑰）、当該ウェハエッジ検出位置から予め定められた所定の距離（エッジ処理区間）においては、ＡＦ固定制御がされたまま加工用レーザ光の照射が行われ、その後、エッジ処理区間通過後に、ＡＦ固定制御が解除され、ＡＦ追従走査に移行することが認められる（構成⑰）。（ベベルなし）上記認定事実によれば、被告製品（固定）は、ベベルのないシリコンウェハを加工対象物とする場合、切断予定ラインの一番外側の部分において、加工用レーザの高さを初期位置に固定した状態のまま加工用レーザを照射し、その後、予め設定された所定の距離通過後に、当該固定状態を解除し、ＡＦ追従走査に移行することが認められる。そうすると、被告製品（固定）については、「レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一のレーザ光の照射を開始し、・・前記切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、「当該一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）との要件を充足するものと認められる。

ウ以上によれば、被告製品（固定）においては、加工対象物がベベルのあるシリコンウェハである場合及びベベルのないシリコンウェハである場合のいずれの場合においても、構成要件２Ｒ及び２Ｓを充足することが認められる。その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、本件発明２－２の特許請求の範囲及び本件明細書等２の各記載に照らし、いずれも採用することができない。

⑵ 被告製品（低追従）の場合

ア加工対象物にベベルがある場合前記のとおり、被告製品（低追従）では、ファースト・トレースモードにおいては、測距用レーザ光を照射するとともに、加工用レーザ光を照射する（構成⑳）。そして、ベベルのあるシリコンウェハを加工対象物として光量基準を適用した場合には、ベベル部分においては、測距用レーザ光の反射光の全光量が閾値を超えないため、ＡＦ固定制御がされたまま加工用レーザ光の照射が行われ、その後、ベベルの終端部においては、測距用レーザ光の反射光の全光量が閾値を超えるため、その地点でウェハエッジを検出すると（ベベルの終端部がウェハエッジ検出位置となる。）、予め設定された所定の距離（エッジ処理区間）においては、低追従ＡＦ制御の状態で加工用レーザ光の照射が行われ、最終的に、当該エッジ処理区間通過後に、低追従ＡＦ制御が解除され、ＡＦ追従走査に移行することが認められる（構成⑯’及び⑰’）。

そうすると、被告製品（低追従）では、「レンズを加工初期位置に保持した状態で前記第一のレーザ光の照射を開始し、・・切断予定ラインの一端部において前記改質領域を形成し」（構成要件２Ｒ）、「当該一端部における改質領域の形成後に、・・前記レンズを前記加工初期位置に保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）との要件を充足するものと認められる。

（ベベルあり）これに対し、被告は、被告製品（低追従）については、ベベルのある加工対象物のベベル部分においては、改質領域が形成されない旨主張する。しかしながら、弁論の全趣旨によれば、被告製品（低追従）において、ベベルありの加工対象物のベベル部分にレーザ照射を行った場合には、右の【断面図２】のとおりの加工痕が形成されることが認められることからすると、ベベル部分に改質領域が形成されていることが認められる。 【断面図２】仮に、被告が主張するとおり、改質領域がウェハ内の深い部分では形成されないことや、デブリが生じる可能性が認められるとしても、このことは、改質領域が形成されていること自体を否定するものとはいえず、上記認定を左右するものではない。したがって、被告の主張は、採用することができない。その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、上記において説示したところに照らすと、いずれも採用することができない。

イ加工対象物にベベルがない場合前記前提事実によれば、被告製品（低追従）は、ファースト・トレースモードにおいては、測距用レーザ光を照射するとともに、加工用レーザ光を照射する（構成⑳）。そして、べベルのないシリコンウェハを加工対象物として光量基準を適用した場合には、現実のウェハエッジ部分がウェハエッジ検出位置となるところ（構成⑰）、当該ウェハエッジ検出位置から予め定められ所定の距離（エッジ処理区間）においては、低追従ＡＦ制御がされたまま加工用レーザ光の照射が行われ、その後、エッジ処理区間通過後に、ＡＦ固定制御が解除され、ＡＦ追従走査に移行することが認められる（構成⑰）。

そうすると、被告製品（低追従）は、ベベルのないシリコンウェハを加工対象物とする場合には、「加工初期位置に保持した状態で・・一端部において前記改質領域を形成」（構成要件２Ｒ）との要件や、「改質領域の形成後に・・保持した状態を解除し」（構成要件２Ｓ）との要件を充足しないというべきである。

（ベベルなし）

ウ以上によれば、被告製品（低追従）は、加工対象物にベベルがない場合には構成要件２Ｒ及び２Ｓを充足しないものの、加工対象物であるシリコンウェハにベベルがある場合には構成要件２Ｒ及び２Ｓを充足することになる。したがって、被告製品（低追従）は、構成要件２Ｒ及び２Ｓを充足するものと認められる。

13 争点２－５（被告製品は「改質領域」（構成要件Ｉ、Ｐ、２Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ、３Ｉ）を形成するといえるか）（本件発明２全てに共通）被告は、本件明細書等２には、「レーザ加工装置１は、・・加工対象物Ｓの内部に集光点Ｐを合わせて加工用レーザ光Ｌ１（第一のレーザ光）を照射し、加工対象物Ｓの内部に多光子吸収による改質領域Ｒを形成する装置である。」（段落【００２５】）、「多光子吸収による改質領域Ｒを形成することができる。」（段落【００３８】）との記載があることを根拠に、「改質領域」とは、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限られるという解釈をし、被告製品におけるレーザ加工領域は多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものではないため、本件発明２の「改質領域」に該当しない旨主張する。

しかしながら、本件発明２の特許請求の範囲の記載には、「多光子吸収」という文言は存在せず、「改質領域」が多光子吸収によって形成されたものであると解されるような記載も存在しない。

また、本件明細書等２の【発明を実施するための最良の形態】においては、「レーザ加工装置１は、・・加工対象物Ｓの内部に多光子吸収による改質領域Ｒを形成する装置である。」(段落【００２５】)、「多光子吸収による改質領域Ｒを形成することができる。」（段落【００３８】）という記載が認められるものの、これは、一つの好適な実施例を示したものにすぎず、本件明細書等２のその余の記載をみても、改質領域の形成方法が当該実施例に限定される趣旨をいう記載は存在しない。そうすると、本件明細書等２は、多光子吸収により改質領域が形成された一例を掲げたものにすぎず、これを超えて、多光子吸収以外によって形成される改質領域を除外するものとはいえない。

のみならず、本件発明２の課題解決手段という観点からみても、本件発明２は、加工対象物の外側から内側に向かって主面の測定を行い、当該測定結果に基づき集光レンズを移動させると、加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合があるという課題（段落【０００４】）や、加工対象物の主面の測定時と加工時とでそれぞれ用いる手段を交換すると、手間を要するとともに、交換に伴うずれが生じるおそれがあるという課題（段落【０００５】）を解決するために、加工用のレーザ光を集光するレンズで測定用のレーザ光を集光するとともに、レンズを測定初期位置や加工初期位置に保持した状態でレーザ光の照射を行い、その後レンズを保持した状態を解除することにより、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除し、もって上記課題を解決するものである。そうすると、本件発明２の上記課題解決手段という観点からみても、「改質領域」が、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限られるということはできない。

そうすると、構成要件Ｉ、Ｐ、２Ｉ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ及び３Ｉにいう「改質領域」について、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されると解することはできない。

その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、本件発明２の特許請求の範囲及び本件明細書等２の各記載に照らし、被告の主張は、いずれも採用することができない。

14 争点２－６（被告製品は「制御手段」（構成要件Ｎ～Ｓ、２Ｎ～２Ｓ）を備えるか）

⑴ 前記前提事実によれば、被告製品は、構成⑦、⑩及び⑪のとおり、カッティングテーブルをＸ軸方向に動かす駆動機構、レーザ加工エンジンをＺ軸方向に動かす駆動機構及びピエゾアクチュエータを介して対物レンズを保持する機構を備えることが認められる。そして、構成⑫のとおり、これらの駆動機構やピエゾアクチュエータは、被告製品のコンピュータシステムにより制御されることが認められるから、被告製品は、「制御手段」（構成要件Ｎ、２Ｎ）を備えていることが認められる。

そして、争点２－１ないし２－４において説示したところに照らせば、被告製品（固定）は、本件発明２－１の構成要件Ｑ、本件発明２－２の構成要件２Ｑ、２Ｒ及び２Ｓにいう「制御手段」を備えること、被告製品（低追従）は、本件発明２－１の構成要件Ｑ及びＲ、本件発明２－２の構成要件２Ｑ、２Ｒ及び２Ｓにいう「制御手段」を備えることが、それぞれ認められる。

⑵ これに対し、被告は、被告製品は、海外の顧客への納品後に、エンジニアが数日間作業を行い、具体的にアプリケーション及びシステムを作成・調整することで、初めて、レーザ光の集光点に関する制御が決定されるものであり、その時点において「制御部」がようやく完成することになるから、国内に存在する限り、「制御手段」（構成要件Ｑ～Ｓ、２Ｑ～２Ｓ）を備えない旨主張するものの、同主張が採用できないことは、前記争点１－６において説示したところと同様である。

15 充足論についてのまとめ以上のとおり、被告製品は、少なくとも、本件発明２－１の構成要件Ｓを充足しないから、本件発明２－１の技術的範囲に属するものとは認められないものの、本件発明２－２の構成要件をいずれも充足するものであるから、本件発明２－２の技術的範囲に属するものと認められる。

そして、被告は、被告製品が本件発明２－３の構成要件３Ｉを充足することを争うものの、被告製品が同構成要件を充足することは、前記争点２－５において説示したとおりである。そうすると、被告製品は本件発明２－２（請求項１４）の構成要件をいずれも充足する以上、「請求項１０～１５のいずれか１項に記載のレーザ加工装置」（構成要件３Ｊ）の構成要件も充足するものと認められる。したがって、被告製品は、本件発明２－３の技術的範囲にも属するものと認められる。

16 争点３－１（乙２４発明に基づく進歩性の欠如）について

⑴ 乙２４発明の内容

ア証拠（乙２４）及び弁論の全趣旨によれば、乙２４公報には、次のとおりの記載があることが認められる。特許請求の範囲【請求項１】「基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子(110)の製造方法であって、前記半導体ウエハー(100)は第１及び第２の主面を有し該第１の主面(111)側及び／又は第２の主面(121)側からレーザーを前記半導体ウエハー(100)を介して照射し少なくとも前記基板(101)の第２の主面(121)側及び／又は前記基板(101)の第１の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103)を形成する工程と、前記スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。【請求項２】前記第１の主面(111)は基板(101)上の一方にのみ窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)の窒化物半導体積層側であり、

第２の主面(121)は半導体ウエハー(100)を介して第１の主面(111)と対向する基板露出面側である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。【請求項３】前記スクライブ・ラインは基板露出面に形成された凹部(103)である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。【請求項４】前記スクライブ・ラインは基板内部に形成された加工変質層(206)である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。発明の属する技術分野等「本発明は紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオードやレーザーダイオード、更には高温においても駆動可能な３-５族半導体素子の製造方法に係わり、特に、基板上に形成された窒化物半導体素子の製造方法に関する。」(段落【０００１】)「今日、高エネルギーバンドギャップを有する窒化物半導体（ＩｎXＧａYＡｌ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を利用した半導体素子が開発されつつある。窒化物半導体を利用したデバイス例として、青色、緑色や紫外がそれぞれ発光可能な発光ダイオードや青紫光が発光可能な半導体レーザが報告されている。更には高温においても安定駆動可能且つ機械的強度が高い各種半導体素子などが挙げられる。」(段落【０００２】)「通常、ＧａＡｓ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体材料が積層された半導体ウエハーは、チップ状に切り出され赤色、橙色、黄色などが発光可能なＬＥＤチップなどの半導体素子として利用される。半導体ウエハーからチップ状に切り出す方法としては、ダイサー、やダイヤモンドスクライバーが用いられる。ダイサーとは刃先をダイヤモンドとする円盤の回転運動によりウエハーをフルカットするか、又は刃先巾よりも広い巾の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によりカットする装置である。一方、ダイヤモンドスクライバーとは同じく先端をダイヤモンドとする針などにより半導体ウエハーに極めて細い線（スクライブ・ライン）を例えば碁盤目状に引いた後、外力によってカットする装置である。ＧａＰやＧａＡｓ等のせん亜鉛構造の結晶は、へき開性が「１１０」方向にある。そのため、この性質を利用してＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰなどの半導体ウエハーを比較的簡単に所望形状に分離することができる。」(段落【０００３】)「しかしながら、窒化物半導体を利用した半導体素子は、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓやＧａＡｓ半導体基板上に形成させたＧａＡｓＰ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体素子とは異なり単結晶を形成させることが難しい。結晶性の良い窒化物半導体の単結晶膜を得るためには、ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法などを用いサファイアやスピネル基板など上にバッファー層を介して形成させることが行われている。サファイア基板などの上に形成された窒化物半導体層を所望の大きさに切断分離することによりＬＥＤチップなど半導体素子を形成させなければならない。」(段落【０００４】)「サファイアやスピネルなどに積層される窒化物半導体はヘテロエピ構造である。窒化物半導体はサファイア基板などとは格子定数不整が大きい。また、サファイア基板は六方晶系という結晶構造を有しており、その性質上へき開性を有していない。さらに、サファイア、窒化物半導体ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質である。」(段落【０００５】)「したがって、ダイヤモンドスクライバーで切断することは困難であった。また、ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できなかった。また、場合によっては基板から窒化物半導体層が部分的に剥離する場合があった。」(段落【０００６】)「窒化物半導体の結晶性を損傷することなく半導体ウエハーを正確にチップ状に分離することができれば、半導体素子の電気特性や効率を向上させることができる。しかも、１枚の半導体ウエハーから多くの半導体チップを得ることができるため生産性をも向上させられる。」(段落【０００７】)「そのため窒化物半導体ウエハーはダイヤモンドスクライバーやダイサーを組み合わせて所望のチップごとに分離することが行われている。チップごとの分離方法として特開平８－２７４３７１号などに記載されている。具体的一例として、図５（Ａ）から図５（Ｄ）に窒化物半導体素子の製造方法を示す。サファイア基板(501)上に窒化物半導体層(502)が形成された半導体ウエハー(500)を図５（Ａ）に示している。サファイア基板下面側から窒化物半導体層に達しない深さでダイサー（不示図）による溝部(509)を形成する工程を図５（Ｂ）に示している。溝部(509)にスクライブ・ライン(507)を形成する工程を図５（Ｃ）に示してある。スクライブ工程の後半導体ウエハー(500)をチップ状の半導体発光素子(510)に分離する分離工程を図５（Ｄ）に示してある。これにより、切断面のクラック、チッピングが発生することなく比較的綺麗に切断することができるとされている。」(段落【０００８】)発明が解決しようとする課題「しかしながら、半導体ウエハーの一方のみにスクライブ・ラインなどを形成させると分離時に他方の切断面にクラック、チッピングが発生しやすい傾向にある。分離された窒化物半導体素子の一表面形状は揃えることが可能であるが、窒化物半導体素子の他方の表面形状ではバラツキが発生し、半導体ウエハーにクラックやチッピングが生じやすい。したがって、半導体ウエハーを分離するときに、スクライブ・ライン形成面側から形成されていない半導体ウエハー面側への割れかたを制御し完全に窒化物半導体素子の形状を揃えて切断することは極めて難しいという問題を有する。」(段落【０００９】)「他方、半導体ウエハーの両面にスクライブ・ラインを形成させ窒化物半導体ウエハーの割れ方を制御することは可能である。しかし、窒化物半導体ウエハーの両主面にスクライブ・ラインを形成するには半導体ウエハーをゴミの付着などを防止しつつ、ひっくり返し再度固定する工程が必要となり極めて量産性が悪くなる。また、サファイア基板上に形成された窒化物半導体の半導体ウエハー硬度は極めて高くダイヤモンドスクライバーのカッター刃先などの消耗、劣化が多くなり加工精度のバラツキ、刃先交換の為の製造コストが発生する。さらには、ダイヤモンドスクライバーでスクライブ・ラインを形成させると刃先の磨耗に応じてダイヤモンドスクライバーの加重を変えなければならない。また、ダイヤモンドスクライバーによりスクライブ・ラインを形成させるためにはそのダイヤモンドの刃先ごとに適した角度で接触させなければならず極めて量産性が悪いという問題を有する。」(段落【００１０】)「より小さい窒化物半導体素子を正確に量産性よく形成させることが望まれる今日においては上記切断方法においては十分ではなく、より優れた窒化物半導体素子の製造方法が求められている。」(段落【００１１】)「特に、窒化物半導体の結晶性を損傷することなく半導体ウエハーを正確にチップ状に分離することができれば、半導体素子の電気特性や効率を向上させることができる。しかも、１枚のウエハーから多くの窒化物半導体素子を得ることができるため生産性をも向上させられる。」(段落【００１２】)「したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくする。また、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく、かつ歩留まりよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成する製造方法を提供することを目的とするものである。」(段落【００１３】)課題を解決するための手段「本発明は、基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子(110)の製造方法である。特に、半導体ウエハー(100)は第１及び第２の主面を有し第１の主面(111)側及び／又は第２の主面(121)側からレーザーを半導体ウエハー(100)を介して照射し少なくとも基板(101)の第２の主面(121)側及び／又は基板(101)の第１の主面(111)側に形成された焦点にスクライブ・ライン(103)を形成する工程と、スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有する窒化物半導体素子の製造方法である。」(段落【００１４】)発明の実施の形態「本発明者らは種々実験の結果、窒化物半導体素子を製造する場合において半導体ウエハーの特定箇所に特定方向からレーザーを照射することにより、半導体特性を損傷することなく量産性に優れた窒化物半導体素子を製造することができることを見いだし本発明を成すに到った。」(段落【００２１】)「即ち、本発明の方法により窒化物半導体素子の分離ガイドとなるスクライブ・ラインを窒化物半導体層を損傷することなく窒化物半導体ウエハーを透過してレーザー照射面側以外の任意の点に形成することができる。特に、同一面側から窒化物半導体素子に悪影響を引き起こすことなく半導体ウエハーの両面を比較的簡単に加工することができる。以下、本発明の製造方法について詳述する。」(段落【００２２】)「半導体ウエハーとして、ＬＤ（laser diode）となる構成の窒化物半導体層をスピネル基板上に形成させた。具体的には、スピネル基板上に、ＧａＮのバッファー層、ｎ型ＧａＮのコンタクト層、ｎ型ＡｌＧａＮのクラッド層、ｎ型ＧａＮの光ガイド層、ＳｉをドープしＩｎの組成を変化させた多重量子井戸構造となるＩｎＧａＮの活性層、ｐ型ＡｌＧａＮのキャップ層、ｐ型ＧａＮの光ガイド層、ｐ型ＡｌＧａＮのクラッド層及びｐ型ＧａＮのコンタクト層が積層されている。この半導体ウエハーのスピネル基板側からＣＯ2 レーザーを照射して窒化物半導体層とスピネル基板の界面に加工変質層をスクライブ・ラインとして形成させた。スクライブ・ラインと略平行にダイサーによりスピネル基板上に溝を形成させる。ローラーにより溝に沿って加圧することで窒化物半導体素子を形成させた。分離された窒化物半導体素子は何れも端面が綺麗に形成されている。以下、本発明の工程に用いられる装置などについて詳述する。」(段落【００２３】)「（窒化物半導体ウエハー１００、２００、３００、４００）窒化物半導体ウエハー１００、２００、３００、４００としては、基板１０１上に窒化物半導体１０２が形成されたものである。窒化物半導体１０２の基板１０１としては、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウム単結晶など種々のものが挙げられるが量産性よく結晶性の良い窒化物半導体層を形成させるためにはサファイア基板、スピネル基板などが好適に用いられる。サファイア基板などは劈開性がなく極めて硬いため本発明が特に有効に働くこととなる。窒化物半導体は基板の一方に形成させても良いし両面に形成させることもできる。」(段落【００２４】)「なお、レーザーが照射された窒化物半導体ウエハーは、その焦点となる照射部が選択的に飛翔した凹部１０３、４０３或いは微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層２０６、３０８になると考えられる。また、第１の主面側、第２の主面側とは加工分離される半導体ウエハーの総膜厚を基準として、総膜厚の半分からその第１の主面或いは第２の主面に向けての任意の位置を言う。したがって、半導体ウエハーの表面でも良いし内部でも良い。さらに、本発明は第１の主面側及び／又は第２の主面側のレーザー加工に加えて半導体ウエハーの総膜厚の中心をレーザー加工させても良い。」(段落【００３０】)「（レーザー加工機）本発明に用いられるレーザー加工機としては、窒化物半導体ウエハーが分離可能な溝、加工変質層などが形成可能なものであればよい。具体的には、ＣＯ2レーザー、ＹＡＧレーザーやエキシマ・レーザーなどが好適に用いられる。」(段落【００３１】)「レーザー加工機によって照射されるレーザーはレンズなどの光学系により所望により種々に焦点を調節させることができる。したがって、同一方向からのレーザー照射により半導体ウエハーの任意の焦点に窒化物半導体を損傷させることなく溝、加工変質層などを形成させることができる。また、レーザーの照射面は、フィルターを通すことなどにより真円状、楕円状や矩形状など所望の形状に調節させることもできる。」(段落【００３２】)「レーザー加工機によるスクライブ・ラインの形成にはレーザー照射装置自体を移動させても良いし照射されるレーザーのみミラーなどで走査して形成させることもできる。さらには、半導体ウエハーを保持するステージを上下、左右、９０度回転など種々駆動させることにより所望のスクライブ・ラインを形成することもできる。以下、本発明の実施例について詳述するが実施例のみに限定されるものでないことは言うまでもない。」(段落【００３３】)「（実施例１）厚さ２００μm であり洗浄されたサファイアを基板としてＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物半導体を積層させ窒化物半導体ウエハーを形成させた。窒化物半導体は基板を分離した後に発光素子とすることが可能なよう多層膜として成膜させた。まず、５１０℃において原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス及びキャリアガスである水素ガスを流すことにより厚さ約２００オングストロームのバッファー層を形成させた。」(段落【００３４】)「最後に、反応装置の温度を１０５０℃に維持し原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＣｐ2Ｍｇガス及びキャリアガスとして水素ガスを流しｐ型コンタクト層として厚さ約０．５μm のＧａＮ層を形成させた（図１（Ａ））。（なお、ｐ型窒化物半導体層は４００℃以上でアニール処理してある。）こうして形成された半導体ウエハー１００を形成された窒化物半導体１０２が上になるように上下・左右の平面方向に自由に駆動可能なテーブル上に固定させた。レーザー光線（波長３５６ｎｍ）をサファイア基板１０１上に形成された窒化物半導体１０２側から照射し、焦点がサファイア基板１０１の略底面に結ばれるようにレーザーの光学系を調整した。調整したレーザーを１６Ｊ／ｃｍ2 で照射させながらステージを移動させることによりサファイア基板１０１の底面に深さ約４μm のスクライブ・ライン１０３を縦横に形成する。形成されたスクライブ・ライン１０３は、窒化物半導体ウエハー１００の主面から見るとそれぞれがその後に窒化物半導体素子１１０となる約３５０μm 角の大きさに形成させてある（図１（Ｂ））。」(段落【００３８】)「次に、レーザー加工機のレーザー照射部のみダイシングソーと入れ替え窒化物半導体ウエハーの固定を維持したままダイサーにより、半導体ウエハー１００に窒化物半導体１０２の上面からサファイア基板１０１に達する溝部１０４を形成する。ダイサーにより形成された溝部１０４は、レーザー照射により形成されたスクライブ・ライン１０３と半導体ウエハー１００を介して平行に形成されており、溝部１０４底面とサファイア基板１０１側の底面との間隔が、１００μm でほぼ均一にさせた（図１（Ｃ））。」(段落【００３９】)「スクライブ・ライン１０３に沿って、不示図のローラーにより荷重を作用させ、窒化物半導体ウエハーを切断分離することができる。分離された端面はいずれもチッピングやクラックのない窒化物半導体素子１１０を形成することができる（図１（Ｄ））。」(段落【００４０】)「実施例１ではレーザーが照射される窒化物半導体１０２が形成された半導体ウエハー１００の表面側ではなく窒化物半導体１０２及びサファイア基板１０１を透過した半導体ウエハー１００の裏面側となるサファイア基板１０１底面で集光されたレーザーによりスクライブ・ライン１０３が形成される。」(段落【００４１】)「半導体ウエハー１００の窒化物半導体１０２が形成された主面側（レーザー照射側）からサファイアなどの基板１０１に達する溝部１０４を形成することで、容易にかつ正確にスクライブ・ライン１０４に沿って窒化物半導体素子１１０を分割することができる。」(段落【００４２】)「なお、スクライブ・ライン１０３の形成をレーザーで行うため、ダイヤモンドスクライバーの如き、カッターの消耗、劣化による加工精度のバラツキ、刃先交換のために発生するコストを低減することができる。また、半導体ウエハーの片側からだけの加工で、半導体ウエハー両面から加工したのと同様の効果を得られ、上面、裏面においても形状の揃った窒化物半導体素子１１０を製造することが可能となり、製造歩留まりを高め、形状のバラツキが低減できる分、特に、切り代を小さくし、半導体素子の採り数を向上させることが可能となる。さらに、スクライブ・ライン１１０をサファイア基板１０１側の表面で形成させるためにレーザーによる加工くずが窒化物半導体１０２上に付着することなくスクライブ・ラインを形成することができる。」(段落【００４３】)「（実施例２）実施例１と同様にして形成させた半導体ウエハーに、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって窒化物半導体表面側から溝が形成されるサファイア基板との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体層２０５が形成された半導体ウエハーを用いる。なお、エッチング時にｐｎ各半導体が露出するようマスクを形成させエッチング後除去させてある。また、ｐｎ各半導体層には、電極２２０がスパッタリング法により形成されている（図２（Ａ））。」(段落【００４４】)「この半導体ウエハー２００を実施例１と同様のレーザー加工機に固定配置させた。実施例２においてもレーザー加工機からのレーザーを窒化物半導体ウエハーの窒化物半導体２０５側から照射し、焦点がサファイア基板２０１の底面から２０μm のサファイア基板内部に結ばれるようにレーザー光学系を調整する。調整したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ2 で照射させながらステージを移動させることによりサファイア基板の底面付近の基板内部に加工変質層２０６となるスクライブ・ラインを形成する（図２（Ｂ））。」(段落【００４５】)「次に、レーザー光学系（不示図）を調整し直し、焦点がエッチングにより露出されたサファイア基板２０１の上面（窒化物半導体の形成面側）に結ばれるように調整した。調整したレーザーを照射させながらステージを移動させることにより、半導体ウエハーに窒化物半導体層側の上面からサファイア基板に達する溝部を形成する。形成された溝部２０４は、加工変質層２０６とサファイア基板２０１を介して略平行に形成させてある。なお、レーザー照射により形成されたサファイア基板２０１上の溝部２０４は、溝部の底面とサファイア基板の底面との間隔が、約１００μm で、ほぼ均一になるように調整してある。さらに、レーザー光学系を調節し直し、焦点がサファイア基板２０１に設けられた溝部底面に結ばれるよう調節した。調節したレーザーを１４Ｊ／ｃｍ2 で照射させながらステージを移動させることにより、窒化物半導体が形成されたサファイア基板の露出面に設けられた溝部２０４の底面に深さ約３μm のスクライブ・ライン２０７を形成する（図２（Ｃ））。」(段落【００４６】)「続いて、溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって荷重をかけ半導体ウエハーを切断し、ＬＥＤチップ２１０を分離させた（図２（Ｄ））。」(段落【００４７】)「こうして形成されたＬＥＤチップに電力を供給したところいずれも発光可能であると共に切断端面にはチッピングが生じているものはほとんどなかった。歩留まりは９８％以上であった。」(段落【００４８】)「実施例２では半導体ウエハーの片面側からレーザーにより基板表裏両面にスクライブ・ラインを形成することで、厚みがある窒化物半導体ウエハーでもスクライブ・ラインに沿って簡単に窒化物半導体素子を分割することが可能となる。また、溝の形成される部分が、サファイア基板までエッチングされているため、溝形成による窒化物半導体への損傷がより少なく分離させた後の窒化物半導体素子の信頼性を向上させることが可能である。特に、スクライブ・ラインが形成されるとき、レーザーの焦点がサファイア基板内部で結ばれていることから、半導体ウエハーを固定している、テーブル若しくは粘着性シートを損傷することなく加工が実現できる。また、レーザー照射による加工くずの発生もない。なお、全てをレーザー加工でなく溝の形成をダイサーで行っても本発明と同様に量産性良く窒化物半導体素子を形成することができる。」(段落【００４９】)発明の効果「本発明の窒化物半導体素子の製造方法では、レーザー源から照射したレーザーをレンズなどの光学系で集光することにより、所望の焦点付近でエネルギーを集中させることができる。このエネルギー密度が非常に高くなった焦点でワークの加工がなされる。特に、窒化物半導体ウエハーを透過したレーザーの焦点を利用する。不要な分離部となる窒化物半導体ウエハーに光学系で調整したレーザーを照射し、必要な窒化物半導体層の損傷をすることなく窒化物半導体ウエハーのレーザー照射面に対して半導体ウエハーの反対側の面まで自由に加工を行うことが可能となる。」(段落【００６６】)「したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーを透過した所望の焦点での加工を利用することにより、窒化物半導体ウエハーを両面側から加工する必要がなく、片側からのみの加工で窒化物半導体ウエハーの表裏両面から加工したのと同じ効果を得ることができる。したがってより歩留まりを向上させ、且つ形状にバラツキが少ない窒化物半導体素子及びその量産性の良い製造方法を提供することができる。」(段落【００６７】)

イ乙２４発明の技術的特徴上記アの記載内容によれば、従来技術では、窒化物半導体がサファイヤ基板の上に積層された場合、サファイヤ基板は性質上劈開性を有していないことや、サファイヤ及び窒化物半導体のいずれも硬度が高いことから、ダイヤモンドスクライバーで切断することは困難であり、また、ダイサーで切断すると、その切断面にクラックやチッピングが生じてしまうという問題や、基板から窒化物半導体層が部分的に剥離してしまうという課題があり、他方、半導体ウエハーの両面にスクライブ・ラインを形成させる方法は、半導体ウエハーへのゴミの付着等を防止しつつ、半導体ウエハーを裏返して固定するという工程が必要となるため、量産性が低くなり、また、スクライブ・ラインを形成するためのダイヤモンド・スクライバーの刃先が消耗等することで、製造コストや精度差が生ずること等の課題があった。上記課題を解決するために、乙２４発明は、請求項記載の構成を備えることによって、半導体ウエハーの特定箇所に特定方向からレーザを照射することにより、窒化物半導体層を損傷することなく、窒化物半導体素子の分離ガイドとなるスクライブ・ラインをレーザ照射面以外の任意の点に形成した後に、レーザ照射部をダイシングソーと交換し、窒化物半導体の上面からサファイア基板に到達するような溝部を形成し、もって、スクライブ・ラインに沿って窒化物半導体素子を分割することを可能とするものであり、これにより、量産性を損なうことなく、また、切断面のクラックやチッピングの発生を少なくしながら、所望の形又はサイズに分離された窒化物半導体素子を製造するという効果を実現するものであると認められる。

⑵ 乙２４発明の構成

ア前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙２４公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。[構成１ａ]：基板上に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーを加工対象物とし、その内部に加工変質層であるスクライブ・ラインを形成するレーザ装置であって、[構成１ｂ]：前記加工対象物である基板上に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーが載置されるステージと、[構成１ｃ]：レーザ光を出射するレーザ光源と、[構成１ｄ]：前記ステージに載置された前記加工対象物である基板上に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーの内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、加工変質層であるスクライブ・ラインを形成させる集光用レンズと、［構成１ｅ］:レーザ光の焦点が前記加工対象物である基板上に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーの内部に位置するように、レーザー光学系を調整し、レーザー光の焦点が前記加工対象物である窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーの前記スクライブ・ラインに沿って移動するように、前記加工対象物である基板上窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーの厚さ方向と直交する方向にステージを移動させる処理部と、を備え、［構成１ｆ］:前記加工対象物は基板上に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーである［構成１ｇ］:レーザ加工機。

イ乙２４発明の認定についての補足説明加工対象物について（構成１ａ）被告は、乙２４発明の加工対象物は「半導体ウエハー」であると主張するのに対し、原告は、「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」であると主張する。

そこで検討するに、乙２４公報における特許請求の範囲の記載は、「基板上（101）に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)」（請求項１）というものであり、半導体ウエハーのうち「基板上に窒化物半導体が形成された」ものに限定されるものの、それ以上に、当該「基板」が「サファイア基板」であることを文言上限定するものではない。そして、前記認定事実によれば、乙２４公報の【発明の詳細な説明】には、「サファイアやスピネルなどに積層される窒化物半導体」(段落【０００５】)、「半導体ウエハーとして、ＬＤ（laser diode）となる構成の窒化物半導体層をスピネル基板上に形成させた。」（段落【００２３】)、「窒化物半導体１０２の基板１０１としては、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウム単結晶など種々のものが挙げられるが量産性よく結晶性の良い窒化物半導体層を形成させるためにはサファイア基板、スピネル基板などが好適に用いられる。」(段落【００２４】)との記載があるところ、これらの記載によれば、「サファイア基板」は、「基板」のうちの代表的な一例として掲げられるにすぎないことが認められる。そうすると、乙２４発明の加工対象物は、被告が主張するように「半導体ウエハー」全般をいうものと解することはできず、他方、原告が主張するように「サファイア基板に窒化物半導体を積層させた窒化物半導体ウエハー」に限定されるものと解することもできず、前記［構成１ａ］のとおり特定するのが相当である。「加工変質層であるスクライブ・ライン」が切断の起点となるものであるかについて（構成１ａ等）ａ被告は、乙２４公報には、「加工対象物であるスクライブ・ライン」（スクライブ・ライン２０６）が切断の起点となることが記載されている旨主張する。

しかしながら、乙２４公報の実施例２には、【図２】 【図２】のとおり、基板内部に形成した加工変質層によるスクライブ・ライン（２０６）と溝部底面に形成したスクライブ・ライン（２０７）の２つのスクライブ・ラインが存在するところ、「溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって荷重をかけ半導体ウェハーを切断し」(段落【００４７】)という記載からすれば、切断の起点となるのは、荷重が直接作用することになる溝部底面のスクライブ・ライン２０７であると認めるのが相当である。他方、「半導体ウエハーの両面にスクライブ・ラインを形成させ窒化物半導体ウエハーの割れ方を制御することは可能である」(段落【００１０】)という記載や、「窒化物半導体素子の分離ガイドとなるスクライブ・ラインを・・レーザー照射面側以外の任意の点に形成することができる。」(段落【００２２】)という記載を踏まえると、基板内部に形成した加工変質層によるスクライブ・ライン２０６は、飽くまで、溝部底面のスクライブ・ラインを起点として形成された割れ方を制御するためのものにすぎないと認められる。

したがって、被告の主張は、採用することができない。

ｂ被告は、スクライブ・ライン２０７の上部からローラーで力を加えることにより、上部から切断される場合であっても、スクライブ・ライン２０６と半導体ウエハーの底面を結ぶ亀裂については、スクライブ・ライン２０６が起点となる以上、スクライブ・ライン２０６が切断の起点となる旨主張する。

しかしながら、半導体ウエハーの底面に到達する亀裂がスクライブ・ライン２０６と結ばれているからといって、半導体ウエハーの切断自体が同スクライブ・ラインから開始されるということはできず、切断の起点となるということはできない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

ｃ被告は、乙２４公報の請求項４に係る発明には、スクライブ・ライン２０７を必須とせず、スクライブ・ライン２０６しか有しないものも想定していることから、スクライブ・ライン２０６が切断の起点となる旨主張する。

しかしながら、加工変質層であるスクライブ・ライン２０６が記載された【図２】においては、溝部底面にもスクライブ・ライン２０７が形成されている。そして、乙２４公報の【発明な詳細な説明】及び図面におけるその他の記載によっても、加工対象物の表面にスクライブ・ラインを形成することなく、加工対象物の内部にのみ、加工変質層であるスクライブ・ラインを形成する構成について開示されているものと認めることはできない。

そうすると、乙２４公報には加工変質層であるスクライブ・ライン２０６しか有しない構成が開示されていることを前提とした被告の上記主張は、その前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。

ｄ以上によれば、乙２４公報には、「加工変質層であるスクライブ・ライン」が切断の起点となるという構成が開示されているものと認めることはできない。

その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙２４公報の内容に照らし、いずれも採用することができない。

⑶ 一致点及び相違点上記⑵によれば、本件発明１と乙２４発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。

ア一致点本件発明１と乙２４発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を射出するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光する集光用レンズと、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記改質領域を形成するために、レーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に位置させた状態で前記切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を直線的に移動させる機能を有する制御部と、を備えるレーザ加工装置」である点において一致する。

イ相違点相違点２４－①本件発明１では、「改質領域」が「切断の起点」となるのに対し、乙２４発明では、「加工変質層であるスクライブ・ライン」が切断の起点となるか明らかではない点。相違点２４－②本件発明１の制御部は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として」、「集光用レンズを移動」させるのに対し、乙２４発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。相違点２４－③レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するようにするに当たって、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第1 移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙２４発明では、どのように調整しているか明らかではない点。相違点２４－④本件発明１の制御部は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙２４発明の制御部は、そのような機能を有していない点。相違点２４－⑤本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙２４発明では、加工対象物が「基板に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハー」であり、「改質領域」が溶融しているかどうか明らかではない点。

ウ相違点の認定についての補足説明被告は、本件発明１にいう「改質領域」は、多光子吸収が支配的に寄与して形成されるものに限定されるという前提に立った上、本件発明１では、「改質領域」が多光子吸収によって形成された領域であるのに対し、乙２４発明では改質領域がどのように形成され、どのような形状であるのか不明である点も相違点である旨主張する。

しかしながら、本件発明１の「改質領域」は多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されるものではないことは、争点１－１において説示したとおりであり、被告の主張は、前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。

ア前述のとおり、本件発明１と乙２４発明との間には相違点２４－①が存在するところ、相違点２４－①に係る構成の容易想到性につき、被告は具体的に主張立証するものではないから、この点をもっても、本件発明１は、乙２４発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。さらに、相違点２４－②についても、乙２４公報（段落【００４５】）によれば、焦点がサファイア基板の底面から２０μm のサファイア基板内部に結ばれるようにレーザー光学系を調整する旨記載されており、前記認定に係る乙２４発明の技術的意義に鑑みると、乙２４発明においては、集光レンズを移動するに当たり、底面を基準とすることに代えて、加工対象物のレーザ光入射面を基準とする動機付けを欠くものといえる。のみならず、乙２４発明は、前記認定事実のとおり、サファイア等の基板に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーの切断に特有の課題を解決するためのものであるから、乙２４発明に接した当業者において、加工対象物をサファイア等の基板に代えて、上記特有の課題がそもそも存在しないシリコンウェハに置き換えることにつき、動機付けがあるといえないことは明らかである。しかも、本件発明１の特許出願前に、そもそもサファイア等の基板に対する加工をシリコンウェハに適用し得たことを認めるに足りる的確な証拠もない。そうすると、その余の点について検討するまでもなく、本件発明１は、乙２４発明に基づいて容易に想到することができたものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

イその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙２４発明の技術的意義を正解するものとはいえず、いずれも前記判断を左右するに至らず、いずれも採用することができない。

17 争点３－２（乙２６発明に基づく進歩性の欠如）

⑴ 乙２６発明の内容

ア証拠（乙２６）及び弁論の全趣旨によれば、乙２６公報には、次のとおりの記載があることが認められる。特許請求の範囲破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体のガラス壁を破断するためまたはガラス板を分離するために破断点を形成する方法において、前記微小亀裂を前記ガラス壁またはガラス板の内部に形成することを特徴とする破断点を形成する方法（請求項１）。発明の属する技術分野「本発明は、破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体、特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため、またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成（produce）する方法に関する。」（段落【０００１】）「アンプル（いわゆる、ワンポイントカットまたはタングステンカットのアンプル（break-open ampoules））の開口部は、すでに多くの特許及び特許出願の対象となっている。しかしながら、ここで述べられた方法は全て多かれ少なかれ不利益をともなう。破断開封後さらに取り扱われるアンプルの破断縁はしばしばぎざぎざであって、傷つける恐れがあり、その恐れは相対的に広い範囲で変化する破断力がむしろ高い値にしばしば達するという事実によってさらに高められ、その結果、手はその瞬間極めて高い緊張にさらされ、アンプルの開封後制御できない方法で動き、ぎざぎざの破断した縁で傷つく。最後に、さらに、破断線又は破断片がアンプル本体に侵入し、使用できなくなるという問題がある。さらに、破断操作中に形成される破断ガラスは、アンプル中に存在する配合物を汚染する恐れがある。」(段落【０００３】)発明が解決しようとする課題と解決手段「本発明の目的は、破断開封アンプルを再現できかつ安全に開口する方法で破断開封アンプルの破断領域に所定の破断点を形成することにある。特に、破断開封が困難なアンプルを開封するときに生ずる傷の発生を避け、かつ、アンプルの開封で生ずるアンプル内の医薬品の損傷を妨げることを意図する。」(段落【００１３】)「本発明の目的は、破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体、特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため、またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成する方法において、前記微小亀裂を前記ガラス壁またはガラス板の内部に形成することを特徴とする破断点を形成する方法により達成される。」(段落【００１４】)「前記微小亀裂はレーザー照射により形成することが好ましい。」(段落【００１５】)「前記使用されるレーザー放射線はガラスが透明または少なくとも半透明の波長を有し、かつ、レーザーパルス時間は＜１ｍｓ、特に＜１００ｎｓであることが好ましい。」(段落【００１６】)発明の実施の形態「本発明によれば、適切な破断点は、微小亀裂が制御された方法でアンプルのガラス壁内部に形成されるという事実によって作られる。最初に述べた従来の技術であって、それぞれの場合にガラス壁がガラス表面からの微小亀裂により弱くなる技術に対して、問題の表面は本発明の方法を使用するときに損傷を受けない。」(段落【００２１】)「好都合なことに、本発明に従う微小亀裂は集中レーザー照射手段により形成される；アンプルの場合、従来技術から公知であるが、アンプルの首領域で生ずる。直径＜１００μm のレーザービームをガラス壁の中心に収束することが有益であることが証明された。このことを実施するために、ガラスが透明でありまたは少なくとも半透明である波長を備えるレーザー放射を利用することが必要なことは明らかである。レーザーパラメーターを好適に選択することにより、当業者は、制御された方法で微小亀裂の長さや幾何学的な配列などの形成及び促進を調節することができる。これを実施するための適切なパラメーターを見つけだすことは進歩性を要求せず、これらは当業者によって、例えば適切な通常の実験に基づいて容易に決定できる。上記から明らかなように、ガラス物体（例えば、アンプル）の種々の幾何学性に関するプロセスパラメーターを採用することは容易である。微小亀裂は、約１０～１０００Ｈｚの繰り返し周波数を備える単一レーザーパルスまたは一連のレーザーパルスを利用して形成できる。」(段落【００２８】)「相対的に長期保存及び輸送中でさえアンプルの安定性を保証するために、ガラス表面に垂直な亀裂の大きさは、ガラス壁厚の約０．５倍を越えるべきではない。」(段落【００３０】)「本発明方法の２つの実際に実施可能な実施態様は、アンプルの実施例を参照して説明する。」(段落【００３１】)「１）適切な破断点は、例えば適切な分割線に沿って周囲方向に配列した一若しくはそれ以上の微小亀裂領域によって、アンプル締め付け部の周囲の点に形成してよい。この方法（ワンポイントカット）では、破断開封するときにアンプルを配列又は調整するために適切な破断点をマークすることが必要である。」(段落【００３２】)「２）さらに、適切な破断点は、アンプルの首周りを走るように適切な分割線に沿って形成してよい（いわゆる破断リングアンプルに類似する方法）。この場合、アンプルは予め配列又は調整することなく破断開封できる。破断の適切な方向にマークをつける必要はない。限られた破断方法に対し、適切な破断点の角間隔は３０゜を越えるべきではない。」(段落【００３３】)「使用されたレーザー放射源は、Ｑ－スイッチまたはモードロックＮｄソリッドステートレーザーであることが好都合である。短焦点距離を備える適切な光システムは、必要により広いビーム断面を有するレーザービームを＜０．１ｍｍのスポット直径に収束する。大きい湾曲面を有すると、例えば、円柱または屈折の光システム（従来技術）により付加的な形状を備えるビームを提供する必要がある。非ガウスレーザービームプロファイルを用いると、破断方向に微小亀裂の付加的な配向を達成することが可能である。短いレーザーパルス時間のため、必要により、アンプル輸送の間適切な破断点を適用することができるが、これは壁の焦点位置を０．１ｍｍよりも精度よく維持するために、多くの支出が必要である。プロセスコントロールは、例えば、プラズマ形成の光電子的観察及びレーザーパラメーターの再調整によって実施してよい。」(段落【００３５】)「当然、本発明の方法は、適切な破断点をアンプルに適用するために好適であるばかりではない。この方法は、例えばガラス管を切断する等の多くの適用に対し、高品質、再現性を有する初期亀裂を得るために使用してよい。」（段落【００３６】）「この方法は、フラットガラスの分野において特殊な切断プロセスに用いてもよい（例えば、適切な形状（時計皿）のガラス片をガラス板から切断する）。」(段落【００３７】) 「本発明の実験的実施態様は図面を用いて示し、 【図１】下記により詳細に記述する。」(段落【００３８】)「図１は本発明に従って破断開封アンプルに適切な破断点を形成するための位置の図式レイアウトを示す。」(段落【００３９】)「図１において、適切な破断点はアンプルの首２（締め付け）の領域においてホウケイ酸ガラス製の２ｍｌアンプル１に形成する。」(段落【００４０】)「締め付けは、アンプルの製造方法において二次成形用具（forming tool）を用いてタレット装置上で直径６．５ｍｍ、壁厚０．８ｍｍに予め形成された。適切な破断点は図１で図式された更なるプロセスラインで適用され、ここで、アンプル１はチェインコンベヤーから、リフト装置３を使用してストップローラー４に対して持ち上げられる。アンプル１は、ローラー６が二次成形用具を追跡するような方法でローラー（roller table)５及び６上に置く。」（段落【００４１】)「パルス時間約１０ｎｓ、パルスエネルギー２５ｍＪのＱ－スイッチＮｄ：ＹＡＧレーザー７を使用して適切な破断点を作る。レーザービームは、焦点距離５０ｍｍのレーザーレンズ８を使用してガラス壁の中心に収束させる：直径は約０．１ｍｍである。適切な破断点がガラス壁の中心に形成されるように、アンプルの首２（締め付け）の直径は大きくて０．１ｍｍの公差を有する。１０Ｈｚのレーザー繰り返し周波数を用いると、３つの適切な破断点は周囲方向に沿って１ｍｍ間隔でアンプルの首に適用される。これを達成するために必要なアンプルの回転はローラー４の駆動によって行われる。」(段落【００４２】)「３つの適切な破断点は顕微鏡で見ることが可能で、アンプルを明確にかつ物理的に破断できる。」(段落【００４３】)

イ乙２６発明の技術的特徴上記アの記載によれば、従来技術では、ガラス物体であるアンプルを切断する際、従来の切断方法によると、切り口に細かい刻み目が生じて、アンプルを扱う人を傷付けたり、切断中に生じるガラスの破片によりアンプル中の配合物が汚染されたりするおそれがあった。このような課題を解決するために、乙２６発明は、請求項１記載の構成を備えることにより、レーザ照射等によりアンプルの破断領域に微小亀裂を発生させ、適切な破断点を形成することによって、アンプルを容易に切断することを可能にするものであると認められる。

⑵ 乙２６公報の引例適格性について原告は、無効２００５－８０１６６審決（甲２７）において、乙２６公報は、実施不可能であるという理由で引用例としての適格性が否定された文献であるとして、引用発明としての適格性を欠く旨主張する。

そこで検討するに、上記無効２００５－８０１６６審決（甲２７）においては、乙２６公報に記載された実施例の条件の下では、レーザービームの集光半径が小さいため、ガラス内部の所望の収束点に達する以前に、ガラス表面で多光子吸収が発生するほどのエネルギー密度となってしまう結果、ガラス内部にのみ多光子吸収による微小亀裂を生じさせることは不可能であるという理由に基づき、乙２６公報に記載された実施例は、実施不可能であり、発明が完成しているとはいえないとして、進歩性の判断に当たって乙２６公報の記載事項を考慮することはできないと判断されたものである（甲２７〔１５頁〕）。

しかしながら、前記⑴の記載によれば、乙２６公報には、レーザー照射によりアンプルの破断領域に微小亀裂を発生させ、適切な破断点を形成するための基本的な構成が開示されている (段落【０００１】、【００１３】、【００１４】、【００１５】、【００３２】、【００３３】)。そして、乙２６公報には、微小亀裂を発生させるレーザーの各種パラメーターについても、レーザパルス時間を１ｍｓ未満にすること、特に１００ｎｓ未満であることが好ましいことや、集光点の直径を１００μm 未満にすること、約１０～１０００Ｈｚの繰り返し周波数を備える単一レーザーパルス又は一連のレーザーパルスを利用することができることが記載されている（【００１６】、【００２８】）。のみならず、「これを実施するための適切なパラメーターを見つけだすことは進歩性を要求せず、これらは当業者によって、例えば適切な通常の実験に基づいて容易に決定できる。」（【００２８】）とまで記載されている。上記各記載によれば、仮に、実施例として開示されていた実験条件それ自体によっては、ガラス内部にのみ多光子吸収による微小亀裂を生じさせることができなかったとしても、乙２６公報に記載されているとおり、技術常識を踏まえた当業者による試行錯誤により、ガラス内部にのみ微小亀裂を生じさせることは可能であるといえるから、乙２６公報に開示されている実施例自体ではなく、被告主張に係る技術的思想の限度で乙２６公報を引用例として認定することができると認めるのが相当である。したがって、乙２６発明は、上記の限度で「刊行物に記載された発明」（特許法２９条１項３号）に該当するものとして、引用例としての適格性を否定されないというべきである。したがって、原告の主張は、採用することができない。

⑶ 乙２６発明の構成前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙２６公報には、被告主張に係る乙２６発明の構成が開示されていると認められる。

⑷ 一致点及び相違点上記⑵によれば、本件発明１と乙２６発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。

ア一致点本件発明１及び乙２６発明は、いずれも、「加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように」光学系を調整し、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備えるレーザ加工装置」である点において一致する。

イ相違点相違点２６－①本件発明１の加工対象物の形状は、「ウェハ状」であるのに対し、乙２６発明の加工対象物の形状は、「ローラーで回転される形状の物体（アンプル）」である点。相違点２６－②本件発明１の制御部は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として」、「集光用レンズを移動」させるのに対し、乙２６発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。相違点２６－③本件発明１の制御部は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙２６発明の制御部は、そのような機能を有していない点。相違点２６－④本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙２６発明では、加工対象物が「ガラス物体」であり、「改質領域」が溶融しているかどうか明らかではない点。

ウ相違点についての補足説明被告は、本件発明１では「改質領域」は多光子吸収が支配的に寄与して形成された領域であるのに対し、乙２６発明では「改質領域」がどのように形成され、どのような形状であるのか不明である点も相違点である旨主張するものの、同主張が採用できないことは、前記争点３－１（前記１６⑶ウ）において説示したところと同様である。

⑸ 容易想到性

ア本件事案に鑑み、相違点２６－④から判断する。前記認定事実のとおり、乙２６発明の課題は、「破断開封アンプルを再現できかつ安全に開口する方法で破断開封アンプルの破断領域に所定の破断点を形成することにある。特に、破断開封が困難なアンプルを開封するときに生ずる傷の発生を避け、かつ、アンプルの開封で生ずるアンプル内の医薬品の損傷を妨げることを意図する」(【００１３】)というものであることが認められる。そして、乙２６公報には、ガラス以外の材料を加工対象物とすることについては記載も示唆もされていないことからすれば、乙２６発明の加工対象物は、破断開封アンプル等のガラス物体であると認めるのが相当である。そして、そのようなガラス物体と本件発明１の加工対象物であるシリコンウェハとは、物質としての性質も用途も全く異なるものであるというべきであるから、乙２６発明に接した当業者において、加工対象物をシリコンウェハに置換することにつき、動機付けがあるといえないことは明らかである。これに対し、被告は、レーザ加工によってシリコンウェハを切断することは周知慣用技術である旨主張するものの、本件発明１の特許出願前において、乙２６発明のガラス物体の内部に破断点を形成する技術が、シリコンウェハの内部に切断の起点を形成する技術としても適用できる知見が存在したことを認めるに足りる的確な証拠はなく、被告の主張は、前提を欠く。そもそも、乙２６発明に接した当業者がガラス物体をシリコンウェハに置き換える動機付けを欠くことは、上記において説示したとおりであるから、被告の主張は、いずれにしても上記判断を左右するものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

イ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙２６発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。

ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、乙２６発明の技術的課題及びその解決手段に照らし、被告の主張は、いずれも採用することができない。

18 争点３－３（乙３３発明に基づく進歩性の欠如）

⑴ 乙３３発明の内容

ア証拠（乙３３）及び弁論の全趣旨によれば、乙３３公報には、次のとおりの記載があることが認められる。特許請求の範囲「半導体結晶ウェーハの表面方向からレーザー光を照射し、半導体結晶ウェーハの裏面近傍に焦点を結び、半導体結晶ウェーハの裏面を加工することを特徴とする半導体ウェーハの加工法。」（１頁左下５行～９行）発明の詳細な説明「又裏面全体に金属電極を付加した半導体結晶ウェーハをペレットに分割する場合、表面からの加工法によるスクライブでは裏面電極が切断されないため、半導体結晶は分離できても電極が連った複合ペレットが多く発生する欠点がある」（１頁右下７行～１２行）「本発明の方法はレーザー光のエネルギーよりもエネルギー禁止帯幅が大きい半導体結晶ではレーザー光がほとんど吸収されずに裏面に到達することを用い、レーザー光の焦点を半導体結晶ウェーハの裏面近傍に結ぶことにより半導体結晶ウェーハの裏面を表面からのレーザー光照射で加工することである。」（２頁左上４行～１０行）「本発明の実施例に用いられた半導体結晶はＧａＰであり、レーザー光はＹＡＧレーザーである。ＧａＰのエネルギー禁止帯幅は３．１ｅＶであり、ＹＡＧレーザーの発振波長１．０６μに相当するエネルギー約１．２ｅＶよりも充分大きく、従ってレーザー光はほとんど吸収されずＧａＰ結晶を透過する。ＧａＰ結晶ウェーハは第１図に断面が示されている。」（２頁左上１３行～１９行）「（１１１）面ＧａＰ単結晶基板１１上にＮ型層１２およびＰ型層１３を形成したＰ－Ｎ接合をもったＧａＰ結晶ウェーハに電極として表面に１５０μφの金、亜鉛、ニッケルから成るオーム性電極１４を０．４ｍｍの間隔で付加し、裏面には金とシリコン（２％）から成るオーム性電極１

５３０００Åを付加し、その上に金１６を約１μ付加してある。ＧａＰ結晶ウェーハの厚さは１６０μ±１０μである。」（２頁左上２０行～右上７行）「第２図に光学レンズ５１によって焦点を結ぶときの半導体結晶ウェーハ５２とレーザー光焦点５３の位置が示されている。第２図（ａ）は従来通常行なわれている表面からの加工における焦点位置であり、焦点は半導体結晶表面の近傍にある。第２図（ｂ）は本発明の方法におけるレーザー光焦点５３の位置であり、ＧａＰの屈折率３．３を考慮し、半導体結晶ウェーハを約４００μレンズに近づけて設定した。レーザー光の出力および半導体結晶ウェーハの移動速度を一定として、スクライブ溝を入れたときの溝の形状を調べた結果を表１に示す。」（２頁右上８行～１８行）「上記（ａ）、（ｂ）の各方法でスクライブ溝を入れたウェーハをローラー式のブレーキング装置を用い、条件を一定にしてペレットに分割したとき、連ったペレットの割合は表２のように裏面からスクライブ溝を入れた（ｂ）で少ない。（ａ）の方法で連ったペレットの多くはＧａＰ結晶は割れており、裏面電極が連っていることが認められた。」（２頁左下５行～１１行）実施例２「実施例１と同様な半導体結晶ウェーハを用い、先づ第２図（ｂ）の焦点位置に設定し、レーザー光の出力を下げるとともにＧａＰ結晶ウェーハの移動速度を３倍にして裏面をスクライブした後、第２図（ａ）の焦点位置に設定し、実施例１と同じ条件で表面からスクライブしてペレットに分割した。この両面からスクライブすることによりほとんど１００％連ったペレットを無くすることができた。」（２頁右下１３行～３頁左上１行）「本発明の実施例としてＹＡＧレーザーを用い、ＧａＰ結晶ウェーハのペレットに分割するためのスクライブ溝を入れることを例として説明したが、本発明の特長を活かしさらに複雑な加工にも適用可能であることはいうまでもない。半導体結晶ウェーハとしてはＹＡＧレーザーを用いる場合でもレーザ光の波長エネルギーよりも大きな禁止帯幅をもつ半導体結晶および多元素化合物半導体結晶の全てに適用できる。将来さらに波長エネルギーの小さいレーザー光の加工機が得られれば、さらにエネルギー禁止帯幅の小さい半導体結晶にも適用できる。」（３頁左上２行～１３行）「本発明の方法によれば裏面に表面電極パターンとの対応した電極や位置指定することなく表面電極のパターンに従って簡単にかつ正確に裏面の加工ができる。」（３頁左上１７行～２０行）

イ乙３３発明の技術的特徴上記アの記載によれば、従来技術では、半導体結晶ウェーハをペレットに分割するに当たって、表面をレーザ光でスクライブする方法を採用した場合、裏面電極が切断されないため、半導体結晶自体は分離できるものの、電極が連なった複合ペレットが多く発生してしまうという課題があった。

このような課題を解決するために、乙３３発明は、半導体結晶ウェーハの表面からレーザ光を照射する際に、半導体ウェーハの裏面近傍に焦点を設定することによって、表面電極のパターンに従って容易かつ正確に裏面の加工が可能となるという効果を実現するものであることが認められる。

⑵ 乙３３発明の構成

ア上記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙３３公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。［構成３３ａ］：ウェハ状の加工対象物の裏面に、分割の起点となるスクライブ溝を形成するレーザ加工装置であって、［構成３３ｂ］：前記加工対象物を移動させる装置と、［構成３３ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成３３ｄ］：前記加工対象物の裏面近傍に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記スクライブ溝を形成させる集光用レンズと、［構成３３ｅ］：レーザ光の焦点を前記加工対象物の裏面近傍に位置させた状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の分割予定ラインに沿って移動するように、前記各対象物の厚さ方向と直交する方向に前記加工対象物を移動させる機能を有する処理部と、を備え、［構成３３ｆ］：前記加工対象物はＧａＰ単結晶基板に電極が積層されたものである［構成３３ｇ］：レーザ加工装置。

イ乙３３発明の認定についての補足説明被告は、[構成３３ａ]につき、スクライブ溝が形成されるのは、ウェハ状の加工対象物の「裏面」ではなく、「内部」である旨主張する。

しかしながら、前記認定によれば、乙３３発明の特許請求の範囲には、「・・半導体結晶ウェーハの裏面を加工することを特徴とする半導体ウェーハの加工法」と記載されており、また、乙３３公報の実施例２には、「表面電極のパターンに従って簡単にかつ正確に裏面の加工ができる。」と記載されており、いずれも文言上、「裏面」が加工の対象とされていることが認められる。さらに、乙３３公報に記載された実施例１においても、ＧａＰ結晶ウェーハの裏面には、オーム性電極１５（０．３μm）及び金（約１μm）が積層されているにもかかわらず、裏面にスクライブ溝を設けることによって、裏面電極が連なっているペレットの割合が少なくなったことが記載されていることからすると（前記⑴ア）、この記載によれば、スクライブ溝は、文字通り、裏面に形成されている溝であるものと解するのが相当である。上記乙３３発明の特許請求の範囲及び乙３３公報の記載を踏まえると、スクライブ溝が形成されるのは、内部ではなく、文字通り、裏面であると認めるのが相当である。

そうすると、［構成３３ａ］、［構成３３ｄ］及び［構成３３ｅ］は、前記アのとおり認定するのが相当であり、これと異なる被告の上記主張は、いずれも採用することができない。

⑶ 一致点及び相違点上記⑵の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、本件発明１と乙３３発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。

ア一致点本件発明１と乙３３発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物を移動させる機能を有する制御部と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。

イ相違点相違点３３－①レーザ光の集光点が加工対象物の内部に位置するようにするに当たって、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙３３発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。相違点３３－②本件発明１の「制御部」は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙３３発明の制御部は、そのような機能を有しない点。相違点３３－③本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙３３発明では、加工対象物がＧａＰ単結晶基板に電極が積層されたものであり、「改質領域」が溶融しているかどうか明らかではない点。相違点３３－④本件発明１は、「加工対象物が載置される載置台」を備えるのに対し、乙３３発明では、加工対象物を移動させる装置は備えているが、それが載置台か否か明確ではない点。相違点３３－⑤本件発明１は、加工対象物の内部に改質領域を形成するのに対し、乙３３発明は、加工対象物の裏側にスクライブ溝を形成する点。

ウ相違点についての補足説明被告は、本件発明１では「改質領域」は多光子吸収が支配的に寄与して形成された領域であるのに対し、乙３３発明では改質領域がどのように形成され、どのような形状であるのか不明である点も相違点である旨主張するものの、同主張が採用できないことは、前記争点３－１（前記１６⑶ウ）において説示したところと同様である。

⑷ 容易想到性本件事案に鑑み、相違点３３－⑤から判断する。

ア被告は、乙２４公報には「加工対象物である半導体ウェハーの裏面にスクライブ・ラインを形成する代わりに、加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成するレーザ加工機」という発明（乙２４Ａ発明）が開示されているという前提に立ち、乙３３発明のように、加工対象物の裏面にレーザ照射をしてスクライブ・ラインを形成する場合には、加工くずの発生が従来から課題として知られていたところ、これに乙２４Ａ発明を適用することによって、加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成し、もって加工くずの発生を防止しようとすることは、当業者が容易に想到できる旨主張する。

しかしながら、乙２４公報には、加工対象物の表面にスクライブ・ラインを形成することなく、加工対象物の内部のみに加工変質層であるスクライブ・ラインを形成する構成を開示するものではないことは、前記争点３－１（前記１６⑵イ）において説示したとおりである。そうすると、乙２４公報には、被告の主張するような発明（乙２４Ａ発明）が開示されているということはできず、被告の主張は、前提を欠く。仮に、乙２４公報に被告の主張する乙２４Ａ発明が開示されている前提に立ったとしても、前記認定事実によれば、乙３３発明は、半導体結晶ウェーハの裏面にスクライブ溝を形成することにより、電極が連なった複合ペレットの発生を防止するという課題解決手段を採用するものであるところ、裏面にスクライブ溝を形成する代わりに、内部にスクライブ・ラインを形成した場合には、電極が連なった複合ペレットの発生を防止するという上記課題を解決することができなくなるといえるから、乙３３発明に乙２４Ａ発明を適用することには、阻害要因があるというべきであるしたがって、被告の主張は、採用することができない。

イ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙３３発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。

ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙３３発明が採用する課題解決手段に鑑みると、いずれも採用することができない。

19 争点３－４（乙３４発明に基づく進歩性の欠如）

⑴ 乙３４発明の内容

ア証拠（乙３４）及び弁論の全趣旨によれば、乙３４公報には、次のとおりの記載があることが認められる。特許請求の範囲「レーザ発振器と、このレーザ発振器から照射されるレーザ光線を集光し被加工体に照射する集光光学系とを有し、被加工体内でレーザ光線の集光点を移動でき、被加工体を加工し得ることを特徴とするレーザスクライブ装置。」発明の詳細な説明「本発明はレーザスクライブ装置に係り、特に透明な被加工体を容易に加工し得るレーザスクライブ装置に関する。」（１頁左下１０行～１２行）「そこで、サフアイヤ等の半導体基板を分割するためにレーザ光線を使用して従来の方法のごとく半導体基板の表面にレーザ光線を集光して溝をつけ、つまりスクライブして半導体基板を分割する方法ではサファイヤがレーザ光線に対して透過性を有するため、レーザ光線を透過しない被加工体に比べ溝が浅くなり、分割する場合に不規則に割れ、半導体基板上の回路・素子を破壊もしくは損傷するという欠点があつた。そこで基板に溝をより深くつけるようにスクライブすると半導体基板表面にレーザ光線を長時間照射しなくてはならず能率が悪く、また半導体基板上の回路・素子を熱等により破壊したり損傷したり、また寿命を短かくする等の悪影響をもたらす欠点があつた。」（１頁右下９行～２頁左上２行）「本発明の目的はこれらの欠点を除去し、被加工体例えばレーザ光線に対して透過性を有する物体をスクライブして分割するに際し容易に分割することができるレーザスクライブ装置を提供することにある。」（２頁左上３行～７行）「本発明においては、これらの目的を達成するため被加工体例えばサフアイヤ等のレーザ光線に対し透過性を有する物質内でレーザ光線の焦点を移動できることに注目し、レーザ発振器と、このレーザ発振器から照射されるレーザ光線を集光し被加工体に照射する集光光学系を備えており、前記集光光学系により集光された集光点を前記被加工体内で移動して、例えば集光点を被加工体の集光光学系の面に一致させ、その後その反対側の面に合わせ、被加工体を加工し得るレーザスクライブ装置を提供する。」（２頁左上８行～１８行）「以下本発明の被加工体としてサフアイヤで形成された半導体基板を用いてスクライブする装置の一実施例を図を参照しなから説明する。第１図は本発明の前記一実施例の一部を拡大した構成図で、レーザ発振器１のレーザ光線照射方向にレーザ光線が直角に曲るように、レーザ光線を反射し、可視光を透過するようなダイクロイツクミラー２を設ける。このダイクロイツクミラー２で反射したレーザ光線の光軸に合うように光軸を一致させ、このレーザ光線を集光させる集光光学系例えば凸レンズ３を設ける。この凸レンズ３をダイクロイツクミラー２で反射されたレーザ光線の光軸方向に移動するため光学系駆動装置４を設ける。凸レンズ３で集光されたレーザ光線の焦点が照射されるようにサフアイヤの半導体基板５を設ける。この半導体基板５は移動装置６によつて移動される。この移動装置６はテーブル７とテーブル移動装置８を有しており、テーブル７の上には半導体基板５の回路、素子等が形成されていない面（以下裏面９と呼び、形成されている面を表面１０と呼ぶ）がテーブル７の面に接するように載置され、このテーブル７はテーブル移動装置８により凸レンズ３の光軸と垂直方向に移動される。」（２頁左上１９行～左下１行）「その後、テーブル移動装置８によつてテーブル７を移動させ半導体基板５の表面１０の所望位置に前記焦点を設定する。従って、レーザ発振器１より照射されたレーザ光線はダイクロイツクミラー２で反射され、凸レンズ３に導びかれ半導体基板５の表面１０の前記の位置に集光する。そして 【第２図⒝ 】テーブル７が所望方向に移動できるようにテーブル移動装置８を可動させると、第２図（ａ）に示した溝１５が半導体基板５の表面１０に形成される。その後、半導体基板５がレーザ光線を透過することを利用し、レーザ光線の集光点を半導体基板５の裏面９の前記した溝１５の下の所望の位置に設定する。例えばまず、光学系駆動装置４によって凸レンズ３を駆動し、凸レンズ３の焦点を半導体基板５の裏面９に一致させ、その後テーブル移動装置８を移動し半導体基板５の裏面の前記溝１５の下の所望位置に設定する。この状態でレーザ光線をレーザ発振器より照射すれば前記のように裏面９にレーザ光線が集光する。その後テーブル７をテーブル駆動装置８を駆動して所望方向に移動すると第２図（ｂ）に示すように表面１０の溝１５に合わせて裏面９をスクライブすることになり、溝１６は溝１５の下で半導体基板５の裏面９に形成される。」（２頁左下２０行～３頁左上３行）「このように半導体基板５の両面に対向してスクライブした後に分割すれば第２図（ｂ）の点線１７より割れ、その分割面は、ほぼ直線状に割れる。」（３頁左上１７行～１９行）「また被加工体面をスクライブするのに本一実施例ではテーブル駆動装置でテーブルを移動しているが、集光光学系をレーザ光線の照射方向に対して垂直に移動し、レーザ光線の集光点を移動してスクライブをしてもよい。」（３頁右上４行～８行）「また本発明の一実施例としてサフアイヤの半導体基板について述べたが、このように被加工体がレーザ光線に対し透過性を有するものに対して効果的にスクライブできるものである。」（３頁左下６行～９行）

イ乙３４発明の技術的特徴上記アの記載によれば、従来技術では、レーザ光に対して透過性を有するサファイヤ等の物質が半導体基板に使用された場合、レーザ光を透過しない物質に比べてレーザ光による溝が浅くなるため、分割する際に不規則に割れたり、基板上の回路や素子を損傷したりするおそれがある一方で、溝を深くするためにレーザ光の照射時間を長くすると、能率が悪くなったり、熱等により基板上の回路や素子を損傷したりするおそれがあるという課題があった。このような課題を解決するために、乙３４発明は、特許請求の範囲記載の構成を備えることにより、レーザの集光点を加工対象物の一面に一致させて溝を加工した後に、集光点を反対側の面に合わせて溝を加工し、もって、相互に対向した溝を形成するレーザスクライブ装置を提供するものであり、これによって、レーザ光に透過性を有するサファイヤ等の半導体基板についても、両面に対向した溝に沿ってスクライブした後に分割することで、半導体基板上の回路や素子を破壊・損傷することなく分割することを可能とするという効果を実現するものであると認められる。

⑵ 乙３４発明の構成

ア上記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙３４公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。［構成３４ａ］：半導体基板である加工対象物の表面及び裏面に、そのいずれかが分割の起点となる相互に対向する溝（１５及び１６）を形成するレーザスクライブ装置であって、［構成３４ｂ］：前記加工対象物が載置されるテーブルと、［構成３４ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成３４ｄ］：前記テーブルに載置された前記加工対象物の表面及び裏面に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、それらのレーザ光の集光点の位置で前記相互に対向する溝（１５及び１６）を形成させる凸レンズと、［構成３４ｅ］：レーザ光の焦点を前記加工対象物の表面及び裏面に位置させた状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の分割予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記テーブルを移動させる機能を有する処理部と、を備え、［構成３４ｆ］：前記加工対象物はサファイアの半導体基板である［構成３４ｇ］：レーザスクライブ装置。

イ乙３４発明の認定の補足説明被告は、［構成３４ａ］及び［構成３４ｄ］につき、「裏面」のみに溝を形成するものである旨主張する。

しかしながら、前記認定事実によれば、乙３４公報の特許請求の範囲は、「被加工体内でレーザ光源の集光点を移動でき」と規定しているところ、乙３４公報の発明の詳細な説明には、課題の解決の手段として、「集光点を前記被加工体内で移動して、例えば集光点を被加工体の集光光学系の面に一致させ、その後その反対側の面に合わせ、被加工体を加工し得るレーザスクライブ装置」という記載があることが認められ、実施例においても、「半導体基板５の両面に対向してスクライブした後に分割すれば（中略）その分割面は、ほぼ直線状に割れる。」という記載があることが認められる。

上記認定事実及び前記認定に係る乙３４発明の技術的特徴によれば、甲３４発明は、加工対象物の内部で集光点を移動させることにより、表面と裏面の双方に、互いに対向する溝を形成することで、加工対象物の分離を容易にするものであることが認められる。

そうすると、［構成３４ａ］及び［構成３４ｄ］は、「裏面」のみではなく、「表面及び裏面」の両面に溝を形成するものとして、それぞれ前記アのとおり認定するのが相当である。したがって、被告の主張は、採用することができない。

⑶ 一致点及び相違点上記⑵の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、本件発明１と乙３４発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。

ア一致点本件発明１と乙３４発明は、いずれも「ウェハ状の加工対象物に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物に位置」した状態で、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備えるレーザ加工装置」である点において一致する。

イ相違点相違点３４－①レーザ光の集光点が加工対象物に位置するようにするに当たって、本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙３４発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。相違点３４－②本件発明１の「制御部」は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙３４発明の制御部は、そのような機能を有しない点。相違点３４－③本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙３４発明では、加工対象物がサファイアの半導体基板であり、「改質領域」が溶融しているかどうかは明らかではない点。相違点３４－④本件発明１は、「加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域」を形成するのに対し、乙３４発明では、「加工対象物の表面及び裏面に、そのいずれから分割の起点となる相互に対向する溝（１５及び１６）を形成する」ものである点。

ウ相違点についての補足説明被告は、本件発明１では「改質領域」は多光子吸収によって形成された領域であるのに対し、乙３４発明では改質領域がどのように形成され、どのような形状であるのか不明である点も相違点である旨主張するが、同主張を採用することができないことは、前記争点３－１（前記１６⑶ウ）において説示したところと同様である。

ア本件事案に鑑み、相違点３４－④から判断する。

被告は、乙２４公報には「加工対象物である半導体ウェハーの裏面にスクライブ・ラインを形成する代わりに、加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成するレーザ加工機」という発明（乙２４Ａ発明）が開示されているという前提に立ち、乙３４発明のように、加工対象物の表面又は裏面にレーザ照射をしてスクライブ・ラインを形成する場合には、加工くずの発生が従来から課題として知られていたところ、これに乙２４Ａ発明を適用することによって、加工対象物の内部にスクライブ・ラインを形成し、もって加工くずの発生を防止しようとすることは、当業者が容易に想到できる旨主張する。

しかしながら、乙２４公報には、加工対象物の表面にスクライブ・ラインを形成することなく、加工対象物の内部のみに加工変質層であるスクライブ・ラインを形成する構成を開示するものではないことは、前記争点３－１（前記１６⑵イ）又は前記争点３－３（前記１８⑷ア）において説示したとおりである。そうすると、乙２４公報には、被告の主張するような発明（乙２４Ａ発明）が開示されているということはできず、被告の主張は、前提を欠く。仮に、乙２４公報に被告の主張する乙２４Ａ発明が開示されている前提に立ったとしても、前記認定事実によれば、乙３４発明は、被加工体の表面と裏面の双方を加工し、相互に対向する溝を形成することで、被加工体の分離を容易にするという課題解決手段を採用するものであるところ、このような２つの溝を形成する代わりに、内部にスクライブ・ラインを形成した場合には、被加工体の分離を容易にするという上記課題を解決することができなくなるといえるから、乙３４発明に乙２４Ａ発明を適用することには、阻害要因があるというべきであるしたがって、被告の主張は、採用することができない。

イ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙３４発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。

ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙３４発明が採用する課題解決手段に鑑みると、いずれも採用することができない。

20 争点３－５（乙２５に基づく進歩性の欠如）

⑴ 乙２５発明の内容証拠（乙２５）及び弁論の全趣旨によれば、乙２５公報には、次のとおりの記載があることが認められる。

ア特許請求の範囲

⑴ 透明材料に吸収されない高エネルギービームを透明材料内部に焦点を結ばせて照射することを特徴とする透明材料の切断加工方法。

⑵ 特許請求の範囲第１項において、透明材料の下側に高エネルギービームの焦点を合せ、次に、上方に焦点を移動させる透明材料の切断加工方法。

⑶ 特許請求の範囲第１項ないし第２項のいずれかにおいて、透明材料は石英ガラスである透明材料の切断加工方法。

⑷ 特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかにおいて、高エネルギービームはエキシマレーザである透明材料の切断加工方法。

イ発明の詳細な説明従来の技術「従来、石英ガラスなどの種々の透明材料を切断加工する方法として、バンドソーや内周刃などの直線的な切断機や、コアドリル、円筒研削機などの円形の加工機械が使用され直線状または、円筒状の加工がおこなわれている。また、不定形の切断加工には炭酸ガスレーザを使用したレーザ加工機等が使用されている。」（１頁右下３行ないし９行）発明が解決しようとする課題「従来の切断加工機械のバンドソーや、内周刃などでは直線的な切断加工のみであり、また、コアドリル、円筒研削機などの円形の加工機械は、円筒形の切断のみであり、複雑な加工には使用できなかった。炭酸ガスレーザを利用したレーザ切断機では、炭酸ガスレーザビームの波長はガラスを透過しないため、材料表面部に集光し表面より溶断して行くが、この場合溶断表面より内部へ進行するに従って、溶断面のピットによりレーザビームがさえぎられるので、溶断する厚さに対し限度があり、現状では１０ｍｍ程度が限界である。

本発明は、石英ガラスなどの透明材料を複雑な形状に切断加工することを目的とし、被加工物の厚味に影響を受けず、厚板であっても自由な切断加工を可能とすることを目的としている。」（１頁右下１１行ないし２頁左上５行）課題を解決するための手段「そこで、本発明は、石英ガラスなどの透明材料に吸収されない高エネルギービームを透明材料内部に焦点を結ばせて照射し、透明材料内部に微小なクラックを発生させることによって透明材料を切断加工しようとするものである。透明材料としては、例えば、光学ガラス、石英ガラスなどの無機ガラス、アクリル樹脂などの透明樹脂等が挙げられる。高エネルギービームとしては、ＸｅＦ（３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザーや、ＹＡＧレーザ及びその高調波等が挙げられる。透明材料の高エネルギービームに対する吸収特性に応じて、適切な高エネルギービームを選択する必要がある。高エネルギービームは、１００Ｈｚ以上の高くりかえし周波数の方が効率的である。」（２頁左上７行～２頁右上４行）「焦点の移動は、光学的に焦点位置を移動させても、また、ワークを移動させても良く、操作しやすい方法を適宜選択できる。焦点は、最初ワークの下側にあわせ、それから上方に移動させるのが効率的である。最初に、ワークの上方に焦点を合せると、切断部分により高エネルギービームが部分的に切断されてしまい作業効率が悪くなるからである。」（２頁右上欄５行～１２行）作用「透明材料に吸収されない高エネルギービームを、レンズやミラーから構成される光学系を介して透明材料の内部に焦点を合せ、高エネルギービームを透明材料内部に照射する。すると、高エネルギービームの照射された箇所に数十ミクロン以下の微小なクラックが発生する。高エネルギービームの照射位置を移動させて、透明材料に連続的なクラックを発生させることによって透明材料を切断加工する。」（２頁右上１７行～２頁左下５行）「クラックの発生について更に詳しく説明する。固体中では、荷電子のエネルギー準位は帯状のいわゆるバンド構造をとっている。絶縁体ではバンドギャップ以下のフォトンエネルギーのフォトン、すなわち、長波長の光は吸収しない。しかし、バンドギャップよりも低エネルギーの光でも、レンズで集光するなどしてフォトン密度を極端に高くすると、２個あるいは、それ以上のフォトンを同時に吸収することにより、電子が充満帯（エネルギーギャップよりエネルギーの低いエネルギーバンド）から伝導帯（エネルギーギャップよりエネルギーが高く、通常の状態では電子の存在しないエネルギーバンド）に励起される。このように、フォトンを同時に２個吸収することを２光子吸収、さらに一般に複数個吸収することを多光子吸収という。」（２頁左下６行～２頁右下１行）「この発明においては、多光子吸収を利用して、バンドギャップよりエネルギーが低く、本来、吸収の起こらない波長の光を透明材料に吸収させることにより、透明材料の結合ボンドを切断したり、あるいは、発熱を利用して微小なクラックを透明材料内部に発生させるのである。」（２頁右下２行～７行）実施例「実施例１透明材料として１５０×１５０×１５０ｍｍの合成石英ガラス（ＯＨ１３００ｐｐｍ含有）を使用し、高エネルギービームとしては、不安定共振器を用いたエキシマレーザ（ＫｒＦ２４８ｎｍエネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ２・パルス、くり返し周波数１５０Ｈｚ）を使用し、焦点距離５００ｍｍのレンズで集光し、ミラーで反射させ、上面を予め研磨したワークである厚板の合成石英ガラスの内部にエキシマレーザビームの焦点を合せエキシマレーザをワークの上面から照射し、ワークを３ｒ．ｐ．ｍの回転数で回転させながら、焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワーク底面より引き上げることにより、直径３０ｍｍの円筒形の孔を開けた。このとき、ワーク内部におけるエキシマレーザのビームの垂直方向の焦点位置は、レンズの位置を移動させることによって変化させた。また、ワーク内部での焦点位置の水平方向の移動は、ワーク自体を水平方向に移動させることによっておこなった。切断に当っては、焦点位置は、ワークの底面から上方向に移動させた。」（３頁左上１３行～３頁右上１５行）効果「以上、述べてきたように、透明材料の内部に焦点をあわせ、透明材料に対し吸収の無い高エネルギービーム、例えば、石英ガラスに対しエキシマレーザを照射すると、微細なクラックが透明材料の内部に発生する。これを連続させることによって透明材料を複雑な形状に切断加工できる。焦点をワークの内部に結ばせているのでワークの厚味に影響を受けず、自由な形状に加工できる。焦点の移動をコンピュタにプログラムしておくことによって、円錐形、ひょうたん型など、その形状は制約を受けないといってよいものである。」（３頁右上１６行～３頁左下７行）

ウ乙２５発明の技術的特徴上記ア及びイの記載によれば、従来技術では、石英ガラスなどの透明材料を不定形に切断加工するに当たって、直線状又は円筒状の加工しかできない直線的な切断機器や円形の加工機器ではなく、炭酸ガスレーザを使用したレーザ加工機等が使用されていたが、その場合、溶断表面より内部へ進行するに従って溶断面のピットによりレーザビームがさえぎられるため、溶断する厚さに対し限度があり、溶断できる厚さが１０ｍｍ程度に限られてしまうという課題があった。このような課題を解決するために、乙２５発明は、特許請求の範囲に記載された構成を備えることにより、石英ガラスなどの透明材料に吸収されない高エネルギービームを透明材料内部に焦点を結ばせて照射し、その内部に微小なクラックを発生させ、その際に、照射位置を移動させて連続的なクラックを発生させることにより、透明材料についても複雑な形状での切断加工を可能にするという効果を実現するものであると認められる。

⑵ 乙２５発明の構成

ア前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙２５公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。［構成２５ａ］：厚板の合成石英ガラスである加工対象物の内部に、連続的なクラックを形成するレーザ加工装置であって、［構成２５ｂ］：前記加工対象物が載置される載置台と、［構成２５ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成２５ｄ］：前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で微小なクラックを形成させるレンズと、［構成２５ｅ］：前記加工対象物の切断予定ラインに沿って切断予定ラインに沿って複数の前記微小なクラックを形成させ、前記連続的なクラックを形成するために、前記レーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に位置させた状態で、前記レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物を回転させつつ、前記レンズを垂直方向に移動させる機能を有する処理部と、を備え、［構成２５ｆ］：前記加工対象物は厚板の合成石英ガラスである［構成２５ｇ］：レーザ加工装置。

イ乙２５発明の認定の補足説明被告は、乙２５公報には、加工対象物の内部に「切断の起点となる改質領域」を形成する構成が開示されている旨主張する。しかしながら、前記認定事実によれば、乙２５公報には、切断の機序につき、「透明材料に連続的なクラックを発生させることによって透明材料を切断加工する。」（前記ア）、「微細なクラックが透明材料の内部に発生する。これを連続させることによって透明材料を複雑な形状に切断加工できる。」（前記ア）という記載があることが認められるものの、それ以上に具体的な機序を開示するものではない。そうすると、加工対象物の内部に形成された「微小なクラック」や「連続的なクラック」がどのように作用して切断されるのかは、明らかではないというほかなく、連続的なクラックが「切断の起点」となることまでを開示するものと認めることができない。したがって、［構成２５ａ］については、上記アのとおり認定するのが相当であり、被告の主張は、採用することができない。

⑶ 一致点及び相違点上記⑵の認定事実及び弁論の全趣旨に照らせば、本件発明１と乙２５発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。

ア一致点本件発明１と乙２５発明は、「加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に位置させた状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、集光点を移動させる機能を有する制御部と、を備えるレーザ加工装置」である。

イ相違点相違点２５－①本件発明１では、加工対象物が「ウェハ状の」「シリコンウェハ」であるのに対し、乙２５発明では、加工対象物が「厚板の合成石英ガラス」であること。相違点２５－②本件発明１は、レーザ光の集光点を直線的に移動させるのに対し、乙２５発明では、加工対象物を回転させている点。

そして、本件発明１は、上記直線的に移動させるに当たり、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」、更に、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させるのに対し、乙２５発明では、どのように調整、移動等しているのか明らかでない点。相違点２５－③本件発明１では、加工対象物内部の「改質領域」が「切断の起点」となるのに対し、乙２５発明では、加工対象物内部の「改質領域」が「切断の起点」となるか否かが明らかではない点。

ア相違点２５－①について検討するに、前記認定事実によれば、乙２５発明は、石英ガラスなどの透明材料を加工対象物とすることを前提とするものであり、乙２５公報には、シリコンウェハを加工対象物とすることの記載も示唆もないことが認められる。仮に、加工対象物をシリコンウェハに置き換えた場合にも、本件発明１の特許出願前に、石英ガラスの場合と同様の作用機序によって、シリコンウェハについても連続的なクラックが発生するとの知見があったことを認めるに足りる的確な証拠はない。そうすると、乙２５発明に接した当業者が、加工対象物をシリコンウェハに置き換える動機付けを欠くものといえる。そもそも、前記認定に係る乙２５発明の技術的特徴によれば、乙２５発明は、炭酸ガスレーザを使用したレーザ加工機等が使用された場合、溶断表面より内部へ進行するに従って溶断面のピットによりレーザビームがさえぎられるため、溶断する厚さに対し限度があり、溶断できる厚さが１０ｍｍ程度に限られてしまうという課題を解決し、もって厚板であっても複雑な形状の切断加工を可能にするものである。しかも、前記認定事実によれば、乙２５発明は、透明材料の内部に微小なクラックを発生させるものであると認めるのが相当であるから、乙２５発明をシリコンウェハの加熱溶融に適用するには、技術分野の共通性を明らかに欠くものといえる。そうすると、乙２５発明に接した当業者において、技術分野も異なる上、上記課題を有しないことが明らかである、厚さの極めて薄く複雑な形状の切断加工を求められないシリコンウェハに厚板の合成石英ガラスを置き換えることにつき、動機付けが認められないことは明らかである。

イのみならず、相違点２５－②に係る本件発明１の構成についても、乙２５発明は、厚板であっても自由な切断加工を可能とするものであるから、一応直線状に加工する態様も含まれるといえるものの、相違点２５－②に係る本件発明１のような動作を行うことにつき、記載も示唆も一切されていないのであるから、乙２５発明に接した当業者が相違点２５－②に係る本件発明１の構成を容易に想到できるものと認めることはできない。

ウこれに対し、被告は、レーザ加工によってシリコンウェハを切断することは周知慣用技術である旨主張するが、本件発明１の特許出願前に、石英ガラスの場合と同様の作用機序によって、シリコンウェハについても連続的なクラックが発生するとの知見があったことを認めるに足りる的確な証拠はない。そもそも、乙２５発明に接した当業者が厚板の合成石英ガラスをシリコンウェハに置き換える動機付けを欠くことは、上記において説示したとおりであるから、被告の主張は、いずれにしても上記判断を左右するものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

エ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙２５発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。

オその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、乙２５発明の技術的課題及びその解決手段に照らし、被告の主張は、いずれも採用することができない。

21 争点３－６（乙３６発明に基づく進歩性の欠如）

⑴ 乙３６発明の内容

ア証拠（乙３６）及び弁論の全趣旨によれば、乙３６公報には、次のとおりの記載があることが認められる。特許請求の範囲レーザ光源から出射したレーザビームを複数のレーザビームに分割する工程と、分割された複数のレーザビームを被加工部材の内部のある微小領域に集光することにより、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする工程とを有するマーキング方法（請求項１）。

複数のレーザビームを得る工程と、前記複数のレーザビームのうち一部のレーザビームを、表と裏とを有する板状部材に、その表側から入射させ、他のレーザビームを該板状部材に、その裏側から入射させ、該板状部材の内部のある微小領域に集光することにより、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする工程とを有するマーキング方法（請求項２）。光軸に垂直な仮想平面上において、中心から遠ざかるに従って光強度が増大するような光強度分布を有するレーザビームを、被加工部材の内部に集光し、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングするマーキング方法（請求項３）。光軸に垂直な断面形状が円環状になるようなレーザビームを、被加工部材の内部に集光し、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングするマーキング方法（請求項４）。発明の詳細な説明ａ発明の属する技術分野「本発明は、レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置に関し、特に薄板状の被加工部材にマーキングを行うのに適したマーキング方法及びマーキング装置に関する。」（段落【０００１】）ｂ従来の技術「レーザ光によるアブレーションを利用して、例えば透明ガラス基板等の被加工部材の表面にマーキングする方法が知られている。この方法によると、被加工部材の表面に微細な割れが発生し、その破片が製造ラインに混入する場合がある。また、マーキングされた位置の近傍に「デブリ」と称される付着物が堆積するため、この付着物を除去するための洗浄を行う必要がある。」（段落【０００２】）「被加工部材の表面に損傷を与えることなく、その内部にレーザ光を集光し、被加工部材の内部にマーキングを行う方法が、特開平３－１２４４８６号公報に開示されている。この方法によると、被加工部材の表面が損傷を受けないため、微細な割れの発生、及びデブリの付着を防止できる。」（段落【０００３】）ｃ発明が解決しようとする課題「上述の特開平３－１２４４８６号公報に開示された方法によると、被加工部材の表面から０．５～２．５ｍｍ程度の深さの位置にマーキングを行うことができる。この方法を用いて、例えば厚さ１ｍｍ以下の薄板状の被加工部材にマーキングすると、内部に発生したクラックが表面まで到達する場合がある。表面まで達したクラックは、微細なパーティクル発生の原因になる。」（段落【０００４】）「本発明の目的は、薄板状の被加工部材にマーキングする際にも、表面まで達するクラックの発生を抑制することができるマーキング方法及びマーキング装置を提供することである。」（段落【０００５】）ｄ課題を解決するための手段「本発明の一観点によると、レーザ光源から出射したレーザビームを複数のレーザビームに分割する工程と、分割された複数のレーザビームを被加工部材の内部のある微小領域に集光することにより、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする工程とを有するマーキング方法が提供される。」（段落【０００６】）「本発明の他の観点によると、複数のレーザビームを得る工程と、前記複数のレーザビームのうち一部のレーザビームを、表と裏とを有する板状部材に、その表側から入射させ、他のレーザビームを該板状部材に、その裏側から入射させ、該板状部材の内部のある微小領域に集光することにより、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする工程とを有するマーキング方法が提供される。」（段落【０００７】）「複数のレーザビームが集光された微小領域におけるレーザ光のエネルギ密度があるしきい値を超えると、被加工対象部材が変質し、微小領域にマーキングすることができる。１本のレーザビームを照射する場合に比べて、しきい値を超えた領域を、より局在化させることが可能になる。」（段落【０００８】）ｅ発明の実施の形態「図１（Ａ）は、本発明の第１の実施例によるマーキング装置の動作原理を示す。」（段落【００２０】）「レーザ光源１から、１本のレーザビーム１１が出射する。レーザビーム１１は、ビーム分割手段２に入射する。ビーム分割手段２は、レーザビーム１１を２つの部分ビーム１２Ａと１２Ｂとに分割する。分割された部分 【図１(A)】ビーム１２Ａと１２Ｂは、集光光学系３に入射する。なお、部分ビーム１２Ａと１２Ｂとの総エネルギの和が、レーザビーム１１のエネルギにほぼ等しくなり、エネルギロスの生じないように分割することが好ましい。」（段落【００２１】）「集光光学系３に対向するように、保持台４が配置されている。保持台４の上に被加工部材１０が載置される。集光光学系３は、部分ビーム１２Ａと１２Ｂとを、被加工部材１０の内部の微小領域１３に集光する。微小領域１３及びその近傍においてレーザ光の密度が高くなる。このレーザ光の密度が、あるしきい値よりも高くなると、光学的非線型現象による吸収が起こると考えられる。この吸収に基づき、光学的損傷(Optical Damage)あるいは光学的絶縁破壊(Optical Breakdown)が生じ、被加工部材１０の微小領域１３が変質し、外部から視認し得るようになる。このようにして、被加工部材１０の内部にマーキングすることができる。」（段落【００２２】）「微小領域１３から発生する光が、光検出器５により観測される。光検出器５の観測結果が位置調節手段６に通知される。一般的に、被加工部材１０の表面でアブレーションが生ずると、その内部で光学的損傷あるいは光学的絶縁破壊が起きている場合に比べて、発光強度が大きくなる。位置調節手段６は、光検出器５から得られた発光強度情報に基づいて、被加工部材１０の表面でアブレーションが生じないように、集光光学系３と保持台４とのレーザビームの光軸方向に関する相対位置を調節する。このようにして、被加工部材１０の表面に損傷を与えることなく、その内部にマーキングすることが可能になる。」（段落【００２３】）「また、ビーム分割手段２と集光光学系３とを被加工部材１０の表面に平行な面内で移動させることにより、面内の所望の位置にマーキングすることができる。」（段落【００２４】）「また、２本の部分ビーム１２Ａと１２Ｂとに分割して微小領域１３に集光するため、１本のレーザビーム１１をそのまま集光する場合に比べて、被加工部材１０の深さ方向に関するレーザ光の密度を、より微小な領域に集中させることができる。このため、変質する領域の深さ方向の長さを短くすることができ、変質領域が被加工部材１０の表面まで達することを抑制することが可能になる。」（段落【００２５】）「被加工部材１０の深さ方向に関して、より微小な領域にレーザビームを集光させるためには、集光光学系３の対物レンズとして、なるべく開口数の大きなレンズを用いることが好ましい。」（段落【００２６】）「なお、使用するレーザ光としては、被加工部材１０との組み合わせにより適当なものを選択する。例えば、石英ガラスにマーキングする場合には、石英ガラスに対して透明な波長領域、すなわち赤外線領域、可視光線領域、もしくは紫外線領域の波長を有するレーザ光を使用することができる。また、一般的な板ガラスにマーキングする場合には、板ガラスに対して透明な波長領域、すなわち赤外線領域もしくは可視光線領域の波長を有するレーザ光を使用することができる。また、ガラス以外にも、例えばシリコン基板等にマーキングしたい場合には、シリコン基板に対して透明な波長領域のレーザ光を用いればよい。」（段落【００２７】）「レーザビーム１１をそのまま集光すると、光軸方向に関して比較的長い領域において、その光軸近傍の光強度がしきい値を超える。一方、レーザビーム２１のように、その光軸近傍において光強度の弱いビームを集光する場合には、光軸方向に関してより短い領域でのみしきい値を超えるように制御することが容易になる。」（段落【００３９】）「このため、被加工部材１０の厚さ方向に関して、より短い領域にのみマーキングすることができ、クラックの表面への到達を抑制することが可能になる。」（段落【００４０】）ｆ発明の効果「以上説明したように、本発明によれば、被加工部材の内部に局所的にマーキングすることができる。マーキングによるクラックの発生が表面まで到達しないようにできるため、被加工部材の破片等が原因となるゴミの発生を抑制することができる。」（段落【００７１】）

イ乙３６発明の技術的特徴上記アの記載内容によれば、乙３６発明は、レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置に関するものであり、薄板状の被加工部材に加工する場合であっても、内部に発生したクラックが表面まで到達することを抑制するための方法・装置を提供することを課題とするものである。このような課題を解決するために、乙３６発明は、各請求項記載の構成を備えることによって、レーザビームを複数のレーザービームに分割した上、それらの分割された複数のレーザービームを被加工部材の内部にある微少領域に集光することにより、被加工部材の内部に局所的にマーキングすることができるという効果を実現するものであると認められる。

⑵ 乙３６発明の構成

ア前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙３６公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。

［構成３６ａ］：シリコン基板である加工対象物の内部に、マーキングとなる光学的損傷を形成するレーザ加工装置であって、［構成３６ｂ］：前記加工対象物が載置される保持台と、［構成３６ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成３６ｄ］：前記保持台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射され、ビーム分割手段により分割されたパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で光学的損傷を形成させる集光光学系と、［構成３６ｅ］：レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、光検出器から得られた発光強度情報に基づいて、前記集光光学系と前記保持台とのレーザビームの光軸方向に関する相対位置を調整し、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置した状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の前記マーキング予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記保持台を移動させる機能を有する制御部と、を備え、［構成３６ｆ］：前記加工対象物はシリコン基板である［構成３６ｇ］：レーザ加工装置。

イ乙３６発明の認定の補足説明被告は、［構成３６ｄ］に関し、乙３６発明には、集光点の位置で「微小亀裂」を形成する構成が開示されている旨主張する。

そこで検討するに、前記認定事実によれば、乙３６公報の特許請求の範囲には、「被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする工程」と記載されるにとどまり、上記にいう変質によって「微小亀裂」を形成する旨の記載は存在しない。そして、乙３６公報には、「被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする」（段落【０００６】）、「複数のレーザビームが集光された微小領域におけるレーザ光のエネルギ密度があるしきい値を超えると、被加工対象部材が変質し、微小領域にマーキングすることができる」（段落【０００８】）、「微小領域１３及びその近傍においてレーザ光の密度が高くなる。このレーザ光の密度が、あるしきい値よりも高くなると、光学的非線型現象による吸収が起こると考えられる。この吸収に基づき、光学的損傷(Optical Damage)あるいは光学的絶縁破壊(Optical Breakdown) が生じ、被加工部材１０の微小領域１３が変質し、外部から視認し得るようになる。このようにして、被加工部材１０の内部にマーキングすることができる。」（段落【００２２】）という記載があることが認められる。これらの記載によれば、被加工部材の内部の微小領域にレーザビームが集光されることで、被加工部材に光学的損傷又は光学的絶縁破壊が生じる結果、当該微小領域が変質し、当該微小領域にマーキングがされることが認められる。

さらに、乙３６公報には、「このため、被加工部材１０の厚さ方向に関して、より短い領域にのみマーキングすることができ、クラックの表面への到達を抑制することが可能になる。」（段落【００４０】）との記載や、「マーキングによるクラックの発生が表面まで到達しないようにできるため、被加工部材の破片等が原因となるゴミの発生を抑制することができる。」(段落【００７１】)との記載があるところ、これらの記載によれば、マーキングの加工過程においてクラックが生じることが認められるものの、それ以上に、マーキング自体がクラックにより形成されるものとはいえない。その他に、乙３６公報には、上記微小領域に「微小亀裂」を形成し又はこれが生じることを前提とするような記載は存在しない。そうすると、乙３６発明において、レーザ光の集光点の位置で「微小亀裂」を形成する構成が開示されているということはできない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

⑶ 一致点及び相違点上記認定事実及び弁論の全趣旨によれば、本件発明１と乙３６発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。

ア一致点本件発明１と乙３６発明は、「ウェハ状の加工対象物の内部に、加工領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置した状態で、レーザ光の集光点が前記加工対象物の予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備え、前記加工対象物はシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置」である点において一致する。

イ相違点相違点３６－①本件発明１のレーザ加工装置は、加工対象物の内部に、「切断の起点となる改質領域を形成する」ものであるのに対し、乙３６発明のレーザ加工装置は、加工対象物の内部に「マーキングとなる光学的損傷を形成する」ものである点。相違点３６－②本件発明１は、「加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ」るのに対し、乙３６発明では、どのように調整しているのか明らかではない点。相違点３６－③本件発明１の「制御部」は、載置台を移動させた後、更に「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能」を有するのに対し、乙３６発明の制御部は、そのような機能を有しない点。相違点３６－④本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙３６発明では、加工対象物がシリコン基板である点。

ウ相違点についての補足説明被告は、本件発明１では「改質領域」は多光子吸収によって形成された領域であるのに対し、乙３６発明では改質領域がどのように形成され、どのような形状であるのか不明である点も相違点である旨主張するものの、同主張が採用できないことは、前記争点３－１（前記１６⑶ウ）において説示したところと同様である。

ア前記(1)イの乙３６発明の技術的特徴によれば、乙３６発明の課題は、薄板状の被加工部材にレーザを用いたマーキングを加工する場合に、被加工部材の内部に光学的損傷を生じさせることでマーキングを形成しつつ、その際に被加工部材の内部に生じたクラックが表面まで到達することを抑制するための方法・装置を提供することにあることが認められる。そうすると、乙３６発明において「切断の起点となる改質領域を形成」し、内部に発生したクラックを加工対象物の表面に到達させることは、クラックが表面まで到達することを抑制するという乙３６発明の課題を解決することができなくなる。そうすると、乙３６発明において、飽くまで「マーキング」のためにすぎない「光学的損傷」を、加工対象物の「切断の起点」とする構成に置換することには、明らかに阻害要因があるというべきである。

イ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙３６発明に基づいて容易に発明をすることができたものとは認められず、被告の主張は、採用することができない。

ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙３６発明の技術的課題を正解するものとはいえず、いずれも採用することができない。

22 争点３－７（乙３７に基づく進歩性の欠如）

⑴ 乙３７発明の内容

ア証拠（乙３７）及び弁論の全趣旨によれば、乙３７公報には、次のとおりの記載があることが認められる。特許請求の範囲【請求項１】レーザ光に対し実質的に透明な物質に対しマテリアルプロセシングを行う方法であって、前記レーザ光のパルスを前記物質の内部に集光させ、前記パルスは当該物質に光学的破壊を生じさせるようなものであるという工程と、前記レーザー光の前記パルスの集光点を、予め定められた経路に従って前記物質に対し相対的に移動させる工程から構成される方法【請求項２】前記マテリアルプロセシングは穿孔プロセスである、前記請求項１に記載の方法【請求項３】前記マテリアルプロセシングはマーキングプロセスである、前記請求項１に記載の方法【請求項４】前記マテリアルプロセシングは切断プロセスである、請求項１に記載の方法。発明の背景「出願人が知る限りでは、マーキングやイメージ形成技術とは対照的に、切断や穿孔といった産業への応用に用いられている真のマテリアルプロセシング技術において、内部光学破壊を用いることを記載した先行技術はない。ここでいう「マテリアルプロセシング」という用語の定義は、産業用レーザの用語法（溶接も含む。）において通常用いられており、本特許出願の全体にわたって前提とされている。したがって、適当な物質における、光学的な内部破壊現象を、産業その他へ応用するために、新しい方法が深刻に求められている。」（３頁１１行～１８行）発明の概要「本発明は、光学的に透明な物質の内部光学破壊現象を用いた、マテリアルプロセシングの新しい方法を提供する。この現象は、オーダー（桁）が10 ピコ秒又はより短い、超短パルスを出射するレーザからのビームの焦点が、高品質の対物レンズを用いて、加工される物質の内部に合わせられ、その結果、レーザ波長の回折限界に近い焦点スポットが、物質内で得られたときに起こる。そのように短く高いピーク強度のパルスは、例えば時間方向に圧縮された後方誘導ブリユアン散乱（SBS）Nd:YAG レーザで得られる。オーダー（桁）が1013 watts/cm2のように高いパワー密度では、パワーに対する線形応答の透過限界が物質内で超えられて、物質がレーザ光を強く吸収するため、物質は光学破壊を受ける。パワー強度が著しく高いため、物質の原子および分子の結合は分断され、物質はほぼ瞬時に、その最も基礎的な要素に、一般には非常にイオン化された構成原子に分解する。」（３頁下６行～４頁１０行）「本発明のまた別の好適な実施例によれば、さらに透明な物質の超微細切断のための方法が提供される。この方法は、上で挙げた穿孔の実施例に記述された方法に類似してよいが、互いに緊密に離間した複数の孔を穿孔することで、連続的な切れ目の溝を形成する、さらなるステップを含む。」（６頁下７行～下３行）「別のやり方として、好ましくは、集光されたレーザビームが作られて、切断する材料を多数回横断する。最初の横断は材料の表面で行われる。そして、集光されたレーザビームは、少しずつ材料内部へと降りて、鋸運動を行う。その結果、完全に切れた溝ができる。所望であれば、この溝は、まっすぐ厚さ方向に延長して材料を貫通することも可能である。」（６頁下２行～７頁３行）「本発明のまた別の好適な実施例によれば、レーザ光に対して実質的に透明な物質にマテリアルプロセシングを行う方法が提供される。この方法は、レーザ光の複数のパルス（この複数のパルスは、物質が光学破壊を受けるようなものである）の焦点を、物質の内部に合わせるステップと、レーザ光の複数のパルスの焦点を、予め決められた経路に沿って物質に対し相対移動させるステップと、を含む。」（７頁４行～１０行）「本発明のまた別の好適な実施例によれば、上述の方法において、物質がガラス、プラスチック、宝石、または半導体であるような方法が提供される。」（７頁２１行～２３行）「本発明のまた別の好適な実施例によれば、上述の方法において、レーザ光の複数のパルスの焦点の、予め決められた経路に沿った物質に対する相対移動が、レーザ光の複数のパルスの出射と、予め決められたやり方で同期される。」（７頁下１行～８頁４行）好適な実施形態の説明「本発明の別の好適な実施例によれば、可視光に対しては不透明であるが、近赤外においては透明な物質の内部に、近赤外線を用いることで読み取ることのできる、非常に高い解像度を持った識別マークを用いてマークする方法が記述される。この方法は、先の実施形態の方法において記述したような超短パルス幅レーザをマークされるべき試料に集光する工程と、これに引き続く、試料とレーザービームをレーザーパルスレートに合わせて移動させ、所望のマークを形成するステップから構成される。」（１２頁１８行～２６行）「この方法は特に半導体産業で有用である。半導体産業では、シリコンやヒ化ガリウムのウェハに、非常に高分解能の識別マークを付し、かつ、このマークを、ウェハ表面には付さないことが必要である。ウェハ表面だと、表面にマークするプロセスが、多くのウェハプロセス段階で要求される清浄度のレベルにとって有害となるからである。」（１２頁下４行～１３頁１行）「およそ1.1μm からほぼ5μm の波長まで実質的に透明なシリコンの場合、波長1.9μm でパルスを出射するレーザが、この実施例の方法を実装するには適している。」（１３頁１０行～１３行）「本発明のまた別の好適な実施例によるさらなる方法は、内部光学破壊効果を用いて、極めて平行な複数の超微細孔を、逆向きに穿孔する手順によって、透明物質試料に穿孔する方法である。この方法は、まず上述の第一の好適な実施例に記述したような超短パルス幅レーザの焦点を、穿孔される試料の、遠い方の表面より内側に合わせるステップ、及び所定数のパルスを打つステップからなる。（・・）次のステップでは、焦点の位置が、物質によるが、0.1 - 10μm の距離だけ後方に移動され、次の一連のパルスが打たれる。これによりボイドが、既に存在するボイドと結合されるように拡張される。」（１３頁１３行～１９行）

イ乙３７発明の技術的特徴上記アの記載によれば、乙３７発明は、光学的に透明な物質の内部光学破壊現象を用いた「マテリアルプロシング」の新しい方法を提供するものであり、上記にいう内部光学破壊現象は、オーダー（桁）が１０ピコ秒又はより短い、超短パルスを出射するレーザからのビームの焦点が、対物レンズを用いて、加工される物質の内部に合わせられ、その結果、レーザ波長の回折限界に近い焦点スポットが、物質内で得られたときに起こるものである。そして、乙３７発明は、このマテリアルプロセシングの方法として、穿孔プロセス、マーキングプロセス及び切断プロセス等を請求項として記載している。

⑵ 乙３７発明の構成

ア前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙３７公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。

［構成３７ａ］：ウェハ状の加工対象物の内部に光学破壊群を形成するレーザ加工装置であって、［構成３７ｂ］：前記加工対象物はレーザ光に対して、相対移動可能であり、［構成３７ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と［構成３７ｄ］：前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記光学破壊群を形成させる対物レンズと、［構成３７ｅ］：レーザ光の集光点が前記加工対象物に対して鋸運動するように制御する制御部と、を備え、［構成３７ｆ］：前記加工対象物はシリコンウェハである［構成３７ｇ］：レーザ加工装置。

イ乙３７発明の認定についての補足説明被告は、［構成３７ａ］につき、加工対象物の内部に形成する光学的破壊群が「切断の起点となる」ものであることが開示されている旨主張する。

しかしながら、前記⑴の認定事実によれば、乙３７公報には、光学的に透明な物質の内部光学破壊現象を用いた「マテリアルプロセシング」に関する複数の発明が開示されているところ、そのうち、マーキングによるマテリアルプロセシングは、試料の内部に高解像度のマーキングを行うというものであるから、加工の対象物に「切断の起点」を設けるものであるということはできない。もっとも、乙３７公報には、切断によるマテリアルプロセシングも開示されているものの、そこに記載された切断方法は、集光されたレーザビームを加工対象物において多数回横断させるというものであり、まず、材料の表面にレーザービームを横断させることにより、溝を生じさせた上で、その後も、レーザービームの横断を繰り返すことで、鋸運動によって当該溝を次第に深くしていき、最終的に当該加工対象物を切断するというプロセスを経るところ、このような方法をもって、加工対象物の内部に切断の起点を設けるものということはできない。

さらに、乙３７公報には、穿孔によるマテリアルプロセシングについても記載されているものの、そこに記載されている内容は、超短パルス幅レーザの焦点を、加工対象物の遠い方の表面から近い方の表面まで移動させ、超微細孔により穿孔するというものであり、これは、レーザ加工により生じた超微細孔を連続的に結合させることにより、穿孔する仕組みであることからすれば、この方法についても、加工対象物の内部に切断の起点を設けるものということはできないそうすると、乙３７公報には、加工対象物の内部に「切断の起点となる光学破壊群を形成する」ことが開示されているものと認めることはできない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

⑶ 一致点及び相違点上記⑵の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、本件発明１と乙３７発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。

ア一致点本件発明１及び乙３７発明は、「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、制御部と、を備えるレーザ加工装置」である点において一致する。

イ相違点相違点３７－①本件発明１のレーザ加工装置は、加工対象物である「シリコンウェハの内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」ものであるのに対し、乙３７発明において加工対象物に形成される光学的破壊群は、切断の起点となるものではない点。相違点３７－②本件発明１は、「加工対象物が載置される載置台」を備えるのに対し、乙３７発明では、そのような構成を備えるか明らかではない点。相違点３７－③本件発明１は、制御部が「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する」のに対し、乙３７発明は、制御部が、レーザ光の集光点が前記加工対象物に対して鋸運動するように制御する点。

ア相違点３７－①上記のとおり、本件発明１と乙３７発明には相違点３７－①が認められるところ、この相違点３７－①に係る構成の容易想到性につき、被告は具体的に主張、立証するものではない。そうすると、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、乙３７発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。念のため更に検討するに、乙３７発明は、光学的に透明な物質の内部光学破壊現象を用いたマテリアルプロセシングに関する複数の発明が開示されており、そのうち、「切断」及び「穿孔」の方法によるものは、加工対象物の切断に関するものである。

しかしながら、その具体的な方法として乙３７公報に開示されているのは、レーザーにより加工対象物の表面に生じさせた溝を、鋸運動によって次第に深くしていくという方法（切断）や、レーザー加工により生じた超微細孔を連続的に結合させることにより、加工対象物の遠い方の表面から近い方の表面までを超微細孔により穿孔するという方法（穿孔）であり、いずれも、レーザー加工により加工対象物の表面から裏面まで貫通する溝又は孔を形成することにより、加工対象物の切断を実現するものであることが認められる。

そうすると、乙３７発明は、材料の内部に切断の起点となる改質領域を形成するものではなく、完全な切断溝を形成することで材料を切断するものであることからすると、乙３７発明がそれ自体で切断を完成させるものである以上、その他の切断の構成を適用する動機付けを欠くものといえる。この点につき、被告は、乙２５発明を適用することができる旨主張するものの、上記のとおり動機付けを欠く上、乙３７発明にいう切断溝を、乙２５発明にいう連続的なクラックに置き換えたとしても、これが切断の起点となるには加工対象物等に応じた条件設定が必要となるから、そもそも加工対象物やクラックの形状が異なる乙２５発明を適用しても、相違点３７－①に係る本件発明１の構成（切断の起点）に容易に至るものとはいえない。

イ以上によれば、その余の点を判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が乙３７発明に基づいて容易に発明をすることができたものとは認められず、被告の主張は、採用することができない。

ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙３７発明の技術的特徴等に照らし、いずれも採用することができない。

23 争点３－８（乙１２０に基づく進歩性の欠如）

⑴ 乙１２０発明の内容

ア証拠（乙１２０）及び弁論の全趣旨によれば、乙１２０公報には、次のとおりの記載があることが認められる。特許請求の範囲【請求項１】基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記半導体ウエハー(100)は第１及び第２の主面を有し少なくとも該第１の主面側及び／又は第２の主面側の基板(101)に溝部(103)を形成する工程と、該溝部(103)にブレイク・ライン(104)をレーザー照射により形成する工程と、前記ブレイク・ライン(104)に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。【請求項２】前記第１の主面(121)は基板(101)上の一方にのみ窒化物半導体が形成された半導体ウエハー(100)の窒化物半導体積層側であり、前記第２の主面(111)は半導体ウエハーを介して対向する基板露出面側である請求項１記載に記載された窒化物半導体素子の製造方法。【請求項３】前記ブレイク・ラインは基板(101)の溝部底面に形成された凹部(104)である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。【請求項４】前記ブレイク・ラインは基板(201)内部に形成された加工変質部(204)である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。発明の詳細な説明ａ発明の属する技術分野「本発明は紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオードやレーザーダイオード、さらには高温においても駆動可能な３-５族半導体素子の製造方法に係わり、特に、基板上に窒化物半導体積層された半導体ウエハーから窒化物半導体素子を分割する製造方法に関する。」（段落【０００１】）ｂ従来技術「今日、高エネルギーバンドギャップを有する窒化物半導体（ＩｎXＧａYＡｌ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を利用した半導体素子が種々開発されつつある。窒化物半導体を利用したデバイス例として、青色、緑色や紫外がそれぞれ発光可能な発光ダイオードや青紫光が発光可能な半導体レーザが報告されている。さらには高温においても安定駆動可能かつ機械的強度が高い各種半導体素子などが挙げられる。」（段落【０００２】）「通常、赤色、橙色、黄色などが発光可能なＬＥＤチップなどの半導体素子として利用されるＧａＡｓ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体材料が積層された半導体ウエハーの場合は、半導体ウエハーからダイサーやダイヤモンドスクライバーによりチップ状に切り出され形成される。ダイサーとは刃先をダイヤモンドとする円盤の回転運動により半導体ウエハーをフルカットするか、又は刃先巾よりも広い巾の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によりカットする装置である。一方、ダイヤモンドスクライバーとは同じく先端をダイヤモンドとする針により半導体ウエハーに極めて細い線（スクライブ・ライン）を例えば碁盤目状に引いた後、外力によってカットする装置である。ＧａＰやＧａＡｓ等のせん亜鉛構造の結晶は、へき開性が「１１０」方向にある。そのため、この性質を利用してＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰなどの半導体ウエハーを比較的簡単に所望形状に分離することができる。」（段落【０００３】）「しかしながら、窒化物半導体を利用した半導体素子は、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓやＧａＡｓ半導体基板上に形成させたＧａＡｓＰ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体素子とは異なり単結晶を形成させることが難しい。結晶性の良い窒化物半導体の単結晶膜を得るためには、ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法などを用いサファイアやスピネル基板など上にバッファーを介して形成させることが行われている。そのため、サファイア基板などの上に形成された窒化物半導体層ごと所望の大きさに切断分離することによりＬＥＤチップなど半導体素子を形成させなければならない。」（段落【０００４】）「サファイアやスピネルなどに積層される窒化物半導体はヘテロエピ構造である。窒化物半導体はサファイア基板などとは格子定数不整が大きく熱膨張率も異なる。また、サファイア基板は六方晶系という結晶構造を有しており、その性質上へき開性を有していない。さらに、サファイア、窒化物半導体ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質である。」（段落【０００５】）「したがって、ダイヤモンドスクライバーのみで切断することは困難であった。また、ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できなかった。また、場合によっては基板から窒化物半導体層が部分的に剥離する場合があった。」（段落【０００６】）「そのため窒化物半導体ウエハーは所望のチップごとに分割する方法として特開平８－２７４３７１号などに記載されているようにダイヤモンドスクライバーやダイサーを組み合わせて使用する方法が考えられている。具体的一例として、図５（Ａ）から図５（Ｄ）に窒化物半導体素子を製造する工程を示す。図５（Ａ）は、サファイア基板５０１上に窒化物半導体５０２が形成された半導体ウエハー５００を示す。図５（Ｂ）はサファイア基板５０１の下面側から窒化物半導体５０２に達しない深さでダイサー（不示図）による溝部５０３を形成する工程を示す。図５（Ｃ）は、溝部にダイヤモンドスクライバーでスクライブ・ライン５０４を形成する工程を示す。図５（Ｄ）は、スクライブ工程の後、半導体ウエハー５００をチップ状５１０に分離する分離工程を示してある。これにより、切断面のクラック、チッピングが発生することなく比較的綺麗に切断することができるとされている。」（段落【０００７】）ｃ発明が解決しようとする課題「しかしながら、あらかじめダイサーなどで半導体ウエハー５００の厚みを部分的に薄くさせた溝部５０３を形成し、溝部５０３にダイヤモンドスクライバーでスクライブ・ライン５０４を形成させる場合、ダイヤモンドスクライバーの刃先が溝部５０３の底に接触しなければならない。」（段落【０００８】）「即ち、通常ダイサーの円盤幅よりもダイヤモンドスクライバーの刃先の方が大きい。そのため図６の如く、ダイヤモンドスクライバーの刃先６０１が半導体ウエハー５００に形成された溝部５０３の底面に届かない場合がある。この状態でスクライバーを駆動させると半導体ウエハーの平面では図７の如き、所望のスクライブ・ライン７０３が形成されず歪んだスクライブ・ライン７０４が形成される傾向にある。これらを防止する目的でダイヤモンドスクライバーの刃先が溝部５０３の底に接触するためにはダイサーで形成した溝部５０３の幅を広くする必要がある。溝部５０３が広くなると半導体ウエハーからの半導体素子の採り数が減少する。」（段落【０００９】）「他方、溝の幅を狭くした場合は刃先が溝の底に接触させるために溝部５０３の深さを浅くする必要がある。溝部５０３を浅くすると半導体ウエハーの分離部の厚みが厚くなり半導体ウエハーを正確に分離することが困難になる傾向がある。したがって、何れも正確により小さい窒化物半導体素子を形成することができないという問題があった。」（段落【００１０】）「より小さい窒化物半導体素子を正確に量産性よく形成させることが望まれる今日においては上記切断方法においては十分ではなく、優れた窒化物半導体素子の製造方法が求められている。窒化物半導体の結晶性を損傷することなく半導体ウエハーを正確にチップ状に分離することができれば、半導体素子の電気特性等を向上させることができる。しかも、１枚の半導体ウエハーから多くの半導体素子を得ることができるため生産性をも向上させられる。」（段落【００１１】）「したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーをより小さいチップ状に分割するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくする。また、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく、かつ歩留りよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成することができる製造方法を提供することを目的とする。」（段落【００１２】）ｄ課題を解決するための手段「本発明は、基板１０１上に窒化物半導体１０２が形成された半導体ウエハー１００を窒化物半導体素子１１０に分割する窒化物半導体素子の製造方法である。特に、半導体ウエハー１００は第１及び第２の主面を有し少なくとも第１の主面側及び／又は第２の主面側の基板１０１に溝部１０３を形成する工程と、溝部１０３にブレイク・ライン１０４をレーザー照射により形成する工程と、ブレイク・ライン１０４に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有する窒化物半導体素子の製造方法である。」（段落【００１３】）「本発明の請求項２に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、第１の主面１２１が基板１０１上の一方にのみ窒化物半導体が形成された半導体ウエハー１００の窒化物半導体積層側であり、第２の主面１１１は半導体ウエハーを介して対向する基板露出面側である。」（段落【００１４】）「本発明の請求項３に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、ブレイク・ラインが基板１０１の溝部底面に形成された凹部１０４である。」（段落【００１５】）「本発明の請求項４に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、ブレイク・ラインが基板２０１内部に形成された加工変質部２０４である。」（段落【００１６】）「本発明の請求項５に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、ダイヤモンドスクライバー、ダイサー、エッチング装置、レーザー加工機から選択される少なくとも１種によって溝部１０３を形成するものである。」（段落【００１７】）「本発明の請求項６に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、溝部４０３は第１の主面側４２１の予め基板４０１が露出された表面に形成されたものである。本発明の請求項７に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、溝部１０３の幅が１０μm 以上３５μm 以下であり、溝部１０３の深さが３．７μm 以上１００μm 以下である。」（段落【００１８】）ｅ発明の実施の形態「本発明者らは種々実験の結果、窒化物半導体素子を製造する場合において半導体ウエハーの特定箇所にレーザーを照射することにより、半導体特性を損傷することなく量産性に優れた窒化物半導体素子を製造することができることを見いだし本発明を成すに到った。」（段落【００１９】）「本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる。」（段落【００２０】）「即ち、ダイサーやダイヤモンドスクライバーなどにより機械的に削りとられた溝部は、その溝部形成時に内部応力が生ずる。特に、溝部の底面に沿ってダイヤモンドスクライバーによるスクライブ・ラインを形成する工程においてはスクライバーの刃先にかかる加重で溝部底以外にも広く歪みが増幅される。そのため、溝部形成後にダイヤモンドスクライバーで分離させると半導体ウエハー内に保持された応力によって所望通りの端面が形成されず、より正確に窒化物半導体ウエハーが分離できないと考えられる。」（段落【００２１】）「本発明はダイサーにより生じた内部応力に依存することなくレーザースクライバーにより分割に寄与する局所的な応力を発生させる。これにより端面が綺麗（平滑）であり量産性の良い窒化物半導体素子を製造することができると考えられる。また、窒化物半導体素子を分離されるためには半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い溝部を形成させる。その溝部よりも狭いブレイク・ラインをレーザー照射により形成することで、極めて細いブレイク・ラインを所望の深さまで深く形成することができ量産性の良い窒化物半導体素子を分離できるものである。以下、本発明の製造方法例について説明する。」（段落【００２２】）「半導体ウエハーとして、ＬＤ（laser diode）となる構成の窒化物半導体層をスピネル基板上に形成させた。具体的には、スピネル基板上に、ＧａＮのバッファー層、ｎ型ＧａＮのコンタクト層、ｎ型ＡｌＧａＮのクラッド層、ｎ型ＧａＮの光ガイド層、ＳｉをドープしＩｎの組成を変化させた多重量子井戸構造となるＩｎＧａＮの活性層、ｐ型ＡｌＧａＮのキャップ層、ｐ型ＧａＮの光ガイド層、ｐ型ＡｌＧａＮのクラッド層及びｐ型ＧａＮのコンタクト層が積層されている。この半導体ウエハーのスピネル基板側をウエットエッチングにより半導体ウエハー表面に溝部を縦横に形成させる。ＣＯ2 レーザーを溝部の底面に照射してスピネル基板内部に加工変質部としてブレイク・ラインを溝部に沿って縦横に形成させた。ブレイク・ラインに沿ってローラーによる加圧により窒化物半導体素子として分離させる。分離された窒化物半導体素子は何れも端面が綺麗に形成されている。以下、本発明の工程に用いられる装置などについて詳述する。」（段落【００２３】）「（窒化物半導体ウエハー）窒化物半導体ウエハーとしては、基板上に窒化物半導体層が形成されたものである。窒化物半導体の基板としては、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウム単結晶など種々のものが挙げられるが量産性よく結晶性の良い窒化物半導体層を形成させるためにはサファイア基板、スピネル基板などが好適に用いられる。サファイア基板などは劈開性がなく極めて硬いため本発明が特に有効に働くこととなる。」（段落【００２４】）「窒化物半導体（ＩｎXＧａYＡｌ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）はＭＯＣＶＤ法やＨＶＰＥ法などにより種々形成することができる。窒化物半導体にＰＮ接合、ＰＩＮ接合、ＭＩＳ接合を形成させることにより半導体素子として利用することができる。半導体の構造もホモ接合、ヘテロ接合やダブルへテロ接合など種々選択することができる。また、半導体層を量子効果が生じる程度の薄膜とした単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。」（段落【００２５】）「窒化物半導体はバンドギャップが比較的大きく熱に強いことから紫外から赤色系まで発光可能な発光ダイオード、ＤＶＤなどに利用可能な短波長レーザーなどの発光素子、光センサーや比較的高起電力を有する太陽電池などの受光素子、耐熱性を持つトランジスターなど種々の半導体素子として利用することができる。」（段落【００２６】）「基板の厚さとしてはレーザー加工機の加工精度や出力により種々選択することができるがレーザーにより大きい溝（深い溝）を形成させる場合はダイサーに比べて時間が掛かること及び長時間の加熱による部分的な破壊などの観点からレーザー加工による溝部などを大きく形成させすぎないことが好ましい。」（段落【００２７】）「また、ダイサーなどにより半導体ウエハーに形成される溝部としては、歩留りよく所望の形、サイズに量産性良く形成する観点から溝部の幅が３５μm 以下が好ましく３０μm 以下がより好ましい。更に好ましくは２５μm 以下である。下限については特に制限はないがダイサーで形成する場合、あまり薄くし過ぎると刃先がぶれるため溝部を細くかつ深く形成しがたい傾向にある。したがって、１０μm 以上が好ましく、１５μm 以上がより好ましい。さらに、好ましくは２０μm 以上である。また、溝部の深さは半導体ウエハーの厚みにもよるが量産性や分離のし易さから３．７μm 以上が好ましく、より好ましくは４．５μm 以上である。更に好ましくは５．２μm 以上である。上限値は特に制限はないが量産性を考慮して１００μm 以下であることが望ましい。同様に、溝部が幅３５μm 以下深さ５．２μm 以上、より好ましくは幅３０μm 以下深さ４．５μm、更に好ましくは幅２５μm 以下深さ３．７μm 以上の範囲においてはダイヤモンドスクライバーでは溝部に図６の如く半導体ウエハーの分割に寄与するスクライブ・ラインを形成することができないため本発明の効果が特に大きい。」（段落【００２８】）「なお、窒化物半導体ウエハーに単に溝を形成する方法としては、ウエットエッチング、ドライエッチング、ダイサー、ダイヤモンドスクライバーやレーザーの加工さらにはこれらの組合せにより形成することができる。しかしながら、ある程度の幅を持ち効率よく半導体ウエハーの厚みを部分的に薄くさせるためにはダイサーを用いることが好ましい。特に、ダイサーを用いて溝部を形成させた場合は、チップ状に分割した時の端面の綺麗さ（平滑性）の差が顕著に出る傾向にある。即ち、ダイサーを用いて溝部を形成させた後にレーザーを用いて半導体ウエハーを分離したものと、ダイサーを用いて溝部を形成させた後にダイヤモンドスクライバーにより分離させたものとをそれぞれ比較するとレーザーにより凹部を形成させたものの方が分離端面が綺麗に形成される傾向にある。このような平滑性は、透光性絶縁層であるサファイア基板を利用した光学設計をする場合には顕著な違いとなる場合がある。」（段落【００２９】）「窒化物半導体が積層されたサファイア基板を分離させる場合、切断端面を量産性良く切断させるために窒化物半導体ウエハーの最も薄い分離部の厚みは１００μm 以下が好ましい。１００μm 以下だとチッピングなどが少なく比較的容易に分離することができる。また、基板の厚さの下限は特に問わないが、あまり薄くすると半導体ウエハー自体が割れやすく量産性が悪くなるため３０μm 以上であることが好ましい。」（段落【００３０】）「窒化物半導体層が単一量子井戸構造や多重量子井戸構造などの薄膜を含む場合、レーザー照射による半導体接合や半導体層の損傷を防ぐ目的で予めレーザーが照射される窒化物半導体層をエッチングなどにより予め除去することもできる。」（段落【００３１】）「発光ダイオード用の窒化物半導体ウエハーとする場合、基板で通常２００から５００μm の厚みがあり、ｐｎ接合を持つ窒化物半導体層で数μm から数十μm の厚みがある。したがって、半導体ウエハーのほとんどが基板の厚みで占められることとなる。レーザーによる加工を行いやすくするために基板の厚みを研磨により薄くすることができる。このような研磨は、窒化物半導体を形成させてから薄くしても良いし薄く研磨した基板上に窒化物半導体を形成させることもできる。」（段落【００３２】）「なお、レーザーが照射された窒化物半導体ウエハーは、その焦点となる照射部が選択的に飛翔する或いは微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質部になると考えられる。また、本発明のブレイク・ラインは半導体ウエハーの溝部表面を除去しても良いし基板の溝部よりも内部側に加工変質部を形成させても良い。さらに、本発明は溝部近傍に形成されたレーザー加工によるブレイク・ラインに加えて半導体ウエハーの総膜厚の中心をレーザー加工させても良い。」（段落【００３３】）「（レーザー加工機）本発明に用いられるレーザー加工機としては、ブレイク・ラインとなる凹部、加工変質部などが形成可能なものであればよい。具体的には、ＹＡＧレーザー、ＣＯ2レーザーやエキシマ・レーザーなどが好適に用いられる。特に、ＹＡＧレーザーは熱の変質が少なくブレイク・ラインを形成することができる。また、ＣＯ2 レーザーはパワーを挙げることができるため切断能力に優れる。」（段落【００３４】）「レーザー加工機によって照射されるレーザーはレンズなどの光学系により所望により種々に焦点を調節させることができる。したがって、レーザー照射により半導体ウエハーの任意の焦点に窒化物半導体を損傷させることなく凹部、加工変質部などを形成させることができる。また、レーザーの照射面は、フィルターを通すことなどにより真円状、楕円状や矩形状など所望の形状に調節させることもできる。」（段落【００３５】）「レーザー加工機によるブレイク・ラインの形成にはレーザー照射装置自体を移動させても良いし照射されるレーザーのみミラーなどで走査して形成させることもできる。さらには、半導体ウエハーを保持するステージを上下、左右、９０度回転など種々駆動させることにより所望のブレイク・ラインを形成することもできる。以下、本発明の実施例について詳述するが実施例のみに限定されるものでないことは言うまでもない。」（段落【００３６】）「（実施例１）厚さ２００μm であり洗浄されたサファイアを基板１０１としてＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物半導体を積層させ窒化物半導体ウエハーを形成させた。窒化物半導体は基板を分割した後に発光素子１１０として働くよう多層膜として成膜させた。まず、５１０℃において原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス及びキャリアガスである水素ガスを流すことにより厚さ約２００オングストロームのバッファー層を形成させた。」（段落【００３７】）「次に、ＴＭＧガスの流入を止めた後、反応装置の温度を１０５０℃に挙げ再びＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＳｉＨ4（シラン）ガス、キャリアガスとして水素ガスを流すことによりｎ型コンタクト層として働く厚さ約４μm のＧａＮ層を形成させた。」（段落【００３８】）「活性層は、一旦、キャリアガスのみとさせ反応装置の温度を８００℃に保持し後、原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）及びキャリアガスとして水素ガスを流すことにより厚さ約３ｎｍのアンドープＩｎＧａＮ層を堆積させた。」（段落【００３９】）「活性層上にクラッド層を形成させるため原料ガスの流入を停止し反応装置の温度を１０５０℃に保持した後、原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエルマグシウム）ガス及びキャリアガスとして、水素ガスを流しｐ型クラッド層として厚さ約０．１μm のＧａＡｌＮ層を形成させた。」（段落【００４０】）「最後に、反応装置の温度を１０５０℃に維持し原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＣｐ2Ｍｇガス及びキャリアガスとして水素ガスを流しｐ型コンタクト層として厚さ約０．５μm のＧａＮ層を形成させた（なお、ｐ型窒化物半導体層は４００℃以上でアニール処理してある。）。」（段落【００４１】）「半導体ウエハーに、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって窒化物半導体表面側から溝部が形成されるサファイア基板との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体層が形成された半導体ウエハーを用いる。なお、エッチング時にｐｎ各半導体が露出するようマスクを形成させエッチング後除去させてある。また、ｐｎ各半導体層には、電極１２０がスパッタリング法により形成されている（図１（Ａ））。」（段落【００４２】）「こうして形成された窒化物半導体ウエハー１００のサファイア基板１０１を１００μm まで研磨した後、半導体ウエハー１００のサファイア基板面１１１が上になるように水平方向に自由駆動可能なテーブル上に真空チャックを用いて固定させた。ブレード回転数３０、０００ｒｐｍ、切断速度３ｍｍ／ｓｅｃでステージを移動させることによりサファイア基板１０１の底面に幅約３０μm、深さ約１５μm の溝を縦横に形成し溝部１０３とさせる。溝部１０３は、窒化物半導体ウエハー１００のサファイア基板露出面側１１１から見るとエッチング面１３０と略平行に形成されておりそれぞれがその後に窒化物半導体素子となる３００μm 角の大きさに形成させてある（図１（Ｂ））。」（段落【００４３】）「次に、ダイサーの刃先など駆動部のみレーザー（３５６ｎｍ）が照射可能なＹＡＧレーザー照射装置と入れ替えた（不示図）。窒化物半導体ウエハー１００の固定は維持したままレーザーの焦点を窒化物半導体ウエハーの溝部１０３底面に結ばれるようレーザーの光学系を調節させる。調節したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ２で照射させながらステージを移動させることにより溝部１０３の底面に沿って深さ約３μm の更なる溝としての凹部１０４をブレイク・ラインとして形成する（図１（Ｃ））。」（段落【００４４】）「ブレイク・ラインにｄ沿って、ローラー（不示図）により荷重をかけ、窒化物半導体ウエハー１００を切断分離することができる。分離された窒化物半導体素子１１０の端面はいずれもチッピングやクラックのない窒化物半導体素子を形成することができる（図１（Ｄ））。」（段落【００４５】）「こうして形成された窒化物半導体素子であるＬＥＤチップに電力を供給したところいずれも発光可能であると共に切断端面にはクラックやチッピングが生じているものはほとんどなかった。また、発生していたチッピングも極めて小さいものであり、歩留りは９８％以上であった。」（段落【００４６】）「これにより、ブレイク・ラインの形成をレーザーで行うため、ダイヤモンドスクライバーを利用したものと異なりカッターの消耗、劣化による加工精度のバラツキ、刃先交換のために発生するコストを低減することができる。製造歩留りを高め、形状のバラツキが低減できる。特に、切り代を小さくし、半導体素子の採り数を向上させることが可能となる。」（段落【００４７】）「（実施例２）実施例１のレーザー照射装置における焦点深さをレーザーの光学系を調整させて深くさせた以外は実施例１と同様にしてブレイク・ラインを形成させた。形成されたブレイク・ラインは基板２０１の表面となる溝部２０３に凹部は形成されていないが基板２０１内部に加工変質部として形成されている（図２（Ｃ））。」（段落【００４８】）「ブレイク・ラインの形成を溝部２０３底面でなく基板２０１内面に形成させても実施例１のＬＥＤチップとほぼ同様の歩留りを形成することができる。」（段落【００４９】）ｆ発明の効果「本発明は半導体ウエハーの基板に達する溝部を形成し、その溝部にレーザー照射によるブレイク・ラインを形成する。これにより刃先消耗等による加工精度の劣化を引き起こすことなく、より幅が狭くかつ深い溝部に、加工バラツキのない高精度のブレイク・ライン形成を可能にし、容易にかつ正確にブレイク・ラインに沿って窒化物半導体素子を分割することが可能となる。そのため、形状の揃った製品供給、及び製品歩留りの向上が可能となる。」（段落【００６４】）「また、レーザー照射により半導体ウエハーに対して非接触でブレイク・ラインを形成することにより、従来のようなスクライブ・カッターの劣化、交換により発生していた加工コストの低減が可能となる。」（段落【００６５】）「さらに、半導体層面側から基板に達する溝部を、あらかじめ窒化物半導体が除去された半導体ウエハーに形成することで、溝部形成による半導体への損傷がなく信頼性の高い素子を製造することが可能となる。」（段落【００６６】）「窒化物半導体積層面側の凹部をレーザー照射により形成することで、より幅の狭い溝部を形成することですむ。このため半導体ウエハーからの窒化物半導体素子の採り数を向上させることが可能となる。」（段落【００６７】）

イ乙１２０発明の技術的特徴上記アの記載内容によれば、従来技術では、窒化物半導体がサファイヤ基板の上に積層された場合、サファイヤ基板は性質上劈開性を有していないことや、サファイヤ及び窒化物半導体のいずれも硬度が高いことから、ダイヤモンドスクライバーのみで切断することは困難である一方で、ダイサーのみで切断すると、その切断面にクラックやチッピングが生じてしまうという問題や、基板から窒化物半導体層が部分的に剥離してしまうという課題があった。このような課題を解決するために、ダイヤモンドスクライバーとダイサーを組み合わせて使用する方法が考えられるものの、基板にダイサーで溝部を設けた上で当該溝部にダイヤモンドスクライバーでスクライブ・ラインを形成させる場合には、ダイヤモンドスクライバーを溝部の底に接触させる必要があるところ、ダイサーの円盤幅よりもダイヤモンドスクライバーの刃先の方が大きいため、溝部の幅を広くする必要があり、その場合、半導体ウェハーから切断できる半導体素子の数が減少することになり、他方、溝の幅を狭くしつつダイヤモンドスクライバーの刃先を溝部の底に接触するためには、溝部を浅くする必要があるが、溝部が浅くなると、半導体ウェハーを正確に分離することが困難になるという課題が更に生じていた。このような課題を解決するために、乙１２０発明は、請求項記載の構成を備えることによって、半導体ウェハーの主面の一方に、ダイヤモンドスクライバーやダイサーにより溝部を形成した上で、当該溝部の底面にレーザを照射することにより、当該溝部にブレイク・ラインを形成し、当該ブレイク・ラインに沿って窒化物半導体素子を分割することを可能とするものであり、これによって、チッピングやクラックを生じさせることなく、品質の高い製品を供給できるという効果や、幅の狭い溝部を形成することを通じて半導体ウェハーから採取できる半導体素子の数を向上させるという効果を実現するものであることが認められる。

⑵ 乙１２０発明の構成前記⑴の認定事実及び弁論の全趣旨によれば、乙１２０公報には、次のような構成が開示されていることが認められる。

［構成１２０ａ］：基板の一方の表面に溝部が形成され、他方の表面に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーを加工対象物とし、その内部に加工変質部を形成するレーザ装置であって、［構成１２０ｂ］：前記半導体ウエハーが載置されるステージと、［構成１２０ｃ］：レーザ光を出射するレーザ光源と、［構成１２０ｄ］：前記ステージに載置された前記半導体ウエハーの内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、加工変質部を形成させる集光用レンズと、［構成１２０ｅ］：焦点を内部に位置させた状態で、ブレイク・ラインに沿ってステージを直線的に移動させる処理部と、を備え［構成１２０ｆ］：前記加工対象物は窒化物半導体が形成されたサファイアやスピネルなどの基板である［構成１２０ｇ］：レーザ加工機。

⑶ 一致点及び相違点上記⑵の認定事実及び弁論の全趣旨に照らせば、本件発明１と乙１２０発明の一致点及び相違点は、次のとおりであることが認められる。

ア一致点本件発明１と乙１２０発明は、「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記加工対象物が載置される載置台と、レーザ光を射出するレーザ光源と、記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光する集光用レンズと、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記改質領域を形成するために、レーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に位置させた状態で前記切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を直線的に移動させる機能を有する制御部と、を備えるレーザ加工装置」である点において一致する。

イ相違点相違点１２０－①本件発明１は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、乙１２０発明は、加工対象物が窒化物半導体が形成されたサファイアやスピネルなどの基板である点。相違点１２０－②本件発明１は、「制御部」により、「レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第１移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第２移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる」制御をしているのに対し、乙１２０発明は、レーザ光の焦点が基板の溝部の内部側に位置するように、レーザーの光学系を調整し、レーザ光の焦点が前記基板のブレイク・ラインに沿って移動するように、前記基板の厚さ方向と直交する方向に前記ステージを移動させる制御をしているが、基板の厚さ方向に複数のブレイク・ラインを形成しているか明らかではない点。相違点１２０－③本件発明１は、加工対象物である基板の表面に溝部を形成する必要がなく、シリコンウェハの内部に改質領域を形成してこれを切断加工するレーザ加工装置であるに対し、乙１２０発明は、基板の表面に溝部を形成することを必須の構成として、「加工変質部」すなわち「ブレイク・ライン」を溝部の底面の下部に形成することにより半導体ウエハーを切断加工するレーザ加工装置である点。

ウ相違点についての補足説明原告は、本件発明１では改質領域が「切断の起点」となるのに対し、乙１２０発明では、改質領域に相当する微視的なマイクロ・クラックの集合である加工変質部が基板上の溝部の内部側に形成されており、当該加工変質部が切断の起点となるかが明らかではない点も実質的な相違点である旨主張する。

しかしながら、乙１２０公報には、「本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる」（段落【００２０】）という記載のほか、実施例１として「ブレイク・ラインに沿って、ローラー（不示図）により荷重をかけ、窒化物半導体ウエハー１００を切断分離することができる。」（段落【００４５】）、実施例２として「形成されたブレイク・ラインは基板２０１の表面となる溝部２０３に凹部は形成されていないが基板２０１内部に加工変質部として形成されている（図２Ｃ）」（段落【００４８】）という記載があることが認められる。これらの記載によれば、乙１２０公報には、加工変質部であるブレイク・ラインが切断の起点となることが開示されていると認めるのが相当である。

そうすると、本件発明１と乙１２０発明の相違点は、上記⑴記載のとおり認定するのが相当である。したがって、原告の主張は、乙１２０公報の記載に照らし、採用することができない。

ア相違点１２０－①について被告は、乙１２０発明において、加工対象物としてシリコンウェハを採用することは、当業者にとっての選択的事項の範疇である旨主張する。そこで検討するに、前記認定事実によれば、乙１２０発明は、窒化物半導体が形成されたサファイアやスピネルなどの基板を加工対象物とするものであるところ、サファイヤ基板は性質上劈開性を有しておらず、また、サファイヤ及び窒化物半導体のいずれも硬度が高いという、正にサファイア基板の上に窒化物半導体が積層された半導体ウェハー特有の性質に起因した課題を解決するものである。

そうすると、争点３－１⑷において説示したところと同様に、乙１２０発明は、サファイア等の基板に窒化物半導体を積層させた半導体ウエハーの切断に特有の課題を解決するためのものであるから、乙１２０発明に接した当業者において、加工対象物をサファイア等の基板に代えて、上記特有の課題がそもそも存在しないシリコンウェハに置き換えることにつき、動機付けがあるといえないことは明らかである。しかも、本件発明１の特許出願前に、そもそもサファイア等の基板に対する加工をシリコンウェハに適用し得たことを認めるに足りる的確な証拠もない。したがって、相違点１２０－①に係る本件発明１の構成を採用することは、当業者において容易に想到できるものと認めることはできない。以上によれば、その余の点について検討するまでもなく、本件発明１は、乙１２０発明に基づいて容易に想到することができたものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

イ訂正の再抗弁についてなお、念のため、訂正の再抗弁につき判断するに、証拠（甲１１６）及び弁論の全趣旨によれば、原告は、令和３年５月２８日付けで、本件発明１の「前記加工対象物はシリコンウェハである」と記載されているのを、「前記加工対象物は、シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハである」に訂正する旨（本件訂正）の訂正請求をしていることが認められ、被告は、被告製品が訂正事項に係るシリコンウェハを加工対象物とするものであることを格別争っていない。ここで訂正要件についてみると、本件発明１にいう「シリコンウェハ」は、本件発明１の特許請求の範囲及び本件明細書等１の記載において概念的な限定がなく、その文言上、「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ」と当該溝が形成されているシリコンウェハの両者を概念上含むものであったと解するのが相当である。そして、訂正事項は、両者のうち、溝が形成されているシリコンウェハを除くものであり、上記加工対象物の構成を更に限定するものである。そうすると、訂正事項は、概念的に限定のなかったシリコンウェハから、溝が形成されているシリコンウェハを除くものにすぎず、新たな技術的事項を導入するものではなく、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。したがって、上記訂正は、訂正要件を満たすものといえる。さらに、訂正事項を前提として改めて容易想到性について検討すると、乙１２０公報には、「本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる。」（段落【００２０】）という記載があることが認められるところ、分離端面が平坦に形成される理由について、溝部形成に伴う内部応力と、レーザー照射により形成されるブレイクラインの双方が関与していることが示されており、その他に課題解決の機序となるものは見当たらない。このような記載によれば、乙１２０発明において基板を分離切断するには、基板の表面に溝が形成され、溝部形成に伴って生じる内部応力があることが必須であるといえるから、乙１２０発明に接した当業者が、当該内部応力を生じさせる溝を捨象しようとするような動機付けを認めることはできず、これを訂正事項に係る「溝が形成されていないシリコンウェハ」に置き換えることには、むしろ阻害事由があるというべきである。そうすると、仮に上記訂正に係る前の本件発明１が進歩性を欠くという前提に立ったとしても、本件訂正発明は、進歩性を認めるのが相当である。したがって、原告主張に係る訂正の再抗弁は、理由があり、被告の主張は、審査基準にいうサブコンビネーションの発明をいう主張を含め、上記において説示したところによれば、いずれも採用することができない。

ウその他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、乙１２０発明の構成及び技術的特徴等に照らし、独自の見解をいうものであり、いずれも採用することができない。

24 争点３－９（サポート要件違反）被告は、「改質領域」について、本件明細書等１には多光子吸収によって形成されるものしか開示されていないところ、実際には、多光子吸収以外によって形成されるものも含まれるのであれば、特許請求の範囲の記載が、明細書で開示された範囲を超えていることになるため、特許法３６条６項１号に違反する旨主張する。

しかしながら、争点１－１において説示したとおり、本件明細書等１は、多光子吸収により改質領域が形成された一例を掲げたものにすぎず、本件発明１の課題は、大要、ウェハ内部の切断予定ラインに沿って切断の起点となる改質領域が形成されることを主たる手段として解決されるのであり、必ずしも多光子吸収という現象によらなければ解決できないものではない。そうすると、本件発明１は、発明の詳細な説明の記載により当業者が本件発明１の課題を解決できると認識できる範囲を超えるものではなく、被告の主張は、上記と異なる前提に立ってサポート要件違反をいうものであり、その前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。

25 争点３－１０（明確性要件違反）被告は、本件発明１にいう「改質領域」（構成要件Ａ及びＤ）につき、技術的な定義がされていない結果、多光子吸収が支配的に寄与して形成されるものか否かについて、原告と被告とで異なる主張をしているように（前記争点３－１）、多義的に解する余地がある以上、権利として不明確であるといわざるを得ず、特許法３６条６項２号が定める明確性要件に違反する旨主張する。

しかしながら、「改質領域」について、「溶融処理領域」をいうことは当事者間において争いがないところ、本件明細書等１の記載によれば、本件発明１の課題解決手段は、切断の起点として「溶融処理領域」を内部に形成することにあり、課題解決手段との関係でその形成が多光子吸収という現象によるものに限定されないことは、上記において説示したとおりである。そうすると、「改質領域」は、その意味で多義的に解する余地はなく、本件発明１は、第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるとは認められず、特許法３６条６項２号が定める明確性要件に違反するということはできない。

したがって、被告の主張は、採用することができない。

26 争点３－１１（実施可能要件違反）被告は、本件明細書等１に記載の実験条件の下では、多光子吸収ではなく単光子吸収の方が支配的であるならば、そのような実験条件によって形成される「溶融処理領域」（改質領域）につき、「多光子吸収により形成される」と開示した本件発明１は、実施可能要件を欠く旨主張する。

そこで検討するに、特許法３６条４項１号は、発明の詳細な説明の記載が、「経済産業省令で定めるところにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであること」に適合することを求めていることからすると、当業者が、明細書の発明の詳細な説明の記載及び技術常識に基づき、過度の試行錯誤を要することなく、方法の発明についてはその方法を使用することができる程度の記載を、物の発明についてはその物の生産及び使用をすることができる程度の記載を、それぞれ要するものと解するのが相当である。

これを本件についてみると、被告は、本件発明１が「多光子吸収により形成される」と開示していることを前提として実施可能要件違反を主張するものの、本件発明１がそのように限定されないことは、上記において説示したとおりであり、被告の主張は、前提を欠く。

実質的にみても、前記認定事実によれば、本件明細書等１には、加工対象物をシリコンウェハ（厚さ３５０μm、外径４インチ）、波長１０６４ｎｍのレーザ光を用いて実施した実験（レーザや集光用レンズ、載置台の移動速度等の実験条件の詳細は、段落【００２９】に記載のとおり。)によって、シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることが開示されるなど（段落【００２８】、【００２９】）、本件発明１においては、本件明細書等１に記載の実験条件で「改質領域」が形成されること自体は、疑う余地はない。

そうすると、本件明細書等１に接した当業者は、その記載及び技術常識に基づき、過度の試行錯誤を要することなく、使用する加工対象物の性質や大きさに応じて、適切なレーザ光や集光用レンズ、加工対象物が載置される載置台の移動速度等を組み合わせることによって、本件発明１を実施することができるものと認められる。

したがって、被告の主張は、採用することができない。

27 争点４－１（サポート要件違反１）被告は、本件明細書等２の段落【００７５】の記載を根拠として、本件明細書等２には、加工対象物の端部においてレンズを保持した状態で改質領域を形成するものしか開示されていない一方で、本件発明２は、いずれも加工対象物の端部において改質領域を形成しないものも権利範囲に含むものであるから、本件発明２は、本件明細書等２に記載された発明を超えた発明として、サポート要件に違反する旨主張する。

しかしながら、前記認定に係る本件明細書等２の記載によれば、本件発明２は端部の形状変動によるレーザ光の集光点のずれを極力排除して改質領域を形成するという課題を解決するために、加工対象物の端部においてレンズを保持するという構成を採用するものである。そうすると、上記構成を採用すれば、端部に改質領域を形成するかどうかにかかわらず、集光点のずれを極力排除するという課題を解決することができるのであるから、本件発明２は、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえる。したがって、被告の主張は、採用することができない。

その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、本件発明２の課題解決手段を正解するものとはいえず、いずれも採用することができない。

28 争点４－２（サポート要件違反２）被告は、本件明細書等２には、「改質領域」（構成要件Ｐ、２Ｐ、２Ｒ、２Ｓ）について、多光子吸収によって形成することしか開示されておらず、他の方法によって形成されるものについては一切開示されていないところ、仮に「改質領域」が多光子吸収以外によって形成されるものも含むのであれば、特許請求の範囲の記載が、明細書で開示された範囲を超えていることになるから、特許法３６条６項１号が定めるサポート要件に違反する旨主張する。

しかしながら、争点２－５において説示したとおり、本件明細書等２は、多光子吸収により改質領域が形成された一例を掲げたものにすぎず、本件発明２の課題は、必ずしも多光子吸収という現象によらなければ解決できないものではないことは、争点３－９において説示したとおりである。そうすると、本件発明２は、発明の詳細な説明の記載により当業者が本件発明２の課題を解決できると認識できる範囲を超えるものではなく、被告の主張は、上記と異なる前提に立ってサポート要件違反をいうものであり、その前提を欠く。したがって、被告の主張は、採用することができない。

29 争点４－３（明確性要件違反）被告は、本件発明２にいう「改質領域」につき、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されるか否かにつき多義的に解する余地がある以上、権利として不明確であるといわざるを得ず、特許法３６条６項２号が定める明確性要件に違反する旨主張する。

しかしながら、「改質領域」が、多光子吸収が支配的に寄与して形成されたものに限定されないことは、既に前記争点２－５において説示したところである。そうすると、「改質領域」は、その意味で多義的に解する余地はなく、本件発明２は、第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるとは認められず、特許法３６条６項２号が定める明確性要件に違反するということはできない。したがって、被告の主張は、採用することができない。

30 争点５（本件実施許諾契約の成否）

⑴ 認定事実

ア原告と被告は、平成１４年９月１８日、業務提携準備に関する契約（本件業務提携準備契約）を締結した（甲６の１）。同契約においては、以下のような定めが置かれている。定義（１条）ａステルスダイシング技術：原告が基本特許を有するレーザを用いたダイシング技術ｂステルスダイシング装置：ステルスダイシング技術を用いた装置ｃＳＤエンジン：ステルスダイシング装置中の筐体、ステージ、搬送系部分を除いたキーコンポーネント部及びソフトウエア設計成果（６条１項）試作機の共同開発の過程又は相手方が開示した本情報に基づき、発明・考案等を確認したときは、その取扱いにつき速やかに協議するものとし、その発明・考案等及びこれらに基づく工業所有権等（以下「本成果」という。）の帰属及び運用は、次のとおりとする。ａＳＤエンジンに関する本成果は原告に帰属するものとする。ｂステルスダイシング技術及びＳＤエンジンに関しない本成果は原告・被告の共有とする。前提合意（７条１項）原告及び被告は、本件業務提携準備契約の締結時点で、本業務提携を行う場合の前提として以下の事項につき合意していることを確認する。ａ原告は、被告に対し、ステルスダイシング技術を用いた装置（のうち、ＳＤエンジンを有償で販売すること。ｂステルスダイシング技術を用いた装置の販売は被告が担当すること。ｃ原告が被告に対して、被告がステルスダイシング技術を用いた装置を製造・販売するのに必要な範囲で原告の特許、ノウハウの非独占的実施権を付与し、被告はステルスダイシング技術を用いた装置の販売台数に応じて、１台当たり、最終販売価格の●（省略）●ロイヤリティ又は対価の一部として原告に支払うこと。

イ原告と被告は、平成１５年９月１８日、上記アの契約に基づき準備と検討を行った結果として、本件業務提携契約を締結した。本件業務提携契約には、次のような定めが置かれている（甲６の２）。本契約の位置付け（２条）ａ本契約は業務提携準備に関する契約を補充するものである。本契約において明示的に変更・修正された場合のほか、業務提携準備に関する契約の各条項は有効である（１項）。ｂ本契約の合意事項は本契約の調印者名で調印された契約書によらなければ修正できないものとする（３項）。ステルスダイシング装置の製造及び販売（３条）ａ原告は、原告と被告が協議の上決定した検査基準に基づきＳＤエンジンの出荷検査を行い、被告に有償にて納入する（柱書）。

ｂ被告は、ステルスダイシング装置としての最終出荷検査を行い市場に販売する（４項）。ロイヤリティ（第４条）被告は、ステルスダイシング装置の販売台数１台当たり、同装置本体最終販売価格の●（省略）●の金額を原告に対して支払う（１項）契約期間及び残存等（６条）本契約の有効期間は平成１５年９月１８日から平成１６年９月１８日までとする。ただし、期間満了の３か月前までに原告又は被告から書面による変更、解約の申し出のないときは、本契約と同一条件で更に１年関継続するものとし、その後もこの例によるものとする。

ウ原告と被告は、平成１８年６月８日、ＳＤエンジンの一括発注に関して、売買基本契約（以下「本件売買基本契約」という。）を締結した（乙１４）。本件売買基本契約においては、被告が原告に対し発注するＳＤエンジンの台数と価格が合意され、また、そのＳＤエンジンの価格には、上記のとおり別途合意したＳＤダイシング装置の販売に対するロイヤリティが含まれないことが確認された（７条）。また、本件売買基本契約においては、当該契約及び個別契約の修正又は変更は、原告及び被告の権限ある代表者が締結した書面によらない限り、法的拘束力を有しないものとされた（１４条）。

エその後、原告は、平成２３年頃から、ディスコ社に対し、長波長●（省略）●のＳＤエンジンを納入するようになったが、これにより、ディスコ社のＳＤダイシング装置の売上げが増加し、被告のＳＤダイシング装置の売上げを上回るようになった。

これに対し、被告は、従来、本件業務提携契約に基づき、原告から、波長１０９９ｎｍのＳＤエンジンの提供を受けていたものの、上記のようなディスコ社の売上増加を脅威に感じ、原告に対し、被告にも長波長のＳＤエンジンを供給するよう求めたが、原告はこれに応じなかった。そこで、被告は、原告に対し、新たなＳＤエンジンの開発を求めるとともに、自らもＳＤエンジンの開発を開始することとした。（以上につき、甲５７、１１５、乙８０、３２１〔２～４頁〕、３４０）。

オ原告及び被告は、平成２６年１０月８日、面談（以下、当該面談を「１０月８日の面談」という。）を行った。１０月８日の面談には、原告からは、代表取締役副社長であったＭ及びＳＤエンジンの製造開発部門の部長であったＬ部長が参加し、被告からは、代表取締役副社長のＫ（以下「Ｋ副社長」という。）及び顧問のＱ(以下「Ｑ顧問」という。)が参加した。そして、１０月８日の面談において、Ｋ副社長は、当日の協議内容をメモした別紙添付の議事録（以下「本件議事録」という。乙１８)を手書きで作成した上で、その場でＭ副社長及びＬ部長に対し、確認の上署名するよう求めたところ、Ｍ副社長及びＬ部長は、原告の出席者としてＫが手書きした「Ｍ様」、「Ｌ部長」という記載の右側に、それぞれ署名をした。本件議事録には、「Ａｃｃｔでの開発レーザーに関して」という項目につき、「浜松ホトニクスとＡｃｃｔでの共同開発で良いレーザーを作りたい（１０９９ｎｍではＤｉｓｃｏに勝てない。）」、「ただ時間がかかり、その間にＡｃｃｔはレーザーダイサーから撤退する事態となる。」、「顧客を引き留めるためにも現状はＡｃｃｔ開発レーザーを売りたい→Ｍ副社長は了承する。・特許料は支払う・ＳＤＥのラベルを貼る。」との記載がある（なお、Ａｃｃｔとは被告を指す。）。（以上につき、甲５８、１１５、乙１８、１０３、１０４、３２１．３２２、３４０）

カＬ部長は、１０月２３日、被告を訪問し、Ｋ副社長、Ｑ顧問及び被告の担当者と面談をした。そして、同面談について作成された別紙議事録（甲５９）には、「ＡＣＣＴコメント：●（省略）●と１０９９ｎｍは総じてほぼ同等の性能と判断、今後のビジネスを考えるとさらなるメリットが欲しい。」、「ＡＣＣＴＳＤＥエンジンリリースについて・ＳＤＥシール貼り、今迄通りのロイアリティを支払う」との記載が存在する。(甲５９、乙３２２)

キ被告は、平成２７年３月２５日頃、被告製エンジンを搭載したサンプル機をサムスン社に納入することになったことを受け、原告に対し、ロイヤリティの支払を申し入れるとともに、ロイヤリティシールをサンプル機に貼付することを要望した（乙３１３、３２１〔１３～１５頁〕）。これに対し、原告は、平成２７年３月３０日、被告に対し、①今回のサンプル出荷に限っては、ロイヤリティの支払が不要である反面、ロイヤリティシールの支給もできないこと、②装置が受注となり、販売に至った場合には、別途ロイヤリティの支払が必要であり、その場合、ロイヤリティシールも支給することを伝えた（乙２０）。

ク原告は、平成２７年５月頃、ＴＩ社から、被告が製造しているＮＳ９００についての問い合わせがあったことを受け、同年６月２９日、被告が自社製のＳＤエンジンを紹介しているのではないかと考えて、確認のために被告を訪問した（甲６２、乙３２２〔１２～１３頁〕）。

ケその後、原告は、平成２７年１１月１９日には、被告に対し、原告としては、競争力のあるステルスダイシングレーザが開発されるまでの「繋ぎ」として、被告において被告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置のサンプル機をサムスン社に対して設置することは了解していたものの、今般、被告が、被告がＳＫ－Ｈｙｎｉｘ社やＴＩ社に対しても、サンプル機として被告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置を紹介・設置していることが判明したとして、抗議を申し入れた。

これに対し、被告は、サムスン社に対するサンプル機の紹介・設置は、飽くまで一例として承諾を得たものであり、競争力のあるＳＤエンジンが原告から提供されない限り、サムスン社以外のエンドユーザに対しても、被告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置を販売することは、従前から一貫した被告の立場である旨回答した。

（以上につき、甲６３、１１５、乙３２２〔１３頁〕）

コ原告は、平成２８年３月２４日付けで、被告から、被告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置についてのロイヤリティの支払の申出を受けたが、サムスン社へのサンプル機を除いては、原告製ＳＤエンジンを搭載していないＳＤダイシング装置の販売は認めていないとの理由で、その受領を拒否した（乙１６５、甲１４６）。

サ原告は、平成２８年６月１３日、被告に対し、サムスン社へのサンプル機１台の納入を超えた被告製品の販売が特許権侵害に該当することを書面により通知した。これを受けて、その後、原告と被告との間で、事態の解決に向けた書面のやり取りが継続した。（甲８、乙２３、３１４）

シ原告と被告との間では、その後も解決策が模索されたものの、合意に至ることはなかった。そのような中にあって、本件業務提携契約は、原告がそれ以上の更新を望まなかったため、平成２９年９月１８日、期間満了により終了した（弁論の全趣旨）。

ス原告と被告は、平成２９年３月１日にも打合せを行ったが、その際に被告の従業員であるＳが作成したメモには、「パートナーシップ契約解消後は、当社はＨＰＫ特許の無断使用となり、当社が予想したシナリオへ急展開となる可能性大」との記載がある（乙３１６の２）。

⑵本本件実施許諾契約の成否について

ア被告は、別紙本件議事録（乙１８）を証拠として提出した上、１０月８日の面談において、原告が被告に対し、１台当たり●（省略）●の実施料の支払を受けることの対価として、被告が被告製レーザエンジンを開発しこれを搭載したＳＤダイシング装置を顧客に販売することを許諾することを内容とする実施許諾契約（本件実施許諾契約）に合意した旨主張する。

しかしながら、前記認定に係る本件業務提携契約によれば、原告が被告に対し、ＳＤエンジンを有償で販売した上で、被告が、当該ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置をエンドユーザに売却することとされたところ、本件実施許諾契約は、原告製のＳＤエンジンではなく、被告製のＳＤエンジンを搭載したＳＤダイシング装置の売却を許諾するというのであるから、その内容は、本件業務提携契約の根本的な修正又は変更となることは明らかである。そして、本件業務提携契約によれば、同契約の合意事項は同契約の調印者名で調印された契約書によらなければ修正できない旨の合意がされていたのであるから、本件実施許諾契約を修正又は変更するには、上記契約書その他の書面が必要である。しかしながら、被告主張に係る本件議事録は、別紙添付のとおり、東京精密と印字された被告のメモ用紙における鉛筆等の走り書きのメモにすぎず、その体裁からしても、上記にいう契約書その他の書面に該当しないことは、自明である。しかも、本件議事録の内容をみても、ライセンスの対象商品、販売先の記載がないほか、被告主張に係る１台当たり●（省略）●の実施料の定めすらなく、仮にライセンス期間について記載されているとしても、良いレーザエンジンができるまでという極めて曖昧なものにとどまるのであるから、本件議事録の記載自体を踏まえても、本件実施許諾契約に係る確定的な意思表示が記載されたものとはいえないことは明らかである。仮に、１０月８日の協議において本件実施許諾契約に係る黙示の合意があったという前提に立ったとしても、証拠（乙３２１〔１８頁〕）及び弁論の全趣旨によれば、その後も、被告は、原告に対し、本件議事録の内容を前提として、合意の条件を具体的に詰めるような交渉等を求めなかったのはもとより、本件業務提携契約の上記規定に基づき合意事項の変更に係る契約書を作成することすら打診していないのであるから、上記黙示の合意があったと解することは、極めて不自然である。かえって、証拠（甲５８、乙３２２）及び弁論の全趣旨によれば、Ｌ部長は、Ｋ副社長から、同人が面談終了後記載した本件議事録を示されたところ、Ｌ部長自身は、被告の要望の概要を手書きでメモ書きされた程度の認識でおり、これが後になって本件実施許諾契約が成立したと主張されるとは、夢にも思っていなかった旨供述しており、現に、Ｌ部長が１０月８日の面談当日に備忘のため作成した手書きの別紙添付のメモ（甲５８）によっても、被告主張に係る本件実施許諾契約の内容に関する記載がうかがわれないことからしても、Ｌ部長の上記供述は、本件議事録が、飽くまで被告の要望を記載したにとどまるものであることを十分に裏付けるものといえる。のみならず、前記認定事実によれば、被告の担当者は、平成２９年３月の交渉に関する議事録において「パートナーシップ契約解消後は、当社はＨＰＫ特許の無断使用となり、当社が予想したシナリオへ急展開となる可能性大」と記載していたことからすれば、当の被告の担当者においてですら、本件実施許諾契約が成立していないことを当時自認していたことが認められる。

これらの事情の下においては、本件議事録（乙１８）の記載内容をもって、原告と被告との間で、本件実施許諾契約が成立したものといえず、１０月２３日に作成された別紙議事録（甲５９）の内容を考慮しても、同契約の合意をうかがうことはできず、その他に、本件実施許諾契約の成立を認めるに足りる的確な証拠は存在しない。したがって、本件実施許諾契約が成立したものと認めることはできない。

イ被告の主張について被告は、契約書を作成しなかったのは、本件実施許諾契約は、原告、被告の双方に利益をもたらすものであるとともに、長期的な事項について取決めをするものではなかったため、トップ同士が署名した議事録による合意書以上に、契約書の作成が必要であるとは思い至らなかった旨主張する。しかしながら、本件業務提携契約においては、同契約における合意事項を修正するには、同契約の調印者名で調印された契約書の作成が必要であることは、上記において説示したとおりであり、被告の主張は、本件業務提携契約の規定の内容を正解しないものである。また、上記において説示したとおり、ライセンス条件すら具体的に記載されていない走り書きのメモ（本件議事録）の内容をもって、被告主張に係る本件実施許諾契約の成立があったとすることは、公正で透明性の高さが求められる取引社会において、それ自体その信頼を損なう結果を招くことも自明であり、被告の主張は、その他弁論の全趣旨を踏まえても、当を得ないというほかない。したがって、被告の主張は、採用することができない。被告は、原告が本件実施許諾契約の対象がサムスン社向けの装置に限られる旨の主張を初めてしたのは、本件合意から１年以上が経過した平成２７年１１月１９日の時点である旨主張する。しかしながら、前記認定事実によれば、被告において、被告製エンジンを搭載したＳＤダイシング装置をエンドユーザに納入できる状態になったのは、平成２７年３月頃であって、原告は、同年５月頃にＴＩ社からの指摘を受けると、同年６月２９日には、速やかに事実関係を確認するために被告を訪問していることが認められる。そうすると、原告は、被告が自社製のＳＤエンジンを紹介しているという事実を認識した後、そのまま放置せず、速やかに事実関係を確認するなどの対処をしていることが認められる。これらの事実関係によれば、かえって、原告は、当初から、被告がサムスン社以外のエンドユーザに対し被告製ＳＤエンジンを販売することを許容していなかったことを推認するものといえ、被告の主張は、前記判断を左右するものとはいえない。したがって、被告の主張は、採用することができない。その他に、被告の主張及び提出証拠を改めて検討しても、被告の主張は、本件実施許諾契約の趣旨目的を正解しないものに帰し、いずれも採用することができない。

31 争点６－１－１（特許法１０２条２項の適用の可否）

⑴ 認定事実前記前提事実、後掲の各証拠及び弁論の全趣旨によれば、次の事実を認めることができる。

ア原告のビジネスモデル原告は、先端技術を研究開発する国際的な企業であり、原告が開発したステルスダイシング技術の中核的ユニットであるＳＤエンジン一式の製造については、自社製造を必須とし、一切製造ライセンスを許諾していない。このように、原告は、ＳＤエンジン一式の製造販売を独占し、その営業利益により次の研究開発費用を捻出し、先端技術の研究開発を行っている。原告は、業務提携関係にあるＳＤダイサーメーカー（アライアンスパートナー）に対しては、原告が保有する本件特許を含むＳＤ技術関連特許をライセンス許諾し、当該許諾先のＳＤダイサーメーカーは、ライセンス許諾の条件として、原告に対しロイヤリティを支払うほか、原告から原告製のＳＤエンジンを買い取り、これをＳＤダイサーに組み込んで販売している。このように、原告は、ＳＤダイサーメーカーに対し、ＳＤエンジンの購入及びＳＤ技術関連特許（本件各特許権を含む。以下同じ。）に関する特許発明のロイヤリティの支払を、ライセンス許諾の不可分一体の条件として位置付け、ＳＤダイサーメーカーとの間で、ライセンス契約を締結し、その事業を実施してきた。原告は、ＳＤエンジンのメーカーとして、ＳＤエンジンの販売による利益を、ライセンス契約における主たる対価と位置付けており、原告からＳＤエンジンを購入しないＳＤメーカーに対しては、ＳＤ技術関連特許（本件各特許権を含む。以下同じ。）をライセンスすることはない。また、ライセンス契約におけるロイヤリティは副次的なものであるため、ライセンスの標準料率は、１台当たりの最終販売価格の●（省略）●％に抑えられていた。（以上につき、甲１３１ないし１３５、１４３、弁論の全趣旨）

イＳＤダイサーメーカーの状況国内の状況国内においては、原告からシリコンのステルスダイシング技術に関するライセンス許諾を受けたことのあるＳＤダイサーメーカーは、被告とディスコ社の２社に限られるところ、両者は競合関係にある。そして、ディスコ社は、現在でも原告からライセンス許諾を受け、原告のＳＤエンジンを購入している。（甲１３１ないし１３５、弁論の全趣旨）海外の状況海外には、ＥＯＴｅｃｈｎｉｃｓ社（以下「ＥＯ社」という。）、徳力激光、長城科技、無錫先導知能設備等のＳＤダイサーメーカーが存在する。（弁論の全趣旨）被告とディスコ社の販売実績平成２８年から令和元年９月までの５年間に販売された被告製品は●（省略）●台であるのに対し、原告製ＳＤエンジンである８００ＤＳ又は１０００ＤＳを搭載したディスコ社製ＳＤエンジンは、同時期に●（省略）●販売されている。（以上につき、甲１３１ないし１３５、乙１５６、弁論の全趣旨）

ウＳＤダイサーの需要者（エンドユーザ）サムスン社ａＳＤダイサー市場においては、サムスン社が最大の需要者である。サムスン社は、平成２０年頃から平成２３年頃までの間は、被告のみからＳＤダイサーを購入していたものの、平成２３年頃以降、被告に加え、ＥＯ社からもＳＤダイサーを購入するようになった。

その後、ディスコ社が原告製エンジンを搭載したＳＤダイサーの販売を開始したことを受け、サムスン社は、一時期、被告からＳＤダイサーを購入することなく、ディスコ社とＥＯ社の２社のみからＳＤダイサーを購入するようになった。

そして、サムスン社は、被告が被告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイサーを製造・販売するようになった平成２８年以降は、被告及びディスコ社の２社のみからＳＤダイサーを購入し、被告は、これまで合計●（省略）●台のＳＤダイサーをサムスン社に販売した。

ｂサムスン社は、特定のメーカーのみから製造装置を購入すると、当該メーカーに対するコントロールが難しくなることから、ＳＤダイサーについても、２社から購入するという方針を採用している。

（以上につき、甲１４１、乙２９１、弁論の全趣旨）ＴＩ社被告製品の販売台数のうち●（省略）●台は、ＴＩ社への販売である。ＴＩ社は、被告製品を高く評価しているところ、これまで、原告からＳＤエンジンを購入したことはない。（甲１４２、弁論の全趣旨）。

エ原告とディスコ社の関係原告とディスコ社は、平成１８年、業務提携契約を締結し、原告のＳＤ技術を用いたディスコ社のＳＤダイサーの共同開発に着手し、翌１９年には、原告のＳＤエンジンを搭載したＳＤダイサーであるＤＦＬ７３４０（２００ｍｍ径ウェハ用）及びＤＦＬ７３６０（３００ｍ径ウェハ用）を開発した。それ以後、原告は、上記業務提携契約に基づき、ディスコ社に対し、原告製ＳＤエンジンの供給を行うとともに、当該ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイサー及びその顧客による業務上の使用につき、包括ライセンスを付与している。

これを受けて、ディスコ社は、原告製ＳＤエンジンを搭載したＳＤダイサーを製造し、エンドユーザである半導体メーカー等に販売してきた。

そして、ディスコ社は、自らがアライアンスパートナーであることを対外的に宣伝するとともに、同社製のＳＤダイサーにＳＤＥマークを表示することにより、自社製品が原告製ＳＤエンジンを搭載していることを明らかにしてきた。（以上につき、甲１３１～１３６）

オＳＤエンジン８００ＤＳ／１０００ＤＳの開発原告は、平成２６年頃、加工対象物に対する透過性の高い波長１３４２ｎｍのレーザ光を照射するレーザ光源を備えたＳＤエンジンである８００ＤＳを開発した。

これを受けて、ディスコ社は、８００ＤＳを搭載したＳＤダイサー（ＤＦＬ７３６１）の販売を開始したところ、当時の販売台数は、年間●（省略）●台から●（省略）●台程度で推移していた。原告は、平成２８年頃、デバイス層に光抜けしにくい波長１０９９ｎｍのレーザ光を照射するレーザ光源を備えたＳＤエンジンである１０００ＤＳを開発した。これを受けて、ディスコ社は、平成２９年１２月頃、１０００ＤＳを搭載したＳＤダイサー（ＤＦＬ７３６２）の販売を開始した。平成２８年３月頃に被告製品の販売が開始されてから現在に至るまでの間、ディスコ社のＳＤダイサーの主力製品は、上記のＤＦＬ７３６１及びＤＦＬ７３６２である（弁論の全趣旨）。

原告は、平成２８年９月９日付けで、被告に対し、①被告がサムスン社に対し納入しているＳＤエンジンにつき、原告製又は原告のライセンスを受けた製品である旨の説明をしていないか事実確認を求めるとともに、②被告のＳＤエンジンにはＳＤＥシールが貼られていないものがあるかどうか、③サムスン社によれば、ディスコ社が受注直前だった●（省略）●台のＳＤダイサーのうち、●（省略）●については被告から購入することになった旨報告を受けていること等を指摘する内容の文書（甲１４１）を送付した。

（以上につき、甲１３６、１４１、弁論の全趣旨）

⑵ 特許法１０２条２項の適用の可否

ア特許法１０２条２項は、民法の原則の下では、特許権侵害によって特許権者が被った損害の賠償を求めるためには、特許権者において、損害の発生及び額、これと特許権侵害行為との間の因果関係を主張、立証しなければならないところ、その立証等には困難が伴い、その結果、妥当な損害の填補がされないという不都合が生じ得ることに照らし、侵害者が侵害行為によって利益を受けているときは、その利益の額を特許権者の損害額と推定するとして、立証の困難性の軽減を図った規定である。そして、特許権者に、侵害者による特許権侵害行為がなかったならば利益が得られたであろうという事情が存在する場合には、特許法１０２条２項の適用が認められると解すべきである。

そして、特許法１０２条２項の上記趣旨からすると、同項所定の侵害行為により侵害者が受けた利益の額とは、原則として、侵害者が得た利益全額であると解するのが相当であって、このような利益全額について同項による推定が及ぶと解すべきである。もっとも、上記規定は推定規定であるから、侵害者の側で、侵害者が得た利益の一部又は全部について、特許権者が受けた損害との相当因果関係が欠けることを主張立証した場合には、その限度で上記推定は覆滅されるものということができる（
知的財産高等裁判所平成３０年